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광통신을 위한 회절격자 커플러를 포함하는 반도체집적회로 및 그 형성 방법

  • 기술번호 : KST2015102355
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 회절 격자 커플러를 갖는 반도체 집적회로 및 그 형성 방법을 제공한다. 반도체 집적회로는 회절 격자 아래에 배치된 적어도 하나의 반사체를 포함한다. 반사체는 회절 격자 아래의 피복층 및/또는 반도체 기판 내에 배치될 수 있다. 반사체는 광도파로 아래로 투과된 광신호의 일부를 광도로파로 되돌릴 수 있다. 이에 따라, 반도체 집적회로의 광 커플링 효율성을 향상시킬 수 있다.
Int. CL G02B 6/10 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1020070132341 (2007.12.17)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0918381-0000 (2009.09.15)
공개번호/일자 10-2009-0064952 (2009.06.22) 문서열기
공고번호/일자 (20090922) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2007.12.17)
심사청구항수 34

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 표정형 대한민국 서울 마포구
2 권오균 대한민국 대전 유성구
3 김경옥 대한민국 서울 강남구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 오세준 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 *길 ** *층(역삼동)(특허법인 고려)
2 권혁수 대한민국 서울특별시 강남구 언주로 ***, *층(삼일빌딩, 역삼동)(KS고려국제특허법률사무소)
3 송윤호 대한민국 서울특별시 강남구 언주로 *** (역삼동) *층(삼일빌딩)(케이에스고려국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2007.12.17 수리 (Accepted) 1-1-2007-0906000-40
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2008.12.12 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2009.01.14 수리 (Accepted) 9-1-2009-0002658-35
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
5 등록결정서
Decision to grant		 2009.08.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0360835-11
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
반도체 기판 상에 배치된 피복층(cladding layer); 상기 피복층 상에 배치된 광도파로 및 상기 광도파로 상에 배치된 회절 격자를 포함하는 회절 격자 커플러(grating coupler); 및 상기 회절 격자 아래의 상기 피복층 내에 형성된 적어도 하나의 반사체(reflector)를 포함하는 반도체 집적회로
2 2
청구항 1에 있어서, 상기 반사체는 상기 반도체 기판의 상부면과 평행한 평판 형태인 반도체 집적회로
3 3
청구항 2에 있어서, 상기 피복층 내에 복수의 상기 반사체들이 배치되고, 상기 반사체들은 차례로 적층되고, 상기 기판의 상부면에 수직한 방향으로 서로 이격된 반도체 집적회로
4 4
청구항 1에 있어서, 상기 반사체는 상기 반도체 기판의 상부면과 비평행(non-parallel)한 반사면을 포함하는 반도체 집적회로
5 5
