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화합물 반도체 기판 상부에 패드 전극 패턴을 형성하는 제1단계; 상기 제1단계의 공정을 마친 화합물 반도체 기판의 이면에 서로 다른 재료로 구성된 2중 식각 마스크 패턴을 형성하는 제2단계; 상기 제2단계에서 형성된 마스크 패턴을 이용하여 상기 화합물 반도체 기판의 이면의 소정 두께를 습식 식각공정하는 제3단계; 상기 제3단계후의 노출된 화합물 반도체 기판의 이면에 이온 주입을 실시하는 제4단계; 및 상기 제4단계후에 격자 정합이 파괴된 노출된 화합물 반도체 기판의 이면을 건식 식각 공정하여 상기 패드 전극의 일부를 노출시키는 제5단계 를 포함하여 이루어지는 화합물 반도체 장치의 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 제5단계 후에 상기 2중 마스크 패턴을 제거하는 제6단계; 상기 제5단계의 공정을 마친 화합물 반도체 기판 이면의 단차를 따라 도금막을 형성하는 제7단계를 더 포함하여 이루어지는 화합물 반도체 장치의 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 패드 전극은 상기 제5단계의 공정으로 침식되지 않는 니켈, 티타늄, 백금, 금을 포함하여 이루어지는 화합물 반도체 장치의 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 2중 식각 마스크의 형성은 상기 화합물 반도체 기판의 이면에 실리콘 질화막 및 실리콘 산화막을 수천 Å형성하는 단계; 상기 실리콘 질화막 및 실리콘 산화막이 형성된 하부에 니켈막을 선택적으로 형성하는 단계; 및 상기 니켈막을 식각 장벽으로 하여 상기 실리콘 질화막 및 실리콘 산화막을 식각 하는 단계를 더 포함하여 이루어지는 화합물 반도체 장치의 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 화합물 반도체 기판은 50㎛내지 100㎛의 두께로 형성하고, 그 형성된 화합물 반도체 기판의 이면은 거울면을 갖도록 연마하여 이루어지는 화합물 반도체 장치의 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 제3단계에서의 습식 식각은 인산(H3PO4)/과산화수소수(H2O2)/순수(Deionized H2O) 또는 황산(H2SO4)/과산화수소수/순수로 구성되는 수용액을 이용하여 이루어지고 9㎛를 넘지 않는 식각 깊이를 갖는 화합물 반도체 장치의 제조 방법
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제2항 또는 4항에 있어서, 상기 2중 식각 마스크의 제거는 상기 화합물 반도체 기판 이면의 실리콘 질화막 및 실리콘 산화막의 제거시 그 하부의 니켈막이 제거되도록 하여 이루어지는 화합물 반도체 장치의 제조 방법
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제6항에 있어서, 상기 제4단계에서의 이온 주입은 프로톤 및 헬륨 이온을 상기 노출된 화합물 반도체 기판 이면에 주입하여 이루어지는 화합물 반도체 장치의 제조 방법
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제8항에 있어서, 상기 제5단계에서의 건식 식각은 염소계 플라즈마를 이용한 전자 사이클로트론 공명 방법으로 이루어지는 화합물 반도체 장치의 제조 방법
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