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이중매몰산화층을갖는규소기판및그제조방법

  • 기술번호 : KST2015102823
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 내고온성, 내방사성등이 필요한 고성능집적회로 및 고온용센서의 기판재로로 사용되는 내부에 매몰 절연층(매몰산화층)이 존재하는 규소기판(silicon-on-insulator)및 그 제조방법에 관한 것으로써, 이중 매몰산화층을 갖는 규소기판, 및 SDB법과 SIMOX법을 조합하여 매몰산화층을 이중으로 형성시킴으로써, 얇고 균질한 표면 규소층을 재현성 있게 얻을수 있을 뿐만 아니라 비교적 넓은 범위의 매몰산화층을 얻을 수 있는 규소기판의 제조방법을 제공하고자 하는데 그 목적이 있다. 본 발명은 표면으로부터 제2단결정 규소층, 산화규소로 이루어진 제2매몰 산화층, 제1단결정 규소층, 산화규소로 이루어진 제1매몰산화층, 및 규소기판으로 이루어진 이중 매몰 산화층을 갖는 규소기판 및 그 제조방법을 그 요지로 한다.
Int. CL H01L 21/20 (2006.01)
CPC H01L 21/76243(2013.01) H01L 21/76243(2013.01) H01L 21/76243(2013.01)
출원번호/일자 1019940033447 (1994.12.09)
출원인 주식회사 포스코, 재단법인 포항산업과학연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-1996-0026116 (1996.07.22) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1994.12.09)
심사청구항수 2

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 주식회사 포스코 대한민국 경상북도 포항시 남구
2 재단법인 포항산업과학연구원 대한민국 경북 포항시 남구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 배영호 대한민국 경북포항시효자동산*
2 권영규 대한민국 경북포항시효자동산*
3 김광일 대한민국 경북포항시효자동산*
4 정욱진 대한민국 경북포항시효자동산*

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김종윤 대한민국 서울특별시 강남구 선릉로 ***길 **(특허법인 신세기)
2 손원 대한민국 서울 강남구 언주로 **길 **, 대림아크로텔 *층(도곡동)(특허법인씨엔에스)
3 전준항 대한민국 서울특별시 강남구 언주로**길 **, 대림아크로텔 ****호 (도곡동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 출원심사청구서
Request for Examination		 1994.12.09 수리 (Accepted) 1-1-1994-0150476-19
2 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1994.12.09 수리 (Accepted) 1-1-1994-0150475-63
3 특허출원서
Patent Application		 1994.12.09 수리 (Accepted) 1-1-1994-0150474-17
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 1998.02.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1994-0083952-73
5 거절사정서
Decision to Refuse a Patent		 1998.06.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-1994-0083953-18
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2000.01.21 수리 (Accepted) 4-1-2000-0007991-58
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.03.21 수리 (Accepted) 4-1-2002-0027128-10
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2002-0043593-03
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2002-0043602-26
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.13 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065864-86
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2004.06.15 수리 (Accepted) 4-1-2004-0025494-38
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2005.03.04 수리 (Accepted) 4-1-2005-5020373-24
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.05.14 수리 (Accepted) 4-1-2013-0019112-38
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2016.09.28 수리 (Accepted) 4-1-2016-5138263-79
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2018.04.30 수리 (Accepted) 4-1-2018-5077322-80
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.09.25 수리 (Accepted) 4-1-2019-5200802-82
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.09.30 수리 (Accepted) 4-1-2019-5204006-48
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.10.10 수리 (Accepted) 4-1-2019-5211042-46
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

표면으로부터 제2단결정 규소층, 산화규소로 이루어진 제2매몰산화층, 제1단결정규소층, 제1단결정규소층, 산화규소로 이루어진 제1매몰산화층, 및 규소 기판으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 이중 매몰 산화층을 갖는 규소기판

2 2

산화규소층을 갖는 두개의 기판을 산화규소층이 서로 마주보게 적층한 다음, 열처리하여 완전히 접착시켜 산화규소로 이루어진 제1매몰 산화층을 형성하는 단계; 상기와 같이 접착된 기판 중 한쪽기판을 10~30㎛ 두께의 규소층만 남기고 연마하는 단계; 및 상기 규소층에 산화이온을 주입하고 열처리하여 표면으로부터 1㎛이내에 산화규소로 이루어진 제2의 매몰 산화층 및 제2의 매몰 산화층위에 50~250㎚ 두께의 단결정규산층을 형성시키는 단계로 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 이중매몰산화층을 갖는 규소기판의 제조방법

3
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.