청구항 4에 있어서, 상기 반사체는 상기 반도체 기판의 상부면에 대하여 경사진 반사면을 포함하는 반도체 집적회로
6 6
청구항 5에 있어서, 상기 피복층 내에 복수의 상기 반사체들이 배치되고, 상기 반사체들은 동일한 높이에서 상기 반도체 기판의 상부면과 평행한 일방향을 따라 배열된 반도체 집적회로
7 7
청구항 5에 있어서, 상기 각 반사체들의 두께는 옆으로 갈수록 증가하는 반도체 집적회로
8 8
청구항 4에 있어서, 상기 반사체는 격자 형태인 반도체 집적회로
9 9
청구항 1에 있어서, 상기 회절 격자는 서로 옆으로 이격된 복수의 돌출부들을 포함하되, 상기 각 돌출부들의 양측벽은 상기 반도체 기판의 상부면에 대하여 경사진 형태인 반도체 집적회로
10 10
반도체 기판 상에 배치된 피복층; 상기 피복층 상에 배치된 광도파로 및 상기 광도파로 상에 배치된 회절 격자를 포함하는 회절 격자 커플러; 및 상기 회절 격자 아래의 상기 반도체 기판 내에 형성되되, 상기 반도체 기판의 상부면에 대하여 비평행한 반사면을 포함하는 적어도 하나의 반사체를 포함하는 반도체 집적회로
11 11
청구항 10에 있어서, 상기 반사체는 상기 반도체 기판의 상부면에 대하여 경사진 반사면을 포함하는 반도체 집적회로
12 12
청구항 11에 있어서, 상기 반도체 기판 내에 복수의 상기 반사체들이 배치되고, 상기 반사체들은 동일한 높이에서 상기 반도체 기판의 상부면과 평행한 일방향을 따라 배열된 반도체 집적회로
13 13
청구항 11에 있어서, 상기 각 반사체들의 두께는 옆으로 갈수록 증가하는 반도체 집적회로
14 14
청구항 10에 있어서, 상기 반사체는 격자 형태인 반도체 집적회로
15 15
청구항 10에 있어서, 상기 회절 격자는 서로 옆으로 이격된 복수의 돌출부들을 포함하되, 상기 각 돌출부들의 양측벽은 상기 반도체 기판의 상부면에 대하여 경사진 형태인 반도체 집적회로
16 16
청구항 10에 있어서, 상기 회절격자 아래의 상기 피복층이 제거된 영역을 채우는 저굴절률 물질을 더 포함하되, 상기 저굴절률 물질은 상기 반도체 기판의 굴절률 보다 낮은 굴절률을 갖는 반도체 집적회로
17 17
차례로 적층된 반도체 기판, 피복층 및 반도체층을 포함하는 기판을 준비하는 단계; 원소 이온 주입 공정을 사용하여 상기 기판 내에 적어도 하나의 반사체를 형성하는 단계; 및 상기 반도체층을 패터닝하여 상기 피복층 상에 위치한 광도파로 및 상기 광도파로 상의 회절 격자를 포함하는 회절 격자 커플러를 형성하는 단계를 포함하되, 상기 반사체는 상기 회절 격자 아래에 형성되는 반도체 집적회로의 형성 방법
18 18
청구항 17에 있어서, 상기 반사체는 상기 피복층 내에 형성되는 반도체 집적회로의 형성 방법
19 19
청구항 17에 있어서, 상기 반사체는 상기 반도체 기판 내에 형성되는 반도체 집적회로의 형성 방법
20 20
청구항 17에 있어서, 상기 반사체를 형성하는 단계는, 상기 원소 이온 주입 공정 후에, 상기 기판에 어닐링 공정(annealing process)을 수행하는 단계는 더 포함하는 반도체 집적회로의 형성 방법
21 21
청구항 17에 있어서, 상기 반사체를 형성하는 단계는, 상기 기판 상에 개구부를 갖는 마스크 패턴을 형성하는 단계; 및 상기 마스크 패턴을 이온주입 마스크로 사용하여 원소 이온 주입 공정을 수행하는 단계를 포함하되, 상기 반사체는 상기 반도체 기판의 상부면과 평행한 평판 형태로 형성되는 반도체 집적회로의 형성 방법
22 22
청구항 21에 있어서, 상기 반사체를 형성하는 단계는, 상기 마스크 패턴을 마스크로 사용하여 서로 다른 주입 에너지를 갖는 복수의 원소 이온 주입 공정들을 순차적으로 수행하는 단계를 포함하되, 복수의 평판 형태의 반사체들이 상기 기판 내에 형성되고, 상기 반사체들은 차례로 적층되고, 상기 반사체들은 상기 반도체 기판의 상부면에 수직한 방향으로 서로 이격된 반도체 집적회로의 형성 방법
23 23
