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제1도전형의 반도체기판과, 상기 반도체기판의 상부에 형성된 제1도전형의 완충층과, 상기 완충층의 상부에 불순물이 도핑되지 않고 형성된 제1클래드층과, 상기 제1클래드층의 상부에 불순물이 도핑되지 않은 상기 제1클래드층 보다 광굴절률이 큰 물질이 양자우물 구조로 형성된 활성층과, 상기 활성층의 상부에 불순물이 도핑되지 않은 상기 활성층보다 광굴절률이 작은 상기 제1클래드층과 동일한 물질로 형성된 제2클래드층과, 상기 제2클래드층 상부의 소정 부분에 소정 폭을 가지며 길이 방향으로 길게 형성된 제2도전형의 제3클래드층과, 상기 제3클래드층의 상부에 형성된 불순물이 고농도로 도핑된 제2도전형의 오믹접촉층과, 상기 제3클래드층이 형성되지 않은 제2클래드층의 상부에 형성된 절연층과, 상기 반도체기판의 하부 표면에 형성된 제1도전형 전극과, 상기 오믹접촉층의 상부에 인접하는 것과 소정 거리 이격된 다수 개의 빗살을 갖는 빗의 형상을 이루어 길이 방향과 수직을 이루게 형성된 제2도전형 전극을 포함하는 레이저 다이오드
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제1항에 있어서, 상기 반도체기판이 Si이 도핑된 GaAs로 이루어진 레이저 다이오드
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제1항에 있어서, 상기 활성층이 InGaAs/InGaAsP가 하나의 쌍을 이루는 다수 개의 쌍이 500~1500Å의 두께로 결정 성장된 레이저 다이오드
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제1항에 있어서, 상기 활성층이 InGaAs가 60~120Å의 두께로 결정 성장된 레이저 다이오드
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제1항에 있어서, 상기 제1 및 제2클래드층이 InGaAsP가 400~900Å의 두께로 결정 성장된 레이저 다이오드
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제1항에 있어서, 상기 제2도전형 전극의 빗살들이 밝은 광의 최소 길이 보다 작고 전하의 확산 거리 보다 큰 이격 거리를 갖는 레이저 다이오드
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제6항에 있어서, 상기 빗살들의 이격 거리가 10~30㎛인 레이저 다이오드
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제1도전형의 반도체기판과, 상기 반도체기판의 상부에 형성된 제1도전형의 완충층과, 상기 완충층의 상부에 불순물이 도핑되지 않고 형성된 제1클래드층과, 상기 제1클래드층의 상부에 불순물이 도핑되지 않은 상기 제1클래드층 보다 광굴절률이 큰 물질이 양자우물 구조로 형성된 활성층과, 상기 활성층의 상부에 불순물이 도핑되지 않은 상기 활성층보다 광굴절률이 작은 상기 제1클래드층과 동일한 물질로 형성된 제2클래드층과, 상기 제2클래드층 상부의 소정 부분에 폭을 주기적으로 변화되어 길이 방향으로 길게 형성된 제 2도전형의 제3클래드층과, 상기 제3클래드층의 상부에 형성된 불순물이 고농도로 도핑된 제2도전형의 오믹접촉층과, 상기 제3클래드층이 형성되지 않은 제2클래드층의 상부에 형성된 절연층과, 상기 반도체기판의 하부 표면에 형성된 제1도전형 전극과, 상기 오믹접촉층의 상부에 상기 오믹접촉층을 층분히 덮도록 직사각형으로 형성된 제2도전형 전극을 포함하는 레이저 다이오드
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