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인도핑 다결정 실리콘성막 제조방법_

  • 기술번호 : KST2015103228
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 마이크로센서 등의 마이크로 구조재료로 이용되는 인도핑 다결정 실리콘성막을 제조하는 방법에 관한 것으로서, 실리콘기판에 실리콘산화막으로 희생층막(SiO2)을 형성하는 단계와; 챔버의 상부에 큰 링형태인 원료가스 주입관(3), 그 중심측에는 작은 링형태인 베이스가스 주입관(7)을 배치한 다음, 상기 챔버 내에 희생막이 형성된 실리콘기판(4)을 장착하여 650∼700℃의 기판온도로 가열하고 1torr의 압력으로 규소함유가스 및 인함유가스를 동시에 상기 실리콘기판(4)에 분사주입하여 희생층막위에 인도핑 다결정 실리콘성막을 증착하는 단계 및; 상기 인도핑 다결정 실리콘성막이 형성된 기판을 환원성 분위기에서 900℃의 온도까지 급속가열하여 30∼60초동안 유지시키는 열처리단계를 실행하여 인도핑 다결정 실리콘성막을 제조함으로써 비저항과 잔류응력이 최소화된 인도핑 다결정 실리콘성막을 제조할 수 있으며, 이러한 다결정 실리콘성막은 마이크로머시닝 등의 구조체에 적용될 수 있는 유용한 효과가 있는 것이다.
Int. CL C30B 25/00 (2006.01)
CPC C30B 25/22(2013.01) C30B 25/22(2013.01) C30B 25/22(2013.01) C30B 25/22(2013.01) C30B 25/22(2013.01)
출원번호/일자 1019980056046 (1998.12.18)
출원인 재단법인 포항산업과학연구원
등록번호/일자 10-0542890-0000 (2006.01.05)
공개번호/일자 10-2000-0040413 (2000.07.05) 문서열기
공고번호/일자 (20060509) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2003.12.17)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 재단법인 포항산업과학연구원 대한민국 경북 포항시 남구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 고재석 대한민국 경상북도 포항시 남구
2 김광일 대한민국 경상북도 포항시 남구
3 이광철 대한민국 경상북도 포항시 남구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인맥 대한민국 서울특별시 서초구 강남대로 ***, *층 (양재동, 화승빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 재단법인 포항산업과학연구원 대한민국 경북 포항시 남구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
1998.12.18 수리 (Accepted) 1-1-1998-0431182-08
2 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent
1998.12.18 수리 (Accepted) 1-1-1998-0431183-43
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2000.01.21 수리 (Accepted) 4-1-2000-0007991-58
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2002.08.13 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065864-86
5 출원심사청구서
Request for Examination
2003.12.17 수리 (Accepted) 1-1-2003-5242703-22
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2004.06.15 수리 (Accepted) 4-1-2004-0025494-38
7 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2005.01.12 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
8 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2005.02.17 수리 (Accepted) 9-1-2005-0009853-02
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2005.03.04 수리 (Accepted) 4-1-2005-5020373-24
10 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2005.08.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2005-0412284-68
11 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.
2005.10.25 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2005-5128426-18
12 의견서
Written Opinion
2005.10.25 수리 (Accepted) 1-1-2005-5128425-62
13 등록결정서
Decision to grant
2005.12.15 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2005-0640200-81
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.05.14 수리 (Accepted) 4-1-2013-0019112-38
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2016.09.28 수리 (Accepted) 4-1-2016-5138263-79
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.10.10 수리 (Accepted) 4-1-2019-5211042-46
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
실리콘기판에 실리콘산화막으로 희생층막(SiO2)을 형성하는 단계와; 챔버의 상부에 큰 링형태인 원료가스 주입관(3), 그 중심측에는 작은 링형태인 베이스가스 주입관(7)을 배치한 다음, 상기 챔버 내에 희생막이 형성된 실리콘기판(4)을 장착하여 650∼700℃의 기판온도로 가열하고 1torr의 압력으로 규소함유가스 및 인함유가스를 동시에 상기 실리콘기판(4)에 분사주입하여 희생층막위에 인도핑 다결정 실리콘성막을 증착하는 단계 및; 상기 인도핑 다결정 실리콘성막이 형성된 기판을 환원성 분위기에서 900℃의 온도까지 급속가열하여 30∼60초동안 유지시키는 열처리단계로 이루어짐을 특징으로 하는 인도핑 다결정 실리콘 성막 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 원료가스 주입관(3)으로는 규소함유가스를 주입시키고, 베이스가스 주입관(7)으로는 인함유가스를 주입하여 기판상에 규소함유가스와 인함유가스를 함께 분사주입하여 실리콘 기판상에 인도핑 다결정 실리콘성막을 증착하는 것을 특징으로 하는 인도핑 다결정 실리콘 성막 제조방법
3 3
제1항에 있어서, 상기 규소함유가스가 SiH4 또는 SiCl2H2중 어느하나이고, 인함유가스가 PH3임을 특징으로 하는 인도핑 다결정 실리콘 성막 제조방법
4 4
제1항에 있어서, 상기 인함유 다결정 실리콘성막의 두께가 4∼7㎛인 것을 특징으로 하는 인도핑 다결정 실리콘 성막 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.