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열식각에 의한 기판의 산화층 제거완료를 실시간으로감지하는방법

  • 기술번호 : KST2015102237
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 반도체 및 초전도체등에서 단결정 상태의 성장 즉, 에피성장시 기판으로 사용되는 재표의 표면에는 존재하는 산화층을 열식각으로 제거하는데 있어 제거의 완료시점을 실시간으로 감지하는 방법에 관한 것이다.본 발명은 산화층 제거완료를 실시간으로 감지방법은 반도체기판과 굴절율 차이가 있는 기판표면의 산화층이 고온에서 열식각될때 산화층의 두께가 감소함에 따라 레이저 빔의 반사신호가 주기적신호를 나타내며, 이산호의 주기를 이용하여 상대적 식각속도와 식각완료 시점을 규명할 수 있다.
Int. CL H01L 21/66 (2006.01)
CPC H01L 22/12(2013.01) H01L 22/12(2013.01) H01L 22/12(2013.01) H01L 22/12(2013.01)
출원번호/일자 1019950052675 (1995.12.20)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-1997-0053235 (1997.07.31) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1995.12.20)
심사청구항수 3

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 백종협 대한민국 대전광역시 유성구
2 이번 대한민국 대전광역시 유성구
3 최성우 대한민국 대전광역시 유성구
4 이진홍 대한민국 서울특별시 강남구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김영길 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 대흥빌딩 ***호 (역삼동)
2 원혜중 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 **, 서울빌딩 *층 (역삼동)
3 이화익 대한민국 서울시 강남구 테헤란로*길** (역삼동,청원빌딩) *층,***,***호(영인국제특허법률사무소)
4 김명섭 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 *, 테헤란오피스빌딩 ***호 시몬국제특허법률사무소 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 출원심사청구서
Request for Examination		 1995.12.20 수리 (Accepted) 1-1-1995-0203839-45
2 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1995.12.20 수리 (Accepted) 1-1-1995-0203838-00
3 특허출원서
Patent Application		 1995.12.20 수리 (Accepted) 1-1-1995-0203837-54
4 출원인정보변경 (경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1997.04.29 수리 (Accepted) 1-1-1995-0203840-92
5 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1997.08.25 수리 (Accepted) 1-1-1995-0203841-37
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 1998.09.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1995-0107533-43
7 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period		 1998.11.21 수리 (Accepted) 1-1-1995-0755006-87
8 대리인사임신고서
Notification of resignation of agent		 1998.11.21 수리 (Accepted) 1-1-1995-0754984-25
9 거절사정서
Decision to Refuse a Patent		 1999.01.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-1999-0018244-90
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

산화층이 형성된 반도체기판을 성장실에 실장하고 소정의 온도를 기판에 가한상태에서 산화층 식각개스를 주입하는 동시에 레이저빔을 기판상에 주사하여 기판으로부터 반사된 레이저빔의 반사신호 주기를 분석하여 산화층의 식각완료를 감지하는 것을 특징으로 열식각에 의한 기판의 산화층 제거 완료 시간을 실시간으로 감지하는 방법

2 2

제1항에 있어서, 상기 레이저빔을 헬륨-네온 레이저빔을 사용함을 특징으로 하는 열식각에 의한 기판의 산화층 제거완료 시간을 실시간으로 감지하는 방법

3 3

제1항에 있어서, 상기 반사신호의 주기 Tp=L/2nG에 의해 계산되며, L은 레이저의 파장, n은 산화층의 유효굴적율, G는 식각속도를 나타내는 것을 특징으로 하는 열식각에 의한 기판의 산화층 제거완료 시간을 실시간으로 감지하는 방법

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 JP09181020 JP 일본 FAMILY
2 US05748319 US 미국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 JP9181020 JP 일본 DOCDBFAMILY
2 JPH09181020 JP 일본 DOCDBFAMILY
3 US5748319 US 미국 DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.