| 1 |
1
기판; 및상기 기판의 하부에 형성되고, Si 또는 SiGe로 구성되어 서로 다른 게르마늄 조성비율을 갖는 복수의 반도체층들을 포함하는 광흡수층을 포함하고,상기 광흡수층의 게르마늄조성비율은 상기 기판과의 거리에 따라 단조증가 또는 단조감소하는 것을 특징으로 하는 태양전지
|
| 2 |
2
제1항에 있어서,상기 광흡수층은 상기 게르마늄 조성비율이 0인 반도체층을 적어도 한 층 이상 포함하는 것을 특징으로 하는 태양전지
|
| 3 |
3
제1항에 있어서,상기 기판이 가시광선 영역의 빛을 투과시키는 투명기판인 경우에는,상기 광흡수층의 게르마늄조성비율은 상기 기판과의 거리가 증가함에 따라 증가하는 것을 특징으로 하는 태양전지
|
| 4 |
4
제3항에 있어서,상기 광흡수층은상기 기판에 인접한 p-형 반도체층;상기 p-형 반도체층의 하부에 형성되어 상기 p-형 반도체층의 게르마늄 조성비율보다 높은 게르마늄 조성비율을 갖는 i-형 반도체층; 및상기 i-형 반도체층의 하부에 형성되어 상기 i-형 반도체층의 게르마늄 조성비율보다 높은 게르마늄 조성비율을 갖는 n-형 반도체층을 포함하는 것을 특징으로 하는 태양전지
|
| 5 |
5
제4항에 있어서,상기 i-형 반도체층은 상기 p-형 반도체층과의 거리가 증가함에 따라 증가하는 게르마늄 조성비율을 갖는 복수개의 SiGe층을 포함하는 것을 특징으로 하는 태양전지
|
| 6 |
6
제1항에 있어서,상기 기판이 가시광선 영역의 빛을 투과시키지 않는 불투명기판인 경우에는,상기 광흡수층의 게르마늄 조성비율은 상기 기판과의 거리가 증가함에 따라 감소하는 것을 특징으로 하는 태양전지
|
| 7 |
7
제6항에 있어서,상기 광흡수층은상기 기판에 인접한 n-형 반도체층;상기 n-형 반도체층의 상부에 형성되어 상기 n-형 반도체층의 게르마늄 조성비율보다 낮은 게르마늄 조성비율을 갖는 i-형 반도체층; 및상기 i-형 반도체층의 상부에 형성되어 상기 i-형 반도체층의 게르마늄 조성비율보다 낮은 게르마늄 조성비율을 갖는 p-형 반도체층을 포함하는 것을 특징으로 하는 태양전지
|
| 8 |
8
제1항에 있어서,상기 광흡수층은 p-형 반도체층; n-형 반도체층; 및 상기 p-형 반도체층과 상기 n-형 반도체층 사이에 형성되는 i-형 반도체층을 포함하는 p-i-n-단위구조를 적어도 하나 이상 포함하고, 상기 i형 반도체층은 동일한 p-i-n-단위 구조에 포함된 p형 반도체층의 게르마늄 조성비율보다 높고, 상기 동일한 p-i-n-단위구조에 포함된 n형 반도체층의 게르마늄 조성비율보다 낮은 게르마늄 조성비율을 갖는 것을 특징으로 하는 태양전지
|
| 9 |
9
제8항에 있어서,상기 p-i-n 단위구조는 상기 기판에 인접한 제1단위구조 및 상기 제1단위구조의 하부에 형성된 제2단위구조를 포함하고, 상기 기판은 가시광선 영역의 빛을 투과시키는 투명기판인 경우에는,상기 제2단위구조의 i-형 반도체층의 게르마늄 조성비율이 제1단위구조의 i-형 반도체층의 게르마늄 조성비율보다 높은 것을 특징으로 하는 태양전지
|
| 10 |
10
기판을 형성하는 단계; 및상기 기판 위에 Si 또는 SiGe으로 구성된 반도체층을 증착하는 단계; 및이전에 증착된 반도체층의 게르마늄 조성비율과 다른 게르마늄 조성비율을 갖는 적어도 하나 이상의 반도체층을 순차적으로 증착하여 광흡수층을 형성하는 단계를 포함하고,상기 광흡수층의 게르마늄조성비율은 상기 기판과의 거리에 따라 단조증가 또는 단조감소하는 것을 특징으로 하는 태양전지 제조방법
|
| 11 |
11
제10항에 있어서, 상기 광흡수층 형성단계는상기 기판이 가시광선 영역의 빛을 투과시키는 투명기판인 경우에는,상기 이전에 증착된 반도체층의 게르마늄 조성비율보다 높은 게르마늄 조성비율을 갖는 적어도 하나 이상의 반도체층을 순차적으로 증착하는 것을 특징으로 하는 태양전지 제조방법
|
| 12 |
12
제10항에 있어서, 상기 광흡수층 형성단계는상기 기판이 가시광선 영역의 빛을 투과시키지 않는 불투명기판인 경우에는,상기 이전에 증착된 반도체층의 게르마늄 조성비율보다 낮은 게르마늄 조성비율을 갖는 적어도 하나 이상의 반도체층을 순차적으로 증착하는 것을 특징으로 하는 태양전지 제조방법
|
| 13 |
13
제10항에 있어서,상기 광흡수층 형성단계는 디지털 화학증착법, 상압 화학증착법, 감압 화학증착법, 플라즈마 화학증착법, 열분해 화학 증착법 중에서 적어도 하나 이상의 방법을 사용하여 증착하는 것을 특징으로 하는 태양전지 제조방법
|
