맞춤기술찾기

이전대상기술

갈륨비소 화합물 반도체 소자의 오믹전극 형성방법

  • 기술번호 : KST2015102390
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 갈륨비소 화합물 반도체 소자의 오믹전극 형성방법에 관한 것으로서, 반절연성의 갈륨비소 화합물 반도체 기판의 상부에 불순물이 도핑된 갈륨비소의 채널층과 불순물이 도핑되지 않은 길륨비소의 표면층을 순차적으로 결정 성장하는 공정과, 상기 표면층의 상부에 감광막을 도포하고 사진 방법에 의해 상기 표면층의 소정부분을 노출시키는 공정과, 상기 표면층의 노출된 부분과 감광막의 상부에 오믹 금속을 증착하는 공정과, 상기 감광막의 감광막 상부의 오믹 금속을 제거하고 상기 표면층 상부에 잔류하는 오믹 금속을 열처리하여 오믹전극을 형성하는 공정과, 상기 표면층과 오믹전극게이트의 상부에 감광막을 도포하고 사진 방법에 의해 상기 오믹전극 사이의 표면층의 소정부분을 노출시키는 공정과, 상기 감광막을 식각 마스크로 사용하여 상기 표면층의 노출된 부분을 식각하여 상기 채널층을 노출시키고 오믹금속을 증착하는 공정과, 상기 감광막과 감광막 상부의 오믹 금속을 제거하고 상기 채널층 상부에 잔류하는 오믹 금속을 열처리하여 게이트 전극을 형성하는 공정을 구비한다.따라서, 불순물이 도핑되지 않은 표면층을 식각하지 않고 오믹전극을 형성하므로 공정이 간단하고 오믹전극과 게이트 전극의 간격을 줄일 수 있어 소자 특성ㅇ이 열화되는 것을 방지할 수 있다.
Int. CL H01L 29/45 (2006.01)
CPC H01L 29/452(2013.01) H01L 29/452(2013.01)
출원번호/일자 1019950053643 (1995.12.21)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-1997-0052598 (1997.07.29) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1995.12.21)
심사청구항수 2

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 김해천 대한민국 대전광역시 유성구
2 이종람 대한민국 대전광역시 유성구
3 문재경 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 김영길 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 대흥빌딩 ***호 (역삼동)
2 원혜중 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 **, 서울빌딩 *층 (역삼동)
3 이화익 대한민국 서울시 강남구 테헤란로*길** (역삼동,청원빌딩) *층,***,***호(영인국제특허법률사무소)
4 김명섭 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 *, 테헤란오피스빌딩 ***호 시몬국제특허법률사무소 (역삼동)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
최종권리자 정보가 없습니다
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 출원심사청구서
Request for Examination
1995.12.21 수리 (Accepted) 1-1-1995-0207296-46
2 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent
1995.12.21 수리 (Accepted) 1-1-1995-0207295-01
3 특허출원서
Patent Application
1995.12.21 수리 (Accepted) 1-1-1995-0207294-55
4 출원인정보변경 (경정)신고서
Notification of change of applicant's information
1997.04.25 수리 (Accepted) 1-1-1995-0207297-92
5 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent
1997.08.25 수리 (Accepted) 1-1-1995-0207298-37
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
1998.10.14 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1995-0109478-76
7 대리인사임신고서
Notification of resignation of agent
1998.12.14 수리 (Accepted) 1-1-1995-0757701-47
8 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.
1998.12.14 수리 (Accepted) 1-1-1995-0757699-32
9 의견서
Written Opinion
1998.12.14 수리 (Accepted) 1-1-1995-0757700-02
10 거절사정서
Decision to Refuse a Patent
1998.12.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1995-0482102-29
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2001.04.19 수리 (Accepted) 4-1-2001-0046046-20
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2002.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065009-76
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

반절연성의 갈륨비소 화합물 반도체 기판의 상부에 불순물이 도핑된 갈륨비소의 채널층과 불순물이 도핑되지 않은 길륨비소의 표면층을 순차적으로 결정 성장하는 공정과, 상기 표면층의 상부에 감광막을 도포하고 사진 방법에 의해 상기 표면층의 소정부분을 노출시키는 공정과, 상기 표면층의 노출된 부분과 감광막의 상부에 오믹 금속을 증착하는 공정과, 상기 감광막의 감광막 상부의 오믹 금속을 제거하고 상기 표면층 상부에 잔류하는 오믹 금속을 열처리하여 오믹전극을 형성하는 공정과, 상기 표면층과 오믹전극게이트의 상부에 감광막을 도포하고 사진 방법에 의해 상기 오믹전극 사이의 표면층의 소정부분을 노출시키는 공정과, 상기 감광막을 식각 마스크로 사용하여 상기 표면층의 노출된 부분을 식각하여 상기 채널층을 노출시키고 오믹금속을 증착하는 공정과, 상기 감광막과 감광막 상부의 오믹 금속을 제거하고 상기 채널층 상부에 잔류하는 오믹 금속을 열처리하여 게이트 전극을 형성하는 공정을 구비하는 갈륨비소 화합물 반도체 소자의 오믹전극 형성방법

2 2

제1항에 있어서, 상기 오믹 금속을 800~1200Å두께의 AuGe의 250~300Å두께의 Ni이 이중구조로 형성하는 갈륨비소 화합물 반도체 소자의 오믹전극 형성방법

3
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.