제1도전형의 실리콘 반도체 기판(40)을 사용하여 형성된 다공질 실리콘 산화물 기판과; 상기 다공질 산화물 기판 위의 활성영역 내에 순차로 적층된 다공질의 형성을 위한 양극반응이 일어나지 않는 제2도전형의 차폐층(41) 및 능동소자의 형성을 위한 활성층(42, 43)과; 상기 활성영역의 양측에서 상기 활성층의 표면으로부터 소정의 깊이까지 각각 형성하되, 적어도 상기 다공질실리콘 산화물 기판의 상부의 일부까지 각각 형성되는 두개의 트렌치와; 상기 다공질실리콘 산화물 기판의 양측으로부터 상기 다공질 실리콘 산화물 기판의 양측면에 각각 인접한 상기 두 트렌치의 외측면까지 사이의 다공질실리콘 산화물 기판 위에, 상기 차폐층(41)의 두께 및 상기 활성층(42, 43)의 두께의 합 또는 그 이상의 두께로 형성되는 다공질실리콘 산화물 층을 포함하고; 상기 트렌치의 내측은 절연물질(47~50)로 채워지는 것을 특징으로 하는 모노리틱마이크로웨이브 집적회로용 기판

제1항에 있어서, 상기 실리콘 반도체 기판(40)은 P형의 도전성을 갖고, 상기 차폐층(41)은 N-형의 도전성의 실리콘 에피택셜 층인 것을 특징으로 하는 모노리틱마이크로웨이브 집적회로용 기판

제1불순물이 균일하게 도핑된 그리고 제1도전형의 실리콘 기판(40) 위에, 산화막을 성장시키는 공정(a)과; 활성영역을 정의하고 비활성영역에 제2불순물을 주입하고 확산시켜 고농도의 상기 제2도전형의 확산층(40a)을 형성하고, 상기 제2불순물이 소정의 농도로 균일하게 도핑된 제2도전형의 제1실리콘 에피택셜 층(41)을 성장시키는 공정(b)과; 상기 제1실리콘 에피택셜 층(41)의 농도보다 큰 농도로 상기 제2불순물이 도핑된, 약 2

제3항에 있어서, 상기 다공질실리콘 산화층 형성 공정은 약 900℃ 정도의 온도와 H2/O2 분위기에서 약 1 시간 동안 수행되는 것을 특징으로 하는 모노리틱마이크로웨이브 집적회로용 기판의 제조방법