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역경사 구조물을 제작하는 플라즈마 식각장치 및 방법

  • 기술번호 : KST2015104038
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 반도체 웨이퍼를 지지하는 시편홀더를 경사지게 구성하고 플라즈마 건식식각을 통해 역경사 구조물을 제작하는 플라즈마 식각방법을 제공하는 데 그 목적이 있다. 본 발명에 따르면, 진공도를 갖는 분위기상태에서 전력을 인가하고 반응가스를 혼입하여 실리콘 반도체를 식각하는 방법에 있어서, 시편을 올려놓는 반응판(10)의 상부에는 소정의 두께로 형성되어 있고 상부면의 중심에서 테두리부를 향해 점점 높아지게 경사진 경사면을 갖는 시편홀더(20)를 결합하고, 시편홀더(20)의 상부면에 식각하고자 하는 실리콘 반도체(22)를 안치한 후, 진공도는 100-200mtorr, 반응가스인 SiCl4와 아르곤 가스의 혼합비는 1:5 내지 1:20 그리고 인가전력은 100-300Watt인 상태에서 식각하여, 실리콘 반도체(22)의 식각면의 한 쪽은 역 메사식각의 형상이고 다른 쪽은 메사식각의 형상을 갖게 식각되어 역경사 구조를 갖는 것을 특징으로 한다.
Int. CL H01L 21/3065 (2006.01)
CPC H01J 37/32715(2013.01) H01J 37/32715(2013.01) H01J 37/32715(2013.01)
출원번호/일자 1020000060337 (2000.10.13)
출원인 재단법인 포항산업과학연구원
등록번호/일자 10-0458521-0000 (2004.11.16)
공개번호/일자 10-2002-0029714 (2002.04.19) 문서열기
공고번호/일자 (20041203) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2002.03.06)
심사청구항수 3

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 재단법인 포항산업과학연구원 대한민국 경북 포항시 남구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김영덕 대한민국 경상북도포항시남구
2 김흥락 대한민국 경상북도포항시남구
3 김광일 대한민국 경상북도포항시남구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 전영일 대한민국 광주 북구 첨단과기로***번길**, ***호(오룡동)(특허법인세아 (광주분사무소))

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 재단법인 포항산업과학연구원 대한민국 경북 포항시 남구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2000.10.13 수리 (Accepted) 1-1-2000-0215296-65
2 명세서 등 보정서
Amendment to Description, etc.		 2002.03.06 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2002-0065934-36
3 출원심사청구서
Request for Examination		 2002.03.06 수리 (Accepted) 1-1-2002-0065899-25
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.13 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065864-86
5 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2004.02.11 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
6 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2004.03.12 수리 (Accepted) 9-1-2004-0011847-96
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2004.04.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2004-0149924-43
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2004.06.15 수리 (Accepted) 4-1-2004-0025494-38
9 명세서 등 보정서
Amendment to Description, etc.		 2004.06.21 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2004-0266504-01
10 의견서
Written Opinion		 2004.06.21 수리 (Accepted) 1-1-2004-0266505-46
11 등록결정서
Decision to grant		 2004.08.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2004-0332862-59
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2005.03.04 수리 (Accepted) 4-1-2005-5020373-24
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.05.14 수리 (Accepted) 4-1-2013-0019112-38
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2016.09.28 수리 (Accepted) 4-1-2016-5138263-79
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.10.10 수리 (Accepted) 4-1-2019-5211042-46
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1

챔버, 진공장치, 가스주입장치, RF소스 및 전원공급장치를 포함하는 플라즈마 식각장치에 있어서,

상기 챔버내에 위치하는 반응판의 상부에는 실리콘 반도체를 올려놓을 수 있으며 중심에서 테두리부를 향해 점점 높아지도록 경사진 경사면을 갖는 홀더가 결합되고, 상기 홀더의 내부에는 상기 홀더의 상부면을 냉각시키는 냉각수가 유동하는 유동로가 형성되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 식각장치

2 2

제1항에 있어서, 상기 홀더의 경사면은 30°∼ 60°인 것을 특징으로 하는 플라즈마 식각장치

3 3

실리콘 반도체를 올려놓을 수 있으며 중심에서 테두리부를 향해 점점 높아지도록 경사진 경사면을 갖는 홀더가 결합된 반응판을 구비한 챔버, 진공장치, 가스주입장치, RF소스 및 전원공급장치를 포함하는 플라즈마 식각장치를 이용하여 상기 홀더의 경사면에 안치된 실리콘 반도체를 식각하는 방법에 있어서,

진공도는 100-200mtorr, 반응가스인 SiCl4와 아르곤 가스의 혼합비는 1:5 내지 1:20, 그리고 인가전력은 100-300Watt인 상태에서 식각하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 식각방법

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.