맞춤기술찾기

이전대상기술

급속열처리가능한SI계박막증착용특수광화학반응로

  • 기술번호 : KST2015102256
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 내용 없음
Int. CL H01L 21/00 (2006.01)
CPC C23C 16/483(2013.01) C23C 16/483(2013.01) C23C 16/483(2013.01)
출원번호/일자 1019880011867 (1988.09.14)
출원인 한국전자통신연구원, 주식회사 케이티
등록번호/일자 10-0062202-0000 (1993.05.24)
공개번호/일자 10-1990-0005550 (1990.04.14) 문서열기
공고번호/일자 1019930001193 (19930220) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항 심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1988.09.14)
심사청구항수 5

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
2 주식회사 케이티 대한민국 경기도 성남시 분당구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 김호영 대한민국 충남대전시동구
2 김윤태 대한민국 충남대전시서구
3 유형준 대한민국 충남대전시중구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 김영길 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 대흥빌딩 ***호 (역삼동)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한국전기통신공사 대한민국 서울특별시종로구
2 재단법인한국전자통신연구소 대한민국 대전직할시유성구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent
1988.09.14 수리 (Accepted) 1-1-1988-0068737-76
2 출원심사청구서
Request for Examination
1988.09.14 수리 (Accepted) 1-1-1988-0068736-20
3 특허출원서
Patent Application
1988.09.14 수리 (Accepted) 1-1-1988-0068735-85
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
1991.11.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1988-0038487-02
5 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period
1991.12.21 수리 (Accepted) 1-1-1988-0068738-11
6 의견서
Written Opinion
1992.01.30 수리 (Accepted) 1-1-1988-0068739-67
7 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.
1992.01.30 수리 (Accepted) 1-1-1988-0068740-14
8 거절사정서
Decision to Refuse a Patent
1992.05.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1988-0038489-93
9 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
1992.05.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1988-0038488-47
10 의견서
Written Opinion
1992.06.18 수리 (Accepted) 1-1-1988-0068741-59
11 출원공고결정서
Written decision on publication of examined application
1993.01.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1988-0038491-85
12 등록사정서
Decision to grant
1993.05.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1988-0038492-20
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
1999.01.20 수리 (Accepted) 4-1-1999-0010652-29
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2000.01.14 수리 (Accepted) 4-1-2000-0005008-66
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2002.04.09 수리 (Accepted) 4-1-2002-0032774-13
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.03.13 수리 (Accepted) 4-1-2009-5047686-24
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2010.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2010-5068437-23
21 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.01.10 수리 (Accepted) 4-1-2012-5005621-98
22 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.03.21 수리 (Accepted) 4-1-2012-5058926-38
23 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.06.08 수리 (Accepted) 4-1-2012-5122434-12
24 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.07.31 수리 (Accepted) 4-1-2013-5106568-91
25 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.02.11 수리 (Accepted) 4-1-2014-5018159-78
26 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

광화학 반응이 일어나는 반응로 몸체(A)와, 상기 반응로 몸체의 상부에 위치하되 상부의 자외선을 공급하는 자외선을 공급하는 자외선 노광장치(B)와, 상기 반응로 몸체의 하부에 설치되어 하부의 기판가열을 위한 적외선 가열장치(C)로 이루어져 고집적 IC의 공정중 각종 박막을 증착시키는 광화학 증착장치에 있어서, 상기 반응로 몸체를 중심으로 상ㆍ하부에 설치된 사각형의 자외선 입사창(112)과자외선으로 차단하고 적외선을 투과하는 적외선 투과창(102)과, 상기 자외선 입사창의 하부 일측에 불활성 개스를 분사하는 직사각형 노즐을 갖는 개스분사기(111)와, 상기 개스분사기의 하부 일측으로 분사높이를 조절하는 반응 개스 플랜지(109)와 분사기 교환기(106) 및 직사각형의 노즐이 순차적으로 형성된 개스 분사기(105)를 포함한 것을 특징으로 하는 급속열처리 가능한 Si계 박막증착용 특수 광화학 반응로

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.