분철광석 저장용 호퍼(110)로 부터 분철광석을 공급받아 중/미립광석은 상부로 비산배출시키고 대립광석을 기포유동층을 형성하면서 환원하도록 구성되는 제1 유동층환원로(120);

상기 제1 유동층로(120)의 상부로 비산배출되는 중/미립광석을 공급받아 난류 유동층을 형성하면서 중/미립 광석을 환원하도록 구성되는 제2 유동층 환원로(130);및

상기 제2 유동층환원로(130)의 배가스에 함유된 미립광석을 포집하는 제1고온사이클론(140)을 포함하고;

상기 제1 유동층 환원로(120)는 축소상부(120a), 하광경사부(120b), 및 확대하부(120c)로 이루어지는 하광 상협구조를 갖고, 상기 확대하부(120c)내에는 제1 가스 분산판(121)이 장착되고, 상기 제1 가스분산판(121)의 아래측벽에는 제1 환원가스도입관(181a)이 연결되어 있고, 상기 제1가스분산판(21)위의 측벽에는 광석공급관(111)및 대립광석 배출관(123)이 연결되어 있고;

상기 제2 유동층환원로(130)는 확대상부(130a), 상광경사부(130b), 및 축소하부(130c)로 이루어지는 상광하협구조를 갖고, 상기 축소하부(130c)내에는 제2 가스분산판(131)이 장착되고, 제2 가스분산판(131) 아래측벽에는 제2 가스도입관(181a)이 연결되고, 상기 제2 가스 분산판(31)위의 측벽에는 제2 중/미립 광석배출관(132)이 연결되어 있고;

상기 제1 유동층 환원로(120)와 제2 유동층환원로(130)는 제 1 중/미립광석배출관(122)을 통해 광석소통관계를 연통되고;

상기 제2 유동층환원로(130)와 제1 고온사이클(140)은 제1배가스 배출관(141)을 통해 연결되고;

상기 제1 고온사이클론(140)의 상부에는 제2 배가스 배출관(142)이 연결되고, 그 하부에는 상기 제1 중/미립 광석 배출관(122)과 연결되어 있는 제1 미립광석공급관(143)이 연결되어 구성되는 분철광석의 유동층식 예비환원장치에 있어서,

상기 제1유동층환원로(120)및 제2유동층환원로(130)에서 배출되는 중/대립광석을 공급받아 기포유동층을 형성하면서 중/대립광석을 최종 환원하여 배출 하도록 구성되는 최종 유동층환원로(160);및 상기 최종 유동층환원로(160)의 배가스에 함유된 미립광석을 포집하여 최종 유동층환원로(160)에 순환되도록 구성되는 제3고온사이클론(170)을 추가로 포함하고;

상기 최종 유동층환원로(160)는 축소상부(160a), 하광경사부(160b), 그리고 확대하부(160c)로 이루어지는 하광상협구조를 갖고;

상기 확대하부(160c)에는 제3가스분산판(161)이 장착되어 있고, 상기 제3가스분산판(161)아래의 측벽에서는 환원로내에로 환원가스를 공급하기 위한 제3환원가스 공급관(162)이 연결되고,상기 가스분산판(161)위의 상기 확대하부(160c)측벽에는 상기 제 1유동층 환원로(120)로 부터 배출된 대립 예비환원광석을 공급받기 위해 대립광석배출관(123)이 연결되고,그리고 상기 제 2유동층 환원로(130)로부터 배출된 중/미립광석을 공급받기 위해 제2 중/미립광석배출관(132)가 연결되고, 상기 가스분산판(161)위의 상기 확대하부(160c)측벽에는 최종환원된 중/미립광석및 대립광석을 배출하기 위한 최종환원 중/미립광석배출관(163a)및 최종환원대립광석배출관(163b)이 각각 연결되고, 그리고 상기 축소상부(160a)는 제 4배가스 배출관(171)을 통해 상기 제 3고온사이크론(170)에 연결되고; 그리고

상기 제3 고온사이클론(170)의 하부에는 상기 최종 유동층 환원로(170)의 배가스중에 함유된 미립광석을 상기 최종 유동층환원로(170)로 순환시키기 위한 제3 미립광석공급관(173)이 연결되고, 그 상부에는 미립광석과 분리된 배가스를 배출하기 위한 제5 배가스배출관(172)이 연결되어 있는 것을 특징으로 하는 분철광석의 유동층식 환원장치

