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입력단자에서 캐패시터(102)를 통하고, 그 캐패시터(102)의 앞과 뒤에서 타측이 접지된 캐패시터(101) 및 인덕터(103)를 통해서 입력신호를 정합시키는 입력정합부와; 상기 입력정합부의 캐패시터(102)와 인덕터(103)의 접속점에 게이트가 접속되고, 드레인단자가 저항(109)을 통해 전원에 연결되고, 소스 단자가 인덕터(105)를 통하고 병렬 연결된 저항(106) 및 캐패시터(107)를 통하여 접지단자에 연결되어 캐스케이드로 연결된 제 1 MESFET(104)와; 상기 제 1 MESFET(104)의 드레인 단자에서 캐패시터(111)를 통하고 타측이 접지된 저항(112)를 통해서 게이트가 연결되고, 소스단자가 병렬 연결된 저항(114) 및 캐패시터(115)를 통해서 접지단자에 연결된 제 2 MESFET(113)와; 그 제 2 MESFET(113)의 드레인 단자에서 캐패시터(117)를 통해서 출력을 하는 출력정합부와; 상기 입력단자, 접지단자, 전원단자 및 출력단자를 각각 외부단자에 연결시키는 본딩와이어(100),(120),(108, 116), (118)와, 상기 접지를 하나 또는 그 이상의 노드로 묶어서 외부로 연결할 때 와이어 본딩인덕턴스로 인한 안정도의 저하를 방지하기 위해 상기 제 1MESFET(104)의 드레인 단자와 접지단자 사이에 연결된 캐패시터(110)로 이루어진 안정화 수단으로 구성된 것을 특징으로 하는 초고주파 모노리식 저잡음 증폭기
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