요약 | 본 발명은 반도체 기판인 단결정 실리콘 웨이퍼를 불산과 과산화수소수를 이용한 전기분해의 방법으로 실리콘 웨이퍼 표면에 절연막을 도포하지 않고 균일한 다공질의 실리콘 웨이퍼로 만드는 선택적 다공질 실리콘 형성방법에 관한 것이다.이를 위해 본 발명은 전극의 일면에 산화막으로 패턴을 형성하는 스텝과, 상기 전극을 케이스의 내부에 삽입하는 스텝과, 상기 케이스의 내부에 불산과 과산화 수소수의 비율이 1:100으로 혼합한 전기 분해용액을 담는 스텝과, 상기 케이스의 내부에 또 다른 전극이 내장되며 일측면에는 실리콘 웨이퍼가 고정되고 내부에는 불산과 과산화 수소수의 비율이 1:100으로 혼합된 전기 도통용액이 담겨진 함실을 삽입하는 스텝과, 상기 전극을 실리콘 웨이퍼에 근접시키는 스텝과, 각 전극에 전원을 인가하는 스텝으로 된 것이다. |
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Int. CL | H01L 21/00 (2006.01) |
CPC | |
출원번호/일자 | 1019960072267 (1996.12.26) |
출원인 | 재단법인 포항산업과학연구원 |
등록번호/일자 | 10-0250208-0000 (2000.01.03) |
공개번호/일자 | 10-1998-0053198 (1998.09.25) 문서열기 |
공고번호/일자 | (20000401) 문서열기 |
국제출원번호/일자 | |
국제공개번호/일자 | |
우선권정보 | |
법적상태 | 소멸 |
심사진행상태 | 수리 |
심판사항 | |
구분 | |
원출원번호/일자 | |
관련 출원번호 | |
심사청구여부/일자 | Y (1997.08.29) |
심사청구항수 | 2 |