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비평형 마그네트론 스퍼터링 증발원

  • 기술번호 : KST2015103491
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 금속, 세라믹 그리고 플라스틱 등의 소재에 박막을 형성시키거나, 각종 소재의 표면처리에 활용하는 피막물질을 증발시키는데 사용되는 마그네트론 스퍼터링 증발원에 관한 것으로, 불활성가스 분위기에서 타겟에 고전압을 인가하여 발생된 이온을 이용하여 물질을 증발시키는데 사용되는 마그네트론 스퍼터링 증발원에 있어서, 증발원 외부에 별도의 자장을 인가하여 기판의 이온화율을 증대시켜 피막의 특성을 향상시키는 비평형 마그네트론 방식을 이용하되, 전자석의 주위를 금속으로 이루어진 보강판으로 감쌈으로서 증발율을 향상시키면서 동시에 낮은 전자석 전류에서도 이온화율을 향상시키도록 한 것을 특징으로 하여, 이온화율이 높으면서도, 증발율이 우수하기 때문에, 각종 박막의 제조는 물론, 특히 시계와 같은 대인 장식용 제품의 장식성 향상 및 공구나 기계류 그리고 금형과 같은 제품의 수명향상을 위하여 사용되는 화합물 박막의 제조에 유용하게 사용될 수 있는 효과가 있다.
Int. CL C23C 14/35 (2006.01)
CPC H01J 37/3458(2013.01) H01J 37/3458(2013.01) H01J 37/3458(2013.01)
출원번호/일자 1019980053863 (1998.12.09)
출원인 재단법인 포항산업과학연구원
등록번호/일자 10-0298600-0000 (2001.06.01)
공개번호/일자 10-2000-0038762 (2000.07.05) 문서열기
공고번호/일자 (20010922) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1999.03.22)
심사청구항수 3

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 재단법인 포항산업과학연구원 대한민국 경북 포항시 남구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 정재인 대한민국 경상북도 포항시 남구
2 박형국 대한민국 경상북도 경주시

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 홍재일 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 *** (삼성동) 삼영빌딩 *층(홍앤홍국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 재단법인 포항산업과학연구원 대한민국 경북 포항시 남구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1998.12.09 수리 (Accepted) 1-1-1998-0421482-11
2 특허출원서
Patent Application		 1998.12.09 수리 (Accepted) 1-1-1998-0454273-37
3 출원심사청구서
Request for Examination		 1999.03.22 수리 (Accepted) 1-1-1999-5121463-68
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2000.01.21 수리 (Accepted) 4-1-2000-0007991-58
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2000.10.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2000-0268338-62
6 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period		 2000.12.18 수리 (Accepted) 1-1-2000-5388680-35
7 의견서
Written Opinion		 2001.01.17 수리 (Accepted) 1-1-2001-5014120-19
8 등록사정서
Decision to grant		 2001.05.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2001-0122988-74
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.13 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065864-86
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2004.06.15 수리 (Accepted) 4-1-2004-0025494-38
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2005.03.04 수리 (Accepted) 4-1-2005-5020373-24
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.05.14 수리 (Accepted) 4-1-2013-0019112-38
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2016.09.28 수리 (Accepted) 4-1-2016-5138263-79
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.10.10 수리 (Accepted) 4-1-2019-5211042-46
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번호 청구항
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불활성가스 분위기에서 타겟에 고전압을 인가하여 발생된 이온을 이용하여 물질을 증발시키는데 사용되는 마그네트론 스퍼터링 증발원에 있어서, 증발원 외부에 별도의 자장을 인가하여 기판의 이온화율을 증대시켜 피막의 특성을 향상시키는 비평형 마그네트론 방식을 이용하되, 전자석의 주위를 금속으로 이루어진 보강판으로 감쌈으로서 증발율을 향상시키면서 동시에 낮은 전자석 전류에서도 이온화율을 향상시키도록 한 것을 특징으로 하는 비평형 마그네트론 스퍼터링 증발원

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.