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고온 하중연와 및 적하특성이 우수한 소결광 제조방법

  • 기술번호 : KST2015102935
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 분철광석과 석회석, 사문암 등에 열원으로 분코크스를 혼합하여 고로용 소결광을 제조하는데 있어서, 염기도(Cao/Sio2)를 1.70-1.85, MgO 성분을 1.70-1.80중량%로 조절하는 것을 특징으로 하는 고온하중연화 및 적하 특성이 우수한 소결광 제조 방법에 관한 것이다.
Int. CL C22B 1/16 (2006.01)
CPC C22B 1/16(2013.01) C22B 1/16(2013.01)
출원번호/일자 1019950056118 (1995.12.26)
출원인 주식회사 포스코, 재단법인 포항산업과학연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-1997-0043195 (1997.07.26) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1997.08.29)
심사청구항수 1

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 주식회사 포스코 대한민국 경상북도 포항시 남구
2 재단법인 포항산업과학연구원 대한민국 경북 포항시 남구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 조용환 대한민국 경상북도 포항시 남구
2 정성실 대한민국 부산광역시 동구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 홍재일 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 *** (삼성동) 삼영빌딩 *층(홍앤홍국제특허법률사무소)
2 김수진 대한민국 서울특별시 강남구 언주로 *** **층 (역삼동, 윤익빌딩)(유니스특허법률사무소)

최종권리자

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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
1995.12.26 수리 (Accepted) 1-1-1995-0215739-14
2 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent
1995.12.26 수리 (Accepted) 1-1-1995-0215740-50
3 출원심사청구서
Request for Examination
1997.08.29 수리 (Accepted) 1-1-1995-0215741-06
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
1999.03.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-1999-0101323-24
5 의견서
Written Opinion
1999.05.29 수리 (Accepted) 1-1-1999-5202236-33
6 거절사정서
Decision to Refuse a Patent
1999.07.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-1999-0238347-98
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2000.01.21 수리 (Accepted) 4-1-2000-0007991-58
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2002.03.21 수리 (Accepted) 4-1-2002-0027128-10
9 출원인정보변경(경정)신고서
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2002.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2002-0043593-03
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2002.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2002-0043602-26
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2002.08.13 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065864-86
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2004.06.15 수리 (Accepted) 4-1-2004-0025494-38
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2005.03.04 수리 (Accepted) 4-1-2005-5020373-24
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.05.14 수리 (Accepted) 4-1-2013-0019112-38
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2016.09.28 수리 (Accepted) 4-1-2016-5138263-79
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.04.30 수리 (Accepted) 4-1-2018-5077322-80
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.09.25 수리 (Accepted) 4-1-2019-5200802-82
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.09.30 수리 (Accepted) 4-1-2019-5204006-48
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.10.10 수리 (Accepted) 4-1-2019-5211042-46
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

분철광석과 석회석, 사문암 등에 열원으로 분코크스를 혼합하여 고로용 소결광을 제조하는데 있어서 염기도(Cao/Sio2)를 1

2
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.