제1항에 있어서, 제1 고온사이클론(140)에서 배출되는 배가스에 함유된 극미립광석을 포집하기 위한 제2 고온사이클론(150)및 상기 제3 고온사이클론(170)에서 배출되는 배가스에 함유된 미립광석을 포집하기 위한 제4 고온 사이클론(180)이 추가로 구비되고;

상기 제1 고온사이클론(140)과 제2 고온사이클론(150)은 제2 배가스배출관(142)을 통해 연통되고,

상기 제2 고온사이클론(150)의 상부에는 제3 배가스배출관(151)이 연결되고, 그 하부는 제2 미립광석공급관(152)을 통해 제2 유동층 환원로(130)와 연통되고,

상기 제3 고온사이클론(170)과 제4 고온사이클론(180)은 제5 배가스배출관(172)을 통해 연통되고,

상기 제4 고온사이클론(180)의 상부에는 제1 및 제2 환원가스 공급관(181a, 181b)과 연결된 제6 배가스배출관(181)이 연결되고, 그 하부에는 제2 미립광석배출관(182)이 연결되어 있는 것을 특징으로 하는 분철광석의 유동층식 예비환원장치

제2항에 있어서, 제2 미립 광석 공급관(152)에는 미분환원철을 외부로 배출하기 위한 미분 환원철 배출관(153)이 연결되어 있는 것을 특징으로 하는 분철광석의 유동층식 예비환원장치

제1항에서 제3항중의 어느한항에 있어서,

제1 유동층환원로(120)의 축소상부(120a)의 내경은 확대하부(120c)내경의 0

제1항의 분철광석의 유동층식 예비환원장치를 사용하여 제1 유동층환원로(120)에서는 공급된 분철광석중 입도분포가 0

제5항에 있어서, 제1 유동층환원로(120)에서 제2 유동층환원로(130)로 분급되는 0

제6항에 있어서, 제1유동층 환원로(120)의 하부 공탑가스 유속은 2

제3항의 분철광석의 유동층식 예비환원장치를 사용하여 분철광석을 예비환원함에 있어, 제1 유동층 환원로(120)에서는 공급된 분철광석중 입도분포가 0

제8항에 있어서, 제1유동층 환원로(120)에서 제2 유동층 환원로(130)로 분급되는 0

제8항 또는 제9항에 있어서, 제1유동층 환원로(120)의 하부 공탑가스 유속은 2

제 3항의 분철광석의 유동층식 예비환원장치에,

장입광석을 용융환원하여 용선을 제조하는 용융환원로(200);

상기 용융환원로(200)에서 석탄 및 환원광석의 장입에 따라 발생되는 고환원성 환원가스중에 함유하는 주성분이 석탄 촤(char)인 더스트를 포집하는 제5 고온사이클론(190); 및 상기 고온사이클론(190)에서 포집된 더스트를 저장하는 록호퍼(194); 및 록호퍼(194)에 저장된 더스트를 용융환원로(200)에 취입하기 위한 더스트버너(196)와 더스트 버너(196)로의 록호퍼(194) 저장더스트를 기송하는 질소 이젝터(195)를 추가로 포함하고;

상기 용융환원로(200)의 상부에는 최종예비환원철을 공급하는 최종예비환원철공급관(163)이 연결되고,이 최종예비환원철공급관(163)은 최종환원 중/미립광석배출관(163a)및 최종환원대립광석배출관(163b)과 연결되고,

상기 제5 고온사이클론(190)의 상부에는 미립광석과 분리된 배가스를 배출하기 위한 제8 배가스배출관(192)이 연결되고,

상기 제5 고온사이클론(190)의 하부는 제5 미립광석 공급관(193)을 통해 록 호퍼(lock hopper)(194)에 연통되고,

상기 록 호퍼(lock hopper)(194)에는 상기 제4 미립광석 공급관(182)이 연결되며,이 제4 미립광석 공급관(182)에는 상기 미분환원철 배출관(153)이 연결되고,

상기 록 호퍼(lock hopper)(194)의 하부는 이젝터(194)와 연결되어 있고,이젝터(194)는 용융환원로의 측벽에 설치되어 있는 더스트 버너(196)와 연결되어 있는 것을 특징으로 하는 분철광석의 용융환원장치

제12항에 있어서,상기 제8 배가스배출관(192)은 가스냉각장치(197)및 제3환원가스 공급관(162)과 연결되고,상기 가스냉각장치(197)는 제 7배가스 배출관(191)과 연결되어 냉각장치에서 냉각된 배가스의 일부는 외부로 배출되고, 일부는 상기 제 7배가스 배출관(191)내 공급되도록 구성됨을 특징으로 하는 분철광석의 용융환원장치