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마이크로 자이로스코프 및 그 제조 방법과 이를 이용한각속도 측정 방법

  • 기술번호 : KST2015102257
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 1. 청구범위에 기재된 발명이 속한 기술분야본 발명은 마이크로 자이로스코프에 관한 것으로, 특히 미세가공기술로 제작 가능한 압전 박막을 이용하여 가진 및 검출이 동일한 평면상에서 이루어지도록 하는 마이크로 자이로스코프 및 그 제조 방법과 이를 이용한 각속도 측정 방법에 관한 것이다.2. 발명이 해결하려고 하는 기술적 과제실리콘 미세가공기술을 이용해 정전기력 및 자기력으로 구동되는 종래의 진동형 마이크로 자이로스코프는 진동 방향과 수직한 방향으로 발생하는 코리올리 힘을 이용하여 각속도를 측정하게 되는데, 공기 감쇠의 효과를 줄여 감도를 높이기 위해서는 진공 패키징이 요구되며, 가진과 검출의 진동 모드를 가능한 정확히 조율해야 하는 문제점이 발생한다.3. 발명의 해결 방법의 요지본 발명은 센서의 구조가 실리콘, 압전 박막 및 금속의 적층형으로 구성되어 있어 반도체 제조 공정으로 구현이 가능하고, 직선적으로 전파되는 진행파를 압전박판에 발생시켰을 때 외부 회전 각속도에 의해 받게되는 코리올리 힘을 전기적 신호로 검출되도록 함으로써, 가진 및 검출이 동일한 평면상에서 이루어지게 되어 제작공정이 단순화되며 진공 패키징 및 주파수 조율이 필요 없는 저가의 고감도 각속도를 제시한다.
Int. CL G01C 19/56 (2006.01) G01C 23/00 (2006.01)
CPC G01P 9/04(2013.01) G01P 9/04(2013.01)
출원번호/일자 1019970039495 (1997.08.20)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0233829-0000 (1999.09.14)
공개번호/일자 10-1999-0016809 (1999.03.15) 문서열기
공고번호/일자 (19991201) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1997.08.20)
심사청구항수 10

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이창승 대한민국 대전광역시 유성구
2 이종현 대한민국 대전광역시 유성구
3 홍윤식 대한민국 서울특별시 성동구
4 노광수 대한민국 대전광역시 유성구
5 유형준 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 신영무 대한민국 서울특별시 강남구 영동대로 ***(대치동) KT&G타워 *층(에스앤엘파트너스)
2 최승민 대한민국 서울특별시 중구 통일로 **, 에이스타워 *층 (순화동)(법무법인 세종)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
1997.08.20 수리 (Accepted) 1-1-1997-0125994-75
2 출원심사청구서
Request for Examination
1997.08.20 수리 (Accepted) 1-1-1997-0125996-66
3 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent
1997.08.20 수리 (Accepted) 1-1-1997-0125995-10
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
1999.03.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-1999-0107081-10
5 의견서
Written Opinion
1999.05.27 수리 (Accepted) 1-1-1999-5199046-93
6 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.
1999.05.27 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-1999-5199047-38
7 등록사정서
Decision to grant
1999.06.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-1999-0206897-93
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
10 [대리인사임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Resignation of Agent] Report on Agent (Representative)
2008.11.06 수리 (Accepted) 1-1-2008-5055008-50
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
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번호 청구항
1 1

마이크로 자이로스코프를 이용한 각속도 측정 방법에 있어서,

가진 전극에 고주파수의 전기적 신호를 인가하여 압전 박판을 진동시켜 직선적 진행파를 발생시키는 단계와,

진동하는 압전 박판에 외부 회전 각속도를 인가하여 코리올리의 힘을 발생시키는 단계와,

상기 코리올리 힘에 의하여 변화되는 상기 진행파의 위상차나 속도지연, 파형의 일그러짐 등 진행파의 특성을 검출 전극에서 전기적 신호로 측정하는 단계로 이루어진 것을 특징으로 하는 마이크로 자이로스코프를 이용한 각속도 측정 방법

