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베타상 탄화규소(β-SiC) 분말에 알루미나(Al2O3)와 이트리아(Y2O3)를 첨가한 원료분말 A와, 상기 베타상 탄화규소 분말에 알루미나와 이트리아를 첨가한 원료분말 A에 입자성장을 촉진시키는 알파상 탄화규소를 첨가한 원료분말 B를 각각 제조한 후, 상기 베타상 탄화규소 분말에 알루미나와 이트리아를 첨가한 원료분말 A는 표면부에 구성시키고, 상기 원료분말에 입자성장을 촉진시키는 알파상 탄화규소를 첨가한 원료분말 B는 내부에 구성시켜 성형체를 만든 다음 이를 소결하여서 제조됨을 특징으로 하는 베타상 탄화규소 소결체의 표면개질 방법
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제 1항에 있어서, 베타상 탄화규소 분말에 알루미나와 이트리아를 첨가한 원료분말을 제도하되, 이는 1㎛ 미만의 베타상 탄화규소 85 wt%에 소결조제인 알루미나와 이트리아를 각각 9 wt% 와 6 wt% 첨가 하여서 됨을 특징으로 하는 베타상 탄화규소 소결체의 표면개질 방법
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제 1항에 있어서, 베타상 탄화규소 분말에 알루미나와 이트리아를 첨가한 원료분말에 입자성장을 촉진시키는 알파상 탄화규소를 첨가한 원료분말을 제조하되, 이는 1㎛ 미만의 베타상 탄화규소 82-84
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제 1항에 있어서, 베타상 탄화규소 분말에 알루미나와 이트리아를 첨가한 원료분말을 표면부로 형성시키고, 상기 원료분말에 입자성장을 촉진시키는 알파상 탄화규소를 내부에 형성시켜서 된 성형체를 소결하되, 이는 1950-2050℃의 온도 범위에서 Ar 가스를 흘려주면서 1-2 시간 동안 상압 소결하여서 됨을 특징으로 하는 베타상 탄화규소 소결체의 표면개질 방법
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