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분철광석이 공급되는 환원로에 환원가스를 공급하여 유동상태에서 분철광석을 환원하도록 구성되는 분철광석의 유동층식 환원장치에 있어서, 원통형 대경 상부로(100A)와 소경 하부로(100B)로 이루어져 장입된 분철광석중 대립광석은 하부로(100B)로, 중/소립광석은 상부로(100A)로 각각 분급하여 대립광석은 하부로(100B)에서, 중/소립광석은 상부로(100A)에서 환원성 분위기에 의해 예열 및 예비환원되도록 구성되는 시리얼 트윈(serial twin)형 제1유동층로(100); 상기 제1 유동층로(100)에서 예열 및 예비환원된 대립광석을 1차 환원시키도록 구성되는 원통형의 제2유동층로(200); 상기 제1유동층로(100)에서 예열 및 예비환원된 중/소립광석 및 제2유동층로(200)에서 1차 환원된 대립광석을 최종환원시키도록 구성되는 상광하협의 원추형인 제3유동층로(300); 상기 제1 유동층로(100)의 배가스중에 함유된 미립광석을 포집하여 제1유동층로(100)의 상부 측부를 통해 제1유동층로(100)에 공급하고, 미립광석이 분리된 배가스는 외부로 배출하도록 구성되는 제1사이클론(400); 상기 제2유동층로(200)의 배가스중에 함유된 미립광석을 포집하여 제2유동층로(200)의 측벽을 통해 제2유동층로(200)에 공급하고, 미립광석이 분리된 배가스는 환원가스로서 제1유동층로(100)에 공급되도록 구성되는 제2사이클론(500); 및 상기 제3유동층로(300)의 배가스중에 함유된 미립광석을 포집하여 제3유동층로(300)의 측벽을 통해 제3유동층로(300)에 공급하고, 미립광석이 분리된 배가스는 환원가스로서 제1유동층로(100)에 공급되도록 구성되는 제3사이클론(600)를 포함하고, 상기 제1 유동층로(100)의 상기 하부로(100B)의 저부에는 환원가스를 공급받기 위한 제1 가스공급구(101)이 형성되어 있고, 이 제1 가스공급구(101)에는 제1 유동층로(100)의 하부로(100B)로 가스를 도입하기 위한 제12 도관(604)이 연결되어 있고, 그리고 상기 하부로(100B)의 하부내에는 제1 가스공급구(101)를 통해 공급되는 가스를 분산시키기 위한 제 1가스분산판(102)이 내장되어 있고, 상기 하부로(100B)의 측벽에는 분철광석을 공급받기 위한 제 1광석공급구(103) 및 예열/예비환원된 대립광석을 배출하기 위한 제 2광석배출구(108)가 형성되어 있고, 상기 제 2광석배출구(108)는 제2도관(107)을 통해 제2 유동층로(200)의 하부와 광석소통관계로 연결되어 있고, 상기 제1광석공급구(103)는 광석공급관(111)을 통해 광석공급원에 연결되어 있으며; 상기 제 1유동층로(100)의 상기 상부로(100A)의 하부측벽에는 환원가스를 공급받기 위한 제2 가스공급구(106)이 형성되어 있고, 이 제2 가스공급구(106)에는 가스를 도입하기 위한 제13 도관(605)이 연결되어 있고, 그리고 상기 상부로(100A)의 하부내에는 제2 가스공급구(106)를 통해 공급되는 가스를 분산시키기 위한 원추형의 제2 가스분산판(112)이 내장되어 있고, 그리고 상기 상부로(100A)의 측벽에는 예열/예비환원된 중립/소립광석을 배출하기 위한 제1 광석배출구(104)가 형성되어 있으며, 이 제1 광석배출구(104)는 제1 도관(109) 및 제14 도관(209)을 통해 제3 유동층로(300)의 하부와 광석소통관계로 연결되어 있고, 그리고 상기 상부로(100A)의 정부에는 배가스를 배출하기 위한 제1 가스배출구(105)가 형성되어 있으며, 이 제1 가스배출구(105)는 제3도관(113)을 통해 제1 사이클론(400)과 연결되어 있으며: 상기 제1 사이클론(400)에는 