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다결정실리콘박막형성방법

  • 기술번호 : KST2015103187
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 단전자 소자등에 이용되는 다결정 실리콘 박막의 형성방법에 관한 것이며, 그 목적은 극미세결정립을 가지고 균일한 분포를 가지는 다결정 실리콘 박막을 형성하는 방법을 제공함에 있다.상기 목적을 달성하기 위한 본 발명은, 실리콘기판에 SiO2 산화막을 형성하는 단계; 상기 산화막이 형성된 기판을 급속가열하고, 함규소가스를 주입하여 산화막위에 비정질박막을 형성하는 단계; 및 상기 비정질박막이 형성된 기판을 환원성 분위기하에서 급속가열하여 다결정화시키는 단계;를 포함하여 이루어지는 다결정 실리콘박막의 형성방법에 관한 것을 요지로 한다.
Int. CL C30B 28/12 (2006.01) C30B 29/06 (2006.01)
CPC C30B 29/06(2013.01) C30B 29/06(2013.01) C30B 29/06(2013.01)
출원번호/일자 1019970038726 (1997.08.13)
출원인 재단법인 포항산업과학연구원
등록번호/일자 10-0341059-0000 (2002.06.04)
공개번호/일자 10-1999-0016246 (1999.03.05) 문서열기
공고번호/일자 (20020918) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1999.10.12)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 재단법인 포항산업과학연구원 대한민국 경북 포항시 남구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 고재석 대한민국 경상북도 포항시 남구
2 김광일 대한민국 경상북도 포항시 남구
3 정욱진 대한민국 경상북도 포항시 남구
4 김영덕 대한민국 경상북도 포항시 남구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 손원 대한민국 서울 강남구 언주로 **길 **, 대림아크로텔 *층(도곡동)(특허법인씨엔에스)
2 이성동 대한민국 서울 강남구 언주로 **길 **, 대림아크로텔 *층(도곡동)(특허법인씨엔에스)
3 전준항 대한민국 서울특별시 강남구 언주로**길 **, 대림아크로텔 ****호 (도곡동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 재단법인 포항산업과학연구원 대한민국 경북 포항시 남구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent
1997.08.13 수리 (Accepted) 1-1-1997-0123603-03
2 특허출원서
Patent Application
1997.08.13 수리 (Accepted) 1-1-1997-0123602-57
3 출원심사청구서
Request for Examination
1999.10.12 수리 (Accepted) 1-1-1999-5357524-78
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2000.01.21 수리 (Accepted) 4-1-2000-0007991-58
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2001.09.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2001-0270156-97
6 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period
2001.11.23 수리 (Accepted) 1-1-2001-5322860-67
7 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period
2001.12.17 수리 (Accepted) 1-1-2001-5342837-85
8 의견서
Written Opinion
2002.01.28 수리 (Accepted) 1-1-2002-5024323-94
9 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.
2002.01.28 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2002-5024324-39
10 등록결정서
Decision to grant
2002.04.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2002-0156421-85
11 FD제출서
FD Submission
2002.06.04 수리 (Accepted) 2-1-2002-5108599-04
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2002.08.13 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065864-86
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2004.06.15 수리 (Accepted) 4-1-2004-0025494-38
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2005.03.04 수리 (Accepted) 4-1-2005-5020373-24
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.05.14 수리 (Accepted) 4-1-2013-0019112-38
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2016.09.28 수리 (Accepted) 4-1-2016-5138263-79
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.10.10 수리 (Accepted) 4-1-2019-5211042-46
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

다결정 실리콘 박막형성 방법에 있어서,

실리콘 기판에 SiO2 산화막을 형성하는 단계;

상기 산화막이 형성된 기판을 급속가열하고, 함 규소가스를 주입하여 산화막위에 비정질박막을 형성하는 단계; 및

상기 비정질박막이 형성된 기판을 환원성분위기하에서 급속가열하여 다결정화시키는 단계; 를 포함하여 이루어짐을 특징으로 하는 다결정 실리콘 박막형성 방법

2 2

제1항에 있어서, 상기 산화막이 형성된 기판의 급속가열은 100℃/min 이상의 승온속도로 행함을 특징으로 하는 다결정 실리콘 박막형성방법

3 3

제1항에 있어서, 상기 급속가열온도는 560-620℃이고, 함규소 가스는 SiH4임을 특징으로 하는 다결정 실리콘 박막 형성방법

4 4

제1항에 있어서, 상기 비정질박막의 두께는 50-100Å임을 특징으로 하는 다결정 실리콘 박막형성방법

5 5

제1항에 있어서, 상기 비정질 박막이 형성된 기판의 급속가열은 100℃/sec 이상의 숭온속도로 행함을 특징으로 하는 다결정 실리콘 박막 형성방법

6 6

제1항에 있어서, 상기 비정질 박막이 형성된 기판의 급속가열은 900-1000℃에서 5초 이상 행함을 특징으로 하는 다결정 실리콘 박막 형성방법

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.