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탈규슬래그 포밍억제제

  • 기술번호 : KST2015104032
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요약 본 발명은 고로(용광로)에서 탈규슬래그를 처리할 때 발생되는 슬래그 포밍현상을 억제시키기 위한 탈규슬래그 포밍억제제에 관한 것으로써, 그 성분 및 그 성분비를 적절히 선정하고 그 입도를 적절히 제어하여 저분진 분말형으로 함으로써 우수한 반응성과 경제성을 갖는 탈규슬래그 포밍억제제를 제공하고자 하는데 그 목적이 있다.본 발명은 고로의 용선탈규처리시 발생하는 슬래그 포밍을 억제하기 위한 슬래그 포밍억제제에 있어서,30%이상의 금속 Al 칩(metal Al chip)과 나머지 Al2O3를 포함하는 Al 드로스(Al dross): 30-60wt%, 고체탄소: 5-20wt%, CaO: 5-30wt%, 수분: 5wt%이하, 바인더: 5wt%미만, 및 에쉬(ash): 15wt%미만으로 이루어지고, 그리고 1-7mm의 입도를 85%이상 갖는 탈규슬래그 포밍억제제를 그 요지로 한다.탈규슬래그, 포밍억제제, 입도, 분말, Al 드로스
Int. CL C21C 1/04 (2006.01)
CPC C21C 1/00(2013.01) C21C 1/00(2013.01) C21C 1/00(2013.01)
출원번호/일자 1020000051495 (2000.09.01)
출원인 주식회사 포스코, 재단법인 포항산업과학연구원
등록번호/일자 10-0428565-0000 (2004.04.12)
공개번호/일자 10-2002-0018258 (2002.03.08) 문서열기
공고번호/일자 (20040428) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2002.07.05)
심사청구항수 2

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 주식회사 포스코 대한민국 경상북도 포항시 남구
2 재단법인 포항산업과학연구원 대한민국 경북 포항시 남구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김영모 대한민국 경상북도포항시남구
2 김복연 대한민국 경상북도포항시남구
3 이상홍 대한민국 경상북도포항시남구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인씨엔에스 대한민국 서울 강남구 언주로 **길 **, 대림아크로텔 *층(도곡동)
2 전준항 대한민국 서울특별시 강남구 언주로**길 **, 대림아크로텔 ****호 (도곡동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 주식회사 포스코 대한민국 경북 포항시 남구
2 재단법인 포항산업과학연구원 대한민국 경북 포항시 남구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2000.09.01 수리 (Accepted) 1-1-2000-0184889-13
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2002.03.21 수리 (Accepted) 4-1-2002-0027128-10
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2002.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2002-0043593-03
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2002.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2002-0043602-26
5 출원심사청구서
Request for Examination
2002.07.05 수리 (Accepted) 1-1-2002-5167537-11
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2002.08.13 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065864-86
7 등록결정서
Decision to grant
2004.03.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2004-0113899-12
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2004.06.15 수리 (Accepted) 4-1-2004-0025494-38
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2005.03.04 수리 (Accepted) 4-1-2005-5020373-24
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.05.14 수리 (Accepted) 4-1-2013-0019112-38
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2016.09.28 수리 (Accepted) 4-1-2016-5138263-79
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.04.30 수리 (Accepted) 4-1-2018-5077322-80
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.09.25 수리 (Accepted) 4-1-2019-5200802-82
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.09.30 수리 (Accepted) 4-1-2019-5204006-48
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.10.10 수리 (Accepted) 4-1-2019-5211042-46
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
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30wt%이상의 금속 Al 칩(metal Al chip)과 나머지 Al2O3를 포함하는 Al 드로스(Al dross): 30-60wt%, 고체탄소: 5-20wt%, CaO: 5-30wt%, 수분: 5wt%이하, 바인더: 5wt%미만, 및 에쉬(ash): 15wt%미만으로 이루어지고, 그리고 1-7mm의 입도를 85%이상 갖는 탈규슬래그 포밍억제제

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제1항에 있어서, 포밍억제제가 방수비닐에 의해 포장되어 있는 것을 특징으로 하는 탈규슬래그 포밍억제제

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.