미립광석이 분리된 배가스를 외부로 배출하기 위한 제6도관(402)이 연결되어 있고, 그 일단이 제1유동층로(100)의 상부로(100A)내부 깊숙히 위치되어 포집된 미립광석을 상기 제1 유동층로(100)내로 공급하기 위한 제4도관(401)이 연결되어 있으며; 상기 제2 유동층로(200)의 저부에는 환원가스를 공급받기 위한 제3 가스공급구(201)가 형성되어 있고, 상기 제2유동층로(200)의 하부내에는 제3 가스공급구(201)를 통해 공급되는 가스를 분산시키기 위한 제3 가스분산판(202)이 내장되어 있고, 그리고 상기 제2유동층로(200)의 측벽에는 상기 제1 유동층로(100)의 하부로(100B)에서 예열/예비환원된 광석을 공급받기 위한 제2광석공급구(203) 및 1차 최종환원된 대립광석을 배출하기 위한 제3 광석배출구(204)가 형성되어 있고, 상기 제2 광석공급구(203)는 제2 도관(107)을 통해 상기 제1 유동층로(100)의 하부로(100B)의 제2 광석배출구(108)에 연통되어 있고, 그리고 상기 제3 광석배출구(204)는 제10 도관(207)을 통해 제3 유동층로(300)의 하부와 광석소통관계로 연결되어 있고, 상기 제2 유동층로(200)의 측벽에는 상기 제2 사이클론(500)에서 배가스로부터 분리된 미립광석을 공급받기 위한 미립광석 공급구(208)가 형성되어 있고, 상기 제2 유동층로(200)의 정부에는 배가스를 배출하기 위한 제2 가스배출구(205)가 형성되어 있으며, 이 제2 가스배출구(205)는 제8도관(206)을 통해 제2 사이클론(500)과 연결되어 있으며: 상기 제2 사이클론(500)에는 미립광석이 분리된 배가스를 외부로 배출하기 위한 제7도관(502)이 연결되어 있고, 그 일단이 제2 유동층로(200)의 미립광석 공급구(208)에 연결되어 포집된 미립광석을 상기 제2 유동층로(200)내로 공급하기 위한 제9도관(501)이 연결되어 있으며; 상기 제3 유동층로(300)는 원통형 상부(300A)와 원추형 하부(300B)로 이루어지고, 그 저부에는 환원가스를 공급받기 위한 제4 가스공급구(301)이 형성되어 있고, 상기 제3 유동층로(300)의 하부내에는 제4 가스공급구(301)를 통해 공급되는 가스를 분산시키기 위한 제4 가스분산판(302)이 내장되어 있고, 상기 제3 유동층로(300)의 측벽에는 상기 제1 유동층로(100)의 상부로(100A)에서 예열/예비환원된 중/소립광석과 상기 제2 유동층로(200)에서 1차 환원된 대립광석을 공급받기 위한 제3 광석공급구(303) 및 최종환원된 광석을 배출하기 위한 제4 광석배출구(304)가 형성되어 있고, 상기 제3 광석공급구(303)는 제14 도관(209) 및 제1 도관(109)을 통해 상기 제1 유동층로(100)의 상부로(100A)의 제1 광석배출구(104)에 연통되어 있고, 그리고 제14 도관(209) 및 제10 도관(207)을 통해 제3 광석배출구(204)에 연통되어 있고, 상기 제4 광석배출구(304)에는 제16 도관(307)이 연결되어 있고, 상기 제3 유동층로(300)의 정부에는 배가스를 배출하기 위한 제3 가스배출구(305)가 형성되어 있으며, 이 제3 가스배출구(305)는 제15 도관(306)을 통해 제3 사이클론(600)과 연결되어 있으며; 그리고 상기 제3 사이클론(600)에는 미립광석이 분리된 배가스를 외부로 배출하기 위한 제11 도관(602)이 연결되어 있고, 그 일단이 제3 유동층로(300)의 내부 깊숙히 위치되도록 하여 포집된 미립광석을 상기 제3 유동층로(300)내로 공급하기 위한 제17 도관(601)이 연결되어 있는 것을 특징으로 하는 분철광석의 유동층식 환원장치
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