맞춤기술찾기

이전대상기술

철붕소화합물/니오디뮴철붕소/철붕소화합물 박막구조의 초미세립 영구자석박막의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015103478
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 레이저어블레이션(laser ablation)법으로 Fe3B를 연자성층으로 사용한 Fe3B/NdFeB/Fe3B 구조의 초미세립 영구자석박막의 제조방법에 관한 것으로,레이저어블레이션법을 이용하여 3층박막을 제조하는 방법에 있어서, 경자성층의 증착을 위하여 조성이 원자퍼센트(at.%)로 NdXFe90.98-XB9.02 (25≤X≤32)인 NdFeB계 타겟과 연자성층의 증착을 위하여 Fe3B 타겟이 장착된 진공상태의 반응실내에서 단결정 (100)Si 기판온도를 620 oC 이상의 온도로 가열하는 단계와; NdFeB계 타겟 Fe3B 타겟 및 (100)Si 기판을 회전시킨 후 KrF 레이저 빔을 3.08 J/cm2의 에너지밀도 범위로 상기의 2 가지 타겟에 교대로 조사하여 상기 기판상에 연자성을 나타내는 제1층으로 Si기판상에 두께 9∼50 나노미터의 Fe3B 박막을 증착하고, 그 위에 제2층으로 두께 5∼30 나노미터의 경자성 NdFeB계 박막을 증착한 후 그 위에 다시 제1층과 동일한 두께로 제어된 9∼50 나노미터의 연자성 Fe3B 박막을 증착하여 3층막을 형성시키는 단계와; 3층막 증착된 (100)Si 기판을 분당 3∼5℃의 냉각속도로 냉각하는 단계를 이루어져서 된 것이다.
Int. CL H01F 41/02 (2011.01)
CPC H01F 41/0293(2013.01) H01F 41/0293(2013.01) H01F 41/0293(2013.01)
출원번호/일자 1019980058543 (1998.12.24)
출원인 한국과학기술연구원, 재단법인 포항산업과학연구원
등록번호/일자 10-0285352-0000 (2001.01.03)
공개번호/일자 10-2000-0042378 (2000.07.15) 문서열기
공고번호/일자 (20010402) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1998.12.24)
심사청구항수 4

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구
2 재단법인 포항산업과학연구원 대한민국 경북 포항시 남구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 김상원 대한민국 경상북도 포항시 남구
2 양충진 대한민국 경상북도 포항시 남구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 홍재일 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 *** (삼성동) 삼영빌딩 *층(홍앤홍국제특허법률사무소)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 재단법인 포항산업과학연구원 대한민국 경북 포항시 남구
2 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent
1998.12.24 수리 (Accepted) 1-1-1998-0446201-28
2 특허출원서
Patent Application
1998.12.24 수리 (Accepted) 1-1-1998-0446200-83
3 출원심사청구서
Request for Examination
1998.12.24 수리 (Accepted) 1-1-1998-0446202-74
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
1999.01.18 수리 (Accepted) 4-1-1999-0008675-76
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
1999.02.01 수리 (Accepted) 4-1-1999-0025779-69
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
1999.03.03 수리 (Accepted) 4-1-1999-0041039-77
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
1999.05.26 수리 (Accepted) 4-1-1999-0075472-64
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2000.01.21 수리 (Accepted) 4-1-2000-0007991-58
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2000.02.03 수리 (Accepted) 4-1-2000-0014117-45
10 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2000.10.17 수리 (Accepted) 9-1-2000-0004022-33
11 등록사정서
Decision to grant
2000.11.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2000-0302003-71
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2002.03.02 수리 (Accepted) 4-1-2002-0020822-81
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2002.08.13 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065864-86
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2004.06.15 수리 (Accepted) 4-1-2004-0025494-38
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2005.03.04 수리 (Accepted) 4-1-2005-5020373-24
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.12.15 수리 (Accepted) 4-1-2009-5247056-16
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.05.14 수리 (Accepted) 4-1-2013-0019112-38
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.02.19 수리 (Accepted) 4-1-2014-5022002-69
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2016.09.28 수리 (Accepted) 4-1-2016-5138263-79
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.10.10 수리 (Accepted) 4-1-2019-5211042-46
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

레이저어블레이션법을 이용하여 3층박막을 제조하는 방법에 있어서, 경자성층의 증착을 위하여 조성이 원자퍼센트(at

2 2

제 1항에 있어서, 상기 (100)Si 기판이 640∼700℃ 의 온도범위로 가열됨을 특징으로 하는 Fe3B/NdFeB/Fe3B 구조의 초미세립 영구자석박막의 제조방법

3 3

제 1항 또는 제 2항에 있어서, 상기 KrF 레이저빔 에너지 밀도가 2

4 4

제 3항에 있어서, 제1층과 제3층의 두께가 15∼35 나노미터이며, 3층막 전체 체적에 대한 제1층과 제3층의 체적을 합한 분율이 50∼76%인 것을 특징으로 하는 Fe3B/NdFeB/Fe3B 구조의 초미세립 영구자석박막의 제조방법

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.