맞춤기술찾기

홈으로 가기
맞춤기술찾기
이전대상기술
프린트하기

이전대상기술

절연막 형성 방법

  • 기술번호 : KST2015102353
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
상담신청 PDF 받기
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 저유전체 SiOxFy 박막의 흡습성 문제를 해결하기 위한 목적으로 배선 금속막 패턴이 형성된 반도체 기판에 SiOF 박막을 증착하고, 급속 열질화 방법으로 SiOxFy 상부에 절연막으로 질화 실리콘 산화막을 얇은 두께로 형성함으로써, 저유전율 특성을 유지시키면서 고신뢰성 특성을 함께 가질 수 있도록 한 절연막 형성 방법이 개시된다.
Int. CL H01L 21/318 (2006.01)
CPC H01L 21/02332(2013.01) H01L 21/02332(2013.01) H01L 21/02332(2013.01) H01L 21/02332(2013.01)
출원번호/일자 1019960044252 (1996.10.07)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0212467-0000 (1999.05.10)
공개번호/일자 10-1998-0025934 (1998.07.15) 문서열기
공고번호/일자 (19990802) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1996.10.07)
심사청구항수 4

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 강승열 대한민국 서울특별시 은평구
2 김윤태 대한민국 대전광역시 유성구
3 장원익 대한민국 대전광역시 유성구
4 백종태 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 신영무 대한민국 서울특별시 강남구 영동대로 ***(대치동) KT&G타워 *층(에스앤엘파트너스)
2 최승민 대한민국 서울특별시 중구 통일로 **, 에이스타워 *층 (순화동)(법무법인 세종)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1996.10.07 수리 (Accepted) 1-1-1996-0153655-79
2 특허출원서
Patent Application		 1996.10.07 수리 (Accepted) 1-1-1996-0153654-23
3 출원심사청구서
Request for Examination		 1996.10.07 수리 (Accepted) 1-1-1996-0153656-14
4 출원인정보변경 (경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 1997.03.12 수리 (Accepted) 1-1-1996-0153657-60
5 등록사정서
Decision to grant		 1999.02.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-1999-0049632-17
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
8 [대리인사임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Resignation of Agent] Report on Agent (Representative)		 2008.11.06 수리 (Accepted) 1-1-2008-5055003-22
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

하지막 상부에 불소화 실리콘 산화막을 증착하는 단계와, 상기 불소화 실리콘 산화막 표면을 질화시켜 질화 실리콘 산화막을 형성하는 단계로 이루어진 것을 특징으로 하는 절연막 형성 방법

2 2

제1항에서 있어서, 상기 질화 실리콘 산화막은 급속 열질화 공정에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 절연막 형성 방법

3 3

제2항에 있어서, 상기 급속 열질화 공정은 질소 공급원 가스를 이용하는 것을 특징으로 하는 절연막 형성 방법

4 4

제3항에 있어서, 상기 질소 공급원 가스는 NH3 및 N2등을 포함하는 것을 특징으로 하는 절연막 형성 방법

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.