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튜너블 레이저 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015102352
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 표면형 반도체 레이저 제조 방법에 관한 것으로, WDM을 위한 차세대 레이저에서 파장의 안정성을 유지하기 위한 본 발명은 활성층 내부의 클래딩층을 저온에서 성장시키고, 상부 및 하부 초격자 거울층과 활성층 내부의 양자 우물 구조층을 고온에서 성장시킨 후 형성된 구조에 고온 열처리 공정을 실시함으로써 개별적인 소자들의 레이저 파장을 원하는 대로 쉽고 정확하게 조절할 수 있으며 일단 열처리에 의해 파장 조절이 끝난 소자들은 재료 특성상 안정되어 시간에 따른 소자의 레이징 특성 변화를 일으키지 않는 튜너블 레이저 제조 방법이 제시된다.
Int. CL H01S 3/02 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1019970003863 (1997.02.10)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0237188-0000 (1999.10.06)
공개번호/일자 10-1998-0067653 (1998.10.15) 문서열기
공고번호/일자 (20000201) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1997.02.10)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이 번 대한민국 대전광역시 유성구
2 백종협 대한민국 대전광역시 서구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 신영무 대한민국 서울특별시 강남구 영동대로 ***(대치동) KT&G타워 *층(에스앤엘파트너스)
2 최승민 대한민국 서울특별시 중구 통일로 **, 에이스타워 *층 (순화동)(법무법인 세종)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 1997.02.10 수리 (Accepted) 1-1-1997-0012647-20
2 출원심사청구서
Request for Examination		 1997.02.10 수리 (Accepted) 1-1-1997-0012649-11
3 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1997.02.10 수리 (Accepted) 1-1-1997-0012648-76
4 등록사정서
Decision to grant		 1999.07.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-1999-0228872-67
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
7 [대리인사임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Resignation of Agent] Report on Agent (Representative)		 2008.11.06 수리 (Accepted) 1-1-2008-5055008-50
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
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번호 청구항
1 1

반도체 기판 상부에 제 1 초격자 거울층을 성장시키는 단계와,

상기 제 1 초격자 거울층 상부에 제 1 전자 구속층을 성장시키는 단계와,

상기 제 1 전자 구속층 상부에 양자 우물 구속층을 성장시키는 단계와,

상기 양자 우물 구속층 상부에 제 2 전자 구속층을 성장시키는 단계와,

상기 제 2 전자 구속층 상부에 제 2 초격자 거울층을 성장시키는 단계와,

전체 구조에 고온 열처리 공정을 실시하는 단계로 이루어진 것을 특징으로 하는 튜너블 레이저 제조 방법

2 2

제 1 항에 있어서, 상기 제 1 초격자 거울층, 양자 우물 구속층 및 제 2 초격자 거울층은 750℃ 이상의 고온에서 성장시키는 것을 특징으로 하는 튜너블 레이저 제조 방법

3 3

제 1 항에 있어서, 상기 제 1 및 제 2 전자 구속층은 650℃ 이하의 저온에서 성장시키는 것을 특징으로 하는 튜너블 레이저 제조 방법

4 4

제 1 항에 있어서, 상기 제 1 및 제 2 전자 구속층은 InAlAs 및 InGaAlAs 중 어느 하나로 이루어진 것을 특징으로 하는 튜너블 레이저 제조 방법

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 JP03263916 JP 일본 FAMILY
2 JP10321950 JP 일본 FAMILY
3 US05976903 US 미국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 JP10321950 JP 일본 DOCDBFAMILY
2 JP3263916 JP 일본 DOCDBFAMILY
3 JPH10321950 JP 일본 DOCDBFAMILY
4 US5976903 US 미국 DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.