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저온게이트산화막의제조방법

  • 기술번호 : KST2015102285
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 반도체 장치의 제조에 있어서 웨이퍼상에 게이트산화막을 형성하는 방법에 관한 것으로서, 그 방법은 상기 실리콘웨이퍼(10)상에 고압산화성장법으로 제1산화막(20)을 성장하는 산화막성장공정과; 상기 제1산화막(20)상에 산화막증착법으로 제2산화막(30)을 증착하는 산화막증착공정을 포함하는 것을 특징한다. 이로써, 실리콘웨이퍼와 산화막사이의 계면특성이 좋은 소자를 제조할 수 있다.
Int. CL H01L 21/316 (2006.01) H01L 21/31 (2006.01)
CPC H01L 21/823462(2013.01) H01L 21/823462(2013.01) H01L 21/823462(2013.01) H01L 21/823462(2013.01)
출원번호/일자 1019930028483 (1993.12.18)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0125061-0000 (1997.10.01)
공개번호/일자 10-1995-0021264 (1995.07.26) 문서열기
공고번호/일자 1019970009978 (19970619) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1993.12.18)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 유병곤 대한민국 대전직할시서구
2 송윤호 대한민국 대전직할시대덕구
3 남기수 대한민국 대전직할시유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김영길 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 대흥빌딩 ***호 (역삼동)
2 이화익 대한민국 서울시 강남구 테헤란로*길** (역삼동,청원빌딩) *층,***,***호(영인국제특허법률사무소)
3 김명섭 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 *, 테헤란오피스빌딩 ***호 시몬국제특허법률사무소 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 1993.12.18 수리 (Accepted) 1-1-1993-0142996-61
2 출원심사청구서
Request for Examination		 1993.12.18 수리 (Accepted) 1-1-1993-0142998-52
3 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1993.12.18 수리 (Accepted) 1-1-1993-0142997-17
4 대리인사임신고서
Notification of resignation of agent		 1994.02.22 수리 (Accepted) 1-1-1993-0142999-08
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 1997.01.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1993-0067617-83
6 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 1997.03.13 수리 (Accepted) 1-1-1993-0143001-47
7 의견서
Written Opinion		 1997.03.13 수리 (Accepted) 1-1-1993-0143000-02
8 출원인정보변경 (경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1997.04.21 수리 (Accepted) 1-1-1993-0143002-93
9 출원공고결정서
Written decision on publication of examined application		 1997.05.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1993-0067618-28
10 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1997.07.28 수리 (Accepted) 1-1-1993-0143003-38
11 등록사정서
Decision to grant		 1997.09.10 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1993-0067619-74
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
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번호 청구항
1 1

실리콘웨이퍼(10)상에 저온 게이트 산화막을 형성하는 제조방법에 있어서, 상기 실리콘웨이퍼(10)상에 25기압으로 가압된 석영관내에 600℃의 산화온도에서 02가스를 주입하는 고압산화 성장법으로 제1산화막(20)을 성정하는 산화막성장공정과, 상기 제1산화막(20)상에 600℃ 이하의 온도에서PECVD법, LPCVD법 또는 스퍼터링법에 의한 산화막 증착법으로 제2산화막(30)을 증착하는 산화막 증착공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 저온 게이트 산화막의 제조방법

2 2

제1항 있어서, 상기 산화막 성장공정은 상기 조건에서 오존(O3)가스를 주입하는 것을 특징으로 하는 저온 게이트 산화막의 제조방법

3 3

제 1항에 있어서, 상기 산화막성장공정은 산화중에 마지막 3 내지 5분동안 02가스에 대한 1 내지 3%의 분율의 C2H3Cl3를 상기 석영관내로 도입하는 것을 특징으조 하는 저온 게이트 산화막의 제조방법

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.