2 2

제 1 항에 있어서,

상기 압전 박판은 비대칭 형태로 진동하는 진행파를 이용하는 것을 특징으로 하는 마이크로 자이로스코프를 이용한 각속도 측정 방법

3 3

마이크로 자이로스코프에 있어서,

중앙부에 공동이 형성되어 있는 실리콘 기판과,

상기 실리콘 기판 상부에 증착되되, 구조층, 및 압전 박막이 순차적으로 증착되는 구조를 갖는 압전 박판과,

상기 압전 박막 상의 한쪽 단부에 형성되며, 고주파수의 전기적 신호에 의하여 상기 압전 박판을 진동시켜 진행파를 발생시키는 가진 전극과,

상기 가진 전극의 반대쪽 단부에 형성된 검출 전극으로 이루어져, 상기 압전 박판에 외부 회전 각속도를 인가하여 발생되는 코리올리 힘에 의한 진행파의 파형 변화를 상기 검출 전극으로 검출되도록 하는 것을 특징으로 하는 마이크로 자이로스코프

4 4

제 3 항에 있어서,

상기 가진 전극은 외부의 신호 수단과 전기적으로 접속되어 고주파수의 전기적 신호가 인가되는 접속부와, 상기 접속부 선단 일측에 서로 수평 상태로 구성되는 다수의 전극부로 이루어진 제1전극과, 상기 제1전극의 접속부와 서로 이격되며 외부의 신호 수단과 전기적으로 접속되어 고주파수의 전기전 신호가 인가되는 접속부와, 상기 접속부 선단 일측에 서로 수평 상태로 구성되되, 상기 제1전극의 각 전극부의 사이 사이에 배치되는 다수의 전극부로 이루어진 제2전극으로 이루어지고, 상기 검출 전극은 외부의 검출 수단과 접속되는 접속부와, 상기 접속부 선단 일측에 서로 수평 상태로 구성되는 다수의 전극부의 이루어진 제1전극과, 상기 제l전극의 접속부와 서로 이격되어 외부의 검출 수단과 접속되는 접속부와, 상기 접속부 선단 일측에 서로 수평 상태로 구성되되, 상기 제1전극의 각 전극부의 사이사이에 배치되는 다수의 전극부로 이루어진 제2전극으로 이루어진 것을 특징으로 하는 마이크로 자이로스코프

5 5

제 3 항에 있어서,

상기 구조층과 압전 박막 사이에 하부 전극이 추가된 박판 구조를 갖는 것을 특징으로 하는 마이크로 자이로스코프

6 6

제 3 항에 있어서,

상기 압전 박판은 비대칭 형태로 진동하는 진행파를 이용하는 것을 특징으로 하는 마이크로 자이로스코프

7 7

제 3 항에 있어서,

상기 하부 전극은 플레티늄(Pt), 알루미늄(Al) 및 금(Au) 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 마이크로 자이로스코프

8 8

제 3 항에 있어서,

상기 압전 박막은 PZT, ZnO 및 AlN 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 마이크로 자이로스코프

9 9

마이크로 자이로스코프의 제조 방법에 있어서,

중앙부에 공동이 형성된 실리콘 기판의 상기 공동에 희생층을 증착한 후 평탄화시켜 상기 실리콘 기판 상부를 평탄화 시키는 단계와,

상기 희생층을 포함하는 전체 구조 상부에 구조층을 증착한 후, 상기 구조층의 선택된 영역을 식각하여 식각된 영역을 통하여 희생층을 제거하는 단계와,

상기 구조층 상부에 하부 전극 및 압전 박막을 순차적으로 증착시켜 압전 박판을 형성하는 단계와,

상기 압전 박막 상의 한쪽 단부에 가진 전극을 증착하고 제 3 가진 전극을 상기 하부 전극과 전기적으로 접속시키는 단계와,

상기 가진 전극의 반대쪽에 검출 전극을 증착하는 단계로 이루어진 것을 특징으로 하는 마이크로 자이로스코프의 제조 방법

10 10

제 9 항에 있어서,

상기 구조층은 실리콘 질화막 또는 다결정 실리콘막인 것을 특징으로 하는 마이크로 자이로스코프의 제조 방법

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.