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차동증폭형원적외선센서

  • 기술번호 : KST2015102807
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 차동증폭형으로 원적외선 센서를 구현하여, 상온에서도 원적외선의 수광효율이 좋을 뿐만 아니라, 원적외선 감지의 응답시간이 빠른 원적외선 센서에 관한 것이다.본 발명은 기술적인 수단은 SOI실리콘 기판상에 원적외선을 감지하도록 집적한 광검출용 수광다이오드(1)와 상기 수광다이오드(1)와 동일한 크기 및 모양으로 집적한 기준용 수광다이오드(2)를 형성하고, 상기 광검출용 수광다이오드(1)와 기준용 수광다이오드(2)에서 발생되는 전공 전류를 증폭하도록 이종접합 트랜지스터(3)(4)의 베이스를 상기 광검출용 수광다이오드(1)와 기준용 수광다이오드(2)에 접촉시켜서 구성한 것이다.
Int. CL G01J 1/42 (2006.01)
CPC G01J 1/44(2013.01) G01J 1/44(2013.01)
출원번호/일자 1019940040109 (1994.12.30)
출원인 주식회사 포스코, 주식회사 포스콘, 재단법인 포항산업과학연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-1996-0024302 (1996.07.20) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1994.12.30)
심사청구항수 3

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 주식회사 포스코 대한민국 경상북도 포항시 남구
2 주식회사 포스콘 대한민국 경상북도 포항시 남구
3 재단법인 포항산업과학연구원 대한민국 경북 포항시 남구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 정욱진 대한민국 경북포항시효자동산*
2 권영규 대한민국 경북포항시효자동산*
3 김광일 대한민국 경북포항시효자동산*
4 배영호 대한민국 경북포항시효자동산*

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김종윤 대한민국 서울특별시 강남구 선릉로 ***길 **(특허법인 신세기)
2 손원 대한민국 서울 강남구 언주로 **길 **, 대림아크로텔 *층(도곡동)(특허법인씨엔에스)
3 전준항 대한민국 서울특별시 강남구 언주로**길 **, 대림아크로텔 ****호 (도곡동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 출원심사청구서
Request for Examination		 1994.12.30 수리 (Accepted) 1-1-1994-0179205-76
2 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1994.12.30 수리 (Accepted) 1-1-1994-0179204-20
3 특허출원서
Patent Application		 1994.12.30 수리 (Accepted) 1-1-1994-0179203-85
4 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 1995.03.11 수리 (Accepted) 1-1-1994-0179206-11
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 1997.06.04 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1994-0099393-79
6 거절사정서
Decision to Refuse a Patent		 1997.11.12 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1994-0099394-14
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2000.01.21 수리 (Accepted) 4-1-2000-0007991-58
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.03.21 수리 (Accepted) 4-1-2002-0027128-10
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2002-0043593-03
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2002-0043602-26
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.13 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065864-86
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2004.03.03 수리 (Accepted) 4-1-2004-0009317-01
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2004.06.15 수리 (Accepted) 4-1-2004-0025494-38
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2005.03.04 수리 (Accepted) 4-1-2005-5020373-24
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2008.03.14 수리 (Accepted) 4-1-2008-5040421-01
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.05.14 수리 (Accepted) 4-1-2013-0019112-38
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2016.09.28 수리 (Accepted) 4-1-2016-5138263-79
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2018.04.30 수리 (Accepted) 4-1-2018-5077322-80
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.09.25 수리 (Accepted) 4-1-2019-5200802-82
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.09.30 수리 (Accepted) 4-1-2019-5204006-48
21 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.10.10 수리 (Accepted) 4-1-2019-5211042-46
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

SOI실리콘 기판상에 원적외선을 감지하도록 집적한 광검출용 수광다이오드(1)와 상기 수광다이오드와 동일한 크기 및 모양으로 집적한 기준용 수광다이오드(2)를 형성하고, 싱기 광검출용 수광다이오드(1)와 기준용 수광다이오드(2)에서 발생되는 전공 전류를 증폭하도록 이종접합 트랜지스터(3)(4)의 베이스를 상기 광검출용 수광다이오드(1)와 기준용 수광다이오드(2)에 접촉시켜서 구성함을 특징으로 하는 차동증폭헝 원적외선 센서

2 2

제1항에 있어서, 원적외선 센서에서 기준 수광다이오드는 원적외선을 감지하지 못하도록 알루미늄 차단막(5)을 설치함을 특징으로 하는 차동증폭형 원적외선 센서

3 3

제1항에 있어서, 상기 각각의 이종접합 트랜지스터 에미터 공통접지 저항(6)은 SOI층 아래의 실리콘 기판을 사용하며, 접지 저항의 크기는 실리콘 기판의 면저항으로 결정하는 방식을 사용함을 특징으로 하는 차동증폭형 원적외선 센서

4
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.