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씨브이디 디엘씨 박막을 이용한 오리피스형 가스 센서 및그 제조방법

  • 기술번호 : KST2015104593
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 NOx 가스를 검출하기 위하여 사용되는 DLC(Diamond Like Carbon) 박막을 이용하여, 검출대상의 가스의 흐름 속에서 지속적으로 대상 가스의 분압을 측정하기 위한, 오리피스(orifice) 형식의 MEMS 가스 센서의 제조방법 및 그 구조에 관한 것이다. MEMS 공정으로 얻어진 경사 식각면에 DLC 박막을 형성하고, 동일한 경사 식각 구조를 반대면에 부착하여 오리피스 형태를 지니도록 하여, 가스 흐름이 지속적으로 발생하도록 하여, 대상 가스의 측정을 수행한다. 디엘씨(DLC), 가스 센서, 실리콘 에칭(Si etching), 오리피스(orifice)
Int. CL G01N 27/407 (2006.01)
CPC G01N 27/125(2013.01) G01N 27/125(2013.01) G01N 27/125(2013.01) G01N 27/125(2013.01) G01N 27/125(2013.01)
출원번호/일자 1020020051940 (2002.08.30)
출원인 재단법인 포항산업과학연구원
등록번호/일자 10-0489297-0000 (2005.05.03)
공개번호/일자 10-2004-0020346 (2004.03.09) 문서열기
공고번호/일자 (20050517) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2002.08.30)
심사청구항수 2

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 재단법인 포항산업과학연구원 대한민국 경북 포항시 남구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 정우철 대한민국 경상북도포항시남구
2 김영덕 대한민국 경상북도포항시북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인맥 대한민국 서울특별시 서초구 강남대로 ***, *층 (양재동, 화승빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 재단법인 포항산업과학연구원 대한민국 경북 포항시 남구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2002.08.30 수리 (Accepted) 1-1-2002-0284376-95
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2004.04.13 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2004.05.14 수리 (Accepted) 9-1-2004-0028569-95
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2004.06.15 수리 (Accepted) 4-1-2004-0025494-38
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2004.08.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2004-0353963-09
6 의견서
Written Opinion		 2004.10.18 수리 (Accepted) 1-1-2004-0472100-91
7 명세서 등 보정서
Amendment to Description, etc.		 2004.10.18 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2004-0472106-64
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2005.03.04 수리 (Accepted) 4-1-2005-5020373-24
9 등록결정서
Decision to grant		 2005.03.15 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2005-0114288-38
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.05.14 수리 (Accepted) 4-1-2013-0019112-38
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2016.09.28 수리 (Accepted) 4-1-2016-5138263-79
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.10.10 수리 (Accepted) 4-1-2019-5211042-46
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
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상측이 좁고 하측이 넓게 경사 식각된 실리콘 웨이퍼(24)와; 상기 실리콘 웨이퍼(24)의 경사면과 하면에 형성되는 디엘씨(DLC) 층(22)과; 상기 DLC 층(22)의 연장선상에 형성되는 금속층(25, 26)과; 상기 금속층(25, 26)과 실리콘 웨이퍼(24) 사이에 형성되는 절연층(23)과; 상기 DLC 층(22)와 금속층(25, 26)의 접점에 형성되는 n+ 전극(20, 21)과; 상기 금속층(26)의 상면에 형성되는 에폭시층(27)과; 상기 에폭시층(27)의 상면에 형성되는 절연층(23')과; 상기 절연층(23)의 상면에 형성되며 상기 실리콘 웨이퍼(24)의 경사 식각 방향과 반대로 상측이 넓고 하측이 좁게 경사 식각된 실리콘 웨이퍼(24') 로 구성됨을 특징으로 하는 씨브이디(CVD) DLC 박막을 이용한 오리피스형 가스 센서
2 2
두 장의 실리콘 웨이퍼(24, 24')에 미리 정해져 있는 각도로 경사 식각을 행하는 단계와; 상기 실리콘 웨이퍼 중에서 상부가 좁고 하부가 넓게 식각된 실리콘 웨이퍼(24)에 DLC 층(22)에서 전극을 인출하기 위한 n+ 전극(20, 21)을 형성하는 단계와; 상기 실리콘 웨이퍼(24)의 상면에 절연층을 형성하는 단계와; 상기 실리콘 웨이퍼(24)의 경사 식각된 면을 포함하는 측면에 DLC 층(22)을 형성하는 단계와; 상기 전극(20, 21)을 인출하기 위한 금속층(25, 26)을 형성하는 단계와; 상기 상부가 넓고 하부가 좁게 식각된 나머지 실리콘 웨이퍼(24')를 경사 식각된 면이 하부의 실리콘 웨이퍼(24)와 반대방향이 되도록 상부에서 에폭시(27)를 이용하여 부착하여 전체적으로 오리피스 형태로 형성되도록 하는 단계 를 포함하여 구성됨을 특징으로 하는 CVD DLC 박막을 이용한 오리피스형 가스 센서의 제조방법
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두 장의 실리콘 웨이퍼(24, 24')에 미리 정해져 있는 각도로 경사 식각을 행하는 단계와; 상기 실리콘 웨이퍼 중에서 상부가 좁고 하부가 넓게 식각된 실리콘 웨이퍼(24)에 DLC 층(22)에서 전극을 인출하기 위한 n+ 전극(20, 21)을 형성하는 단계와; 상기 실리콘 웨이퍼(24)의 상면에 절연층을 형성하는 단계와; 상기 실리콘 웨이퍼(24)의 경사 식각된 면을 포함하는 측면에 DLC 층(22)을 형성하는 단계와; 상기 전극(20, 21)을 인출하기 위한 금속층(25, 26)을 형성하는 단계와; 상기 상부가 넓고 하부가 좁게 식각된 나머지 실리콘 웨이퍼(24')를 경사 식각된 면이 하부의 실리콘 웨이퍼(24)와 반대방향이 되도록 상부에서 에폭시(27)를 이용하여 부착하여 전체적으로 오리피스 형태로 형성되도록 하는 단계 를 포함하여 구성됨을 특징으로 하는 CVD DLC 박막을 이용한 오리피스형 가스 센서의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.