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선택적결정성장법을이용한쌍극자트랜지스터의제조방법

  • 기술번호 : KST2015102347
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 컴퓨터나 통신기기 등의 고속 정보처리 시스템에 유용한 고속 쌍극자 트랜지스터의 제조방법에 관한 것으로서, 특히 선택적 결정성장법을 이용한 초자기 정렬(super self-aligned) 쌍극자(bipolar) 트랜지스터의 제조방법에 관한 것이다.본 발명은 다층의 산화막 위에 고농도로 불순물이 첨가된 다결정실리콘을 형성하고, 이 다결정실리콘을 이용하여 활성영역을 정의하고, 정의된 영역에 선택적 결정성장법으로 컬렉터와 베이스를 순차적으로 성장하고, 측면 절연막을 이용하여 베이스와 에미터를 격리시킨 후, 에미터를 형성하는 방법으로 구성된다.
Int. CL H01L 29/72 (2006.01)
CPC H01L 29/66242(2013.01) H01L 29/66242(2013.01)
출원번호/일자 1019940023648 (1994.09.16)
출원인 한국전자통신연구원, 주식회사 케이티
등록번호/일자 10-0144831-0000 (1998.04.23)
공개번호/일자 10-1996-0012537 (1996.04.20) 문서열기
공고번호/일자 (19980701) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1994.09.16)
심사청구항수 3

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
2 주식회사 케이티 대한민국 경기도 성남시 분당구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 한태현 대한민국 대전직할시유성구
2 염병렬 대한민국 대전직할시유성구
3 이수민 대한민국 대전직할시유성구
4 조덕호 대한민국 대전직할시유성구
5 이성현 대한민국 대전직할시유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김영길 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 대흥빌딩 ***호 (역삼동)
2 이화익 대한민국 서울시 강남구 테헤란로*길** (역삼동,청원빌딩) *층,***,***호(영인국제특허법률사무소)
3 김명섭 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 *, 테헤란오피스빌딩 ***호 시몬국제특허법률사무소 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
2 주식회사 케이티 대한민국 경기도 성남시 분당구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 출원심사청구서
Request for Examination		 1994.09.16 수리 (Accepted) 1-1-1994-0107225-68
2 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1994.09.16 수리 (Accepted) 1-1-1994-0107224-12
3 특허출원서
Patent Application		 1994.09.16 수리 (Accepted) 1-1-1994-0107223-77
4 출원인정보변경 (경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1997.04.03 수리 (Accepted) 1-1-1994-0107226-14
5 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1997.08.19 수리 (Accepted) 1-1-1994-0107227-59
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 1998.01.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1994-0060227-17
7 대리인사임신고서
Notification of resignation of agent		 1998.03.18 수리 (Accepted) 1-1-1994-0107230-97
8 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 1998.03.18 수리 (Accepted) 1-1-1994-0107228-05
9 의견서
Written Opinion		 1998.03.18 수리 (Accepted) 1-1-1994-0107229-40
10 등록사정서
Decision to grant		 1998.03.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1994-0060228-52
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1999.01.20 수리 (Accepted) 4-1-1999-0010652-29
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2000.01.14 수리 (Accepted) 4-1-2000-0005008-66
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.04.09 수리 (Accepted) 4-1-2002-0032774-13
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.03.13 수리 (Accepted) 4-1-2009-5047686-24
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2010.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2010-5068437-23
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.01.10 수리 (Accepted) 4-1-2012-5005621-98
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.03.21 수리 (Accepted) 4-1-2012-5058926-38
21 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.06.08 수리 (Accepted) 4-1-2012-5122434-12
22 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.07.31 수리 (Accepted) 4-1-2013-5106568-91
23 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.11 수리 (Accepted) 4-1-2014-5018159-78
24 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

제1도전형 불순물이 첨가된 기판(21)위에 제2도전형 불순물이 첨가된 서브-컬렉터(22)를 형성하고, 다층 절연막(13) 패턴을 이용한 트렌치 공정으로 소자를 격리시키는 소자 격리 단계; 소자격리가 완료된 기판(21) 상에 컬렉터 두께에 해당되는 두께를 갖는 적어도 하나의 산화막과 제1도전형 불순물이 첨가된 베이스 전극용 다결정 실리콘(26′), 및 적어도 하나의 절연막들을 순차적으로 형성한 후 패터닝하여 활성영역(31)과 컬렉터 접점영역(31′)을 정의하는 단계; 상기 공정을 통하여 패터닝된 비활성 베이스(26)와 절연막들의 측면에 측면질화막(32)을 형성하고, 이들 패턴을 이용한 자기정렬 방식으로 제2도전형 불순물이 첨가된 컬렉터(23)를 선택적으로 성장시키고, 컬렉터 접점영역(31′)에 선택적으로 제2전도형 불순물을 이온 주입하고 열처리하여 컬렉터 싱커를 형성하고 다시 측면질화막이 제거된 상기 패턴을 이용하여 제1도전형 불순물이첨가된 베이스(25)를 선택적으로 성장시키는 단계; 및 다수의 사진식각 공정을 이용하여 상기 베이스(25)와 에미터를 격리시키기 위한 측면절연막(12)들을 형성하고 제2전도형 불순물이 첨가된 에미터 다결정 실리콘을 형성한 후 열처리하여 에미터(28)를 형성하는 단계로 이루어진 것을 특징으로 하는 선택적 결정성장법을 이용한 쌍극자 트랜지스터의 제조방법

2 2

제1항에 있어서, 상기 베이스(25)가 Si, SiGe, Si/SiGe 및 Si/SiGe/Si 중의 어느 하나로 이루어진 것을 특징으로 하는 쌍극자 트랜지스터의 제조방법

3 3

제1항에 있어서, 상기 베이스 전극용 다결정실리콘(26′)과 에미터 전극(27)을 인-시츄(in-situ) 또는 이온주입 후 열처리하는 공정으로 불순물을 첨가하는 것을 특징으로 하는 선택적 결정성장법을 이용한 쌍극자 트랜지스터의 제조방법

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.