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반도체 웨이퍼의 박막증착용 가스주입장치

  • 기술번호 : KST2015103416
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 반도체 재료인 실리콘 웨이퍼에 박막을 증착하게 된 매엽식 저압 화학기상증착장비에서 웨이퍼의 기판상에 증착되는 원료가스와 베이스가스를 별도의 주입관로를 거친 후 동심원상에 위치되도록 한 링형의 분사노즐을 통해 웨이퍼기판에 분사시킴에 따라 박막두께의 균일성을 증대시킬 수 있게한 반도체 웨이퍼의 박막증착용 가스주입장치에 관한 것으로,즉, 반응실의 중앙부에 웨이퍼기판을 지지하여 가열하는 SiC발열체 히터를 구비한 서셉터와 이 서셉터의 외측에 가열실을 형성하는 외부히터가 장착된 벨자로 구성된 매엽식 저압 화학기상증착장비에 있어서, 상기 반응실에 설치된 원료가스 주입관의 분사노즐로부터 웨이퍼기판의 전부분으로 분사되는 가스의 흐름이 베이스가스 주입관의 분사노즐을 통해 웨이퍼기판의 중심부분으로 분사되는 베이스가스의 흐름에 의해 저해되도록 원료가스 주입관과 베이스가스 주입관을 설계함에 따라, 실리콘 웨이퍼기판(W)의 중심으로 갈수록 원료가스의 흐름과 원료가스의 농도를 감소시키고 이에 의해 웨이퍼기판의 중심에서 바깥으로 갈수록 증착박막의 두께 변화가 거의 없게되어 증착두께가 균일한 양질의 박막층을 얻을 수 있게된 것이다.
Int. CL H01L 21/20 (2006.01)
CPC C23C 16/4558(2013.01) C23C 16/4558(2013.01)
출원번호/일자 1019980053865 (1998.12.09)
출원인 재단법인 포항산업과학연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2000-0038764 (2000.07.05) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2003.12.09)
심사청구항수 2

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 재단법인 포항산업과학연구원 대한민국 경북 포항시 남구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 고재석 대한민국 경상북도 포항시 남구
2 이광철 대한민국 경상북도 포항시 남구
3 김광일 대한민국 경상북도 포항시 남구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인맥 대한민국 서울특별시 서초구 강남대로 ***, *층 (양재동, 화승빌딩)

최종권리자

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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 1998.12.09 수리 (Accepted) 1-1-1998-0454275-28
2 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1998.12.09 수리 (Accepted) 1-1-1998-0421484-02
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2000.01.21 수리 (Accepted) 4-1-2000-0007991-58
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.13 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065864-86
5 출원심사청구서
Request for Examination		 2003.12.09 수리 (Accepted) 1-1-2003-5234734-05
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2004.06.15 수리 (Accepted) 4-1-2004-0025494-38
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2005.03.04 수리 (Accepted) 4-1-2005-5020373-24
8 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2005.07.13 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
9 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2005.08.19 수리 (Accepted) 9-1-2005-0052548-89
10 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2005.10.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2005-0530091-98
11 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2006.01.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0055914-39
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.05.14 수리 (Accepted) 4-1-2013-0019112-38
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2016.09.28 수리 (Accepted) 4-1-2016-5138263-79
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.10.10 수리 (Accepted) 4-1-2019-5211042-46
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

반응실(10)의 중앙부에 웨이퍼기판(W)을 가열하는 SiC발열체 히터(12)를 구비한 서셉터(11)와 이 서셉터의 외측에 가열실을 형성하는 외부히터(14)가 장착된 벨자(13)로 둘러 쌓여진 매엽식 저압 화학기상증착장비에 있어서,

상기 웨이퍼기판(W)의 상부측 공간에 설치되어 반응실(10)내로 도입되는 원료가스를 웨이퍼기판의 가장자리에서 전부분으로 분사시키는 직경이 큰 링형의 원료가스 주입관(20)과, 상기 원료가스 주입관(20)의 동심원상에 설치되어 웨이퍼기판(W)의 중심부로 베이스가스를 도입 및 분사시키는 소형의 링형태로된 베이스가스 주입관(30)과, 상기 각 주입관(20)(30)을 구성하는 링에 방사상으로 위치하게 형성된 다수의 분사노즐(21)(31)을 포함한 구성을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼의 박막증착용 가스주입장치

2 2

제1항에 있어서, 상기 원료가스 주입관(20)의 노즐로부터 웨이퍼기판의 전부분으로 분사되는 가스의 흐름이 베이스가스 주입관(30)의 노즐을 통해 웨이퍼기판의 중심부분으로 분사되는 베이스가스의 흐름에 의해 저해되도록 원료가스 주입관과 베이스가스 주입관이 설계됨을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼의 박막증착용 가스주입장치

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.