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외부의 광 주입에 의한 잠김 특성을 이용하는 집적형 반도체 광원장치에 있어서,전류 주입에 의해 광 이득과 광 출력을 조절하는 활성영역; 및상기 활성영역과 단일 집적된 구조를 갖고, 전류 주입 또는 역 전압 인가에 의해 공동 모드를 이동시켜 주입광을 잠김시키고, 발진모드의 파장을 변화시키는 수동영역을 구비하는 집적형 반도체 광원
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제1 항에 있어서, 상기 수동 영역은 상기 활성층을 중심으로 적어도 일측에 배치되는 집적형 반도체 광원
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제1 항에 있어서, 기판 상의 일영역 상에 활성영역; 및 상기 활성영역과 분리되어 형성된 수동영역을 구비하되, 상기 활성영역은 제1 클래드층에 의해 에워쌓인 활성층과, 상기 활성층에 전류를 주입하기 위한 전극들을 구비하고, 상기 수동영역은 상기 활성층에 광을 전달하기 위하여 코어층과 제2 클래드층과 상기 코어층에 전류를 주입(역전압을 인가)하기 위한 전극들을 포함하는 집적형 반도체 광원
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제1 항에 있어서,상기 수동영역에서는 전류 주입 또는 역 전압 인가에 의해 굴절율이 변화되어 발진모드의 파장을 변화시키키고,상기 활성영역에서는 전류 주입에 의해 광 이득과 광 출력을 조절하는 집적형 반도체 광원
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제1 항 내지 제4 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 집적형 반도체 광원장치는 파장분할 다중방식 수동형 광가입자망에서 ONT로 이용되는 집적형 반도체 광원
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제1 항 내지 제4 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 공동 모드의 간격은 상기 주입되는 광의 채널 간격과 실질적으로 동일하도록, 상기 수동 영역의 공동 길이가 설계된 집적형 반도체 광원
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제1 항 내지 제4 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 수동 영역의 유효 굴절율을 상기 활성영역과 다르게 하여 활성영역과 수동영역간의 경계면에서 도파광의 일부분을 반사시키는 집적형 반도체 광원
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제7 항에 있어서, 상기 수동 영역내 코어층의 물질조성 또는 두께를 조절하여 유효 굴절율을 변화시켜 상기 반사를 조절시키는 집적형 반도체 광원
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제7 항에 있어서, 상기 수동영역의 도파로 폭을 활성영역의 도파로 폭과 다르게 하여 상기 반사를 조절시키는 집적형 반도체 광원
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제7 항에 있어서, 활성영역의 도파로 구조에 대해 수동영역의 도파로 구조를 다르게 함으로써 상기 반사를 조절시키는 집적형 반도체 광원
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10
제7 항에 있어서, 활성영역의 도파로 구조에 대해 수동영역의 도파로 구조를 다르게 함으로써 상기 반사를 조절시키는 집적형 반도체 광원
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