청구항 17에 있어서, 상기 반사체는 상기 반도체 기판의 상부면에 대하여 비평행한 반사면을 갖도록 형성하는 반도체 집적회로의 형성 방법
24 24
청구항 23에 있어서, 상기 반사체를 형성하는 단계는, 서로 다른 주입 에너지를 갖는 복수의 선택적 원소 이온 주입 공정들을 순차적으로 진행하여 복수의 원소 주입층들을 형성하는 단계를 포함하되, 상기 복수의 원소 주입층들은 동일한 폭으로 형성되고, 상기 복수의 원소 주입층들의 중심들을 지나는 가상선은 상기 반도체 기판의 상부면에 대하여 경사진 반도체 집적회로의 형성 방법
25 25
청구항 23에 있어서, 상기 반사체를 형성하는 단계는, 서로 다른 주입 에너지를 갖는 복수의 선택적 원소 이온 주입 공정들을 순차적으로 진행하여 복수의 원소 주입층들을 형성하는 단계를 포함하되, 상기 복수의 원소 주입층들은 차례로 적층되고, 상기 복수의 원소 주입층들의 폭들은 높아질수록 감소되고, 적층된 상기 복수의 원소 주입층들의 일측벽들은 서로 정렬된 반도체 집적회로의 형성 방법
26 26
청구항 23항에 있어서, 상기 반사체를 형성하는 단계는, 상기 기판 내에 제1 원소 이온 주입 공정을 수행하여 평판 형태의 제1 원소 주입층을 형성하는 단계; 및 상기 기판 내에 제2 원소 이온 주입 공정을 선택적으로 수행하여 상기 제1 원소 주입층 상에 복수의 제2 원소 주입층들을 형성하는 단계를 포함하되, 상기 제2 원소 주입층들은 상기 제1 원소 주입층의 폭에 비하여 작은 폭들을 갖고, 상기 제2 이온 주입층들은 상기 제1 이온 주입층과 접촉하고, 상기 제2 이온 주입층들은 옆으로 서로 이격된 반도체 집적회로의 형성 방법
27 27
청구항 17에 있어서, 상기 회절격자 커플러 아래의 피복층을 제거하는 단계; 및 상기 피복층의 제거된 영역을 저굴절률 물질로 채우는 단계를 더 포함하되, 상기 반사체는 상기 회절격자 커플러 아래의 상기 반도체 기판 내에 형성되는 반도체 집적회로의 형성 방법
28 28
차례로 적층된 반도체 기판, 피복층 및 반도체층을 포함하는 기판을 준비하는 단계; 상기 반도체층의 윗부분에 이온 주입 공정을 사용하여 화합물 패턴들을 형성하되, 상기 화합물 패턴들은 서로 옆으로 이격되고 경사진 양측벽을 갖도록 형성하는 단계; 및 상기 반도체층을 패터닝하여 상기 클레딩 상에 위치한 광도파로 및 상기 광도파로 상의 회절 격자를 포함하는 회절 격자 커플러를 형성하는 단계를 포함하되, 상기 회절 격자의 돌출된 부분은 상기 화합물 패턴들 사이의 상기 반도체층인 반도체 집적회로의 형성 방법
29 29
청구항 28에 있어서, 상기 화합물 패턴을 형성하는 단계는, 서로 다른 주입 에너지를 갖는 복수의 선택적 이온 주입 공정을 수행하여 복수의 화합물 원소 주입층들을 형성하는 단계를 포함하되, 상기 복수의 화합물 원소 주입층들은 동일한 폭으로 형성되고, 상기 복수의 화합물 원소 주입층의 중심들을 지나는 가상선은 상기 반도체 기판의 상부면에 대하여 경사진 반도체 집적회로의 형성 방법
30 30
청구항 28에 있어서, 상기 화합물 패턴을 형성하는 단계는, 상기 이온 주입 공정 후에 상기 기판에 어닐링 공정을 수행하는 단계를 더 포함하는 반도체 집적회로의 형성 방법
31 31
청구항 28에 있어서, 상기 화합물 패턴을 제거하는 단계를 더 포함하는 반도체 집적회로의 형성 방법
32 32
청구항 28에 있어서, 상기 기판 내에 원소 이온 주입 공정을 사용하여 상기 회절 격자 아래의 기판 내에 적어도 하나의 반사체를 형성하는 단계를 더 포함하는 반도체 집적회로의 형성 방법
33 33
청구항 32에 있어서, 상기 반사체는 상기 회절 격자 아래의 상기 피복층 내에 형성되는 반도체 집적회로의 형성 방법
34 34
청구항 32에 있어서, 상기 반사체는 상기 회절 격자 아래의 상기 반도체 기판 내에 형성되는 반도체 집적회로의 형성 방법
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