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실리콘기판(1)상에 산화막(8)을 형성하고, 상기 산화막 상에 하부금속선(4)을 형성하고, 상기 하부금속선(4)상에 절연막(9)을 형성한 후, 그 위에 나선형태의 상부금속선(3)과 도선(5)을 분리형성하고, 상기 상부금속선(3)과 하부금속선(4)의 일측은 개구부(6)을 통해 접속시키고, 상기 하부금속선(4)의 타측을 개구부(7)를 통해 접속시켜 형성한 것을 특징으로 하는 에어브리지형 인덕터
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이중금속선을 이용한 인덕터 소자 제조방법에 있어서, 실리콘 기판(1)상에 실리콘산화막을 도포하여 절연막을 형성하는 단계와, 동일한 폭을 갖는 상부금속선(3)과 하부금속선(4)이 상하로 겹치는 부분에서 공간적으로 분리되도록 하기 위해 아래부분의 하부금속선(4)을 먼저 배치하는 단계와, 다음공정으로 절연막으로서의 산화막을 일정두께로 도포한 후, 상부금속선(3)을 배치하는 단계와, 상하부 금속선에 개구부(6),(10)을 형성하여 금속을 통하여 전기적으로 접촉시킴과 동시에, 전기적 연결을 위한 도선(5)과 하부금속선(4)과의 전기적 접촉을 위해 개구부(7),(11)을 형성하고 메탈릭공정을 실행하는 단계와, 상기 단계에서 형성된 상부금속선(3)이 에어브리지형 인덕터로 동작할수 있도록 인덕터의 나선부분에 해당되는 일정영역(2)에서 산화막을 선택적으로 제거하는 단계를 포함하는 에어브리지형 인덕터의 제조방법
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다중지지구조를 갖는 에어브리지형 인덕터의 제조방법에 있어서, 선택된 SOI층(16),(21)을 제외한 나머지 부분을 제거한 후, 일정두께로 절연막(산화막)(20)을 도포하는 단계와, 선택된 SOI층의 일부를 개구한 개구부(22)에서 선택적 에피택셜막 (14a)(14b)(14c)(14d)(14e)(14f)(14g) (14h)(14i)(14j)(14k)(14l)(14m) 성장공정을 통하여 산화막(20) 두께보다 조금 두꺼운 정도로 실리콘 에피택셜막을 성장하는 단계와, 상기 에피택셜막 위에서 산화막(20)과 에피택셜막(14a)(14b)(14c)(14d)(14e)(14f)(14g)(14h) (14i)(14j)(14k)(14l)(14m)위를 지나는 균일한 폭을 갖는 금속선(15),(17)을 형성하는 단계와, 전기적 도선으로서도 동작하는 역할을 갖는 SOI층(16)과 에피택셜막(14b),(14l)을 이온주입방법에 의해 고농도로 블순물을 첨가하여 인덕터로서의 기능을 부여하는 단계와, 인덕터를 에어브리지형으로 제조하기 위하여 인덕터에 해당되는 일정영역(13)의 절연막(산화막)만을 화학적 선택식각방법으로 제거하는 단계와, 다중지지 구조의 에어브리지형 인덕터를 구성하는 금속선과 에피택셜막과의 전기적 접촉저항을 줄이기 위한 열처리 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 다중지지구조 에어브리지형 인덕터의 제조방법
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