| 1 |
1
상·하부 Si 웨이퍼, SiO2 박막, 폴리실리콘 박막, 다이아몬드 필름 감지막, 그리고 한 쌍의 전극을 포함하여 구성되는 다이아몬드 필름 가스 센서에 있어서, 검출 가스의 흐름을 원활하게 하기 위해, 상기 한 쌍의 전극 사이에 형성되고, 상·하부 Si 웨이퍼, SiO2 박막, 폴리실리콘 박막과 다이아몬드 필름 감지막을 상하로 관통하는 관통구를 포함하며, 상기 다이아몬드 필름 감지막의 관통구의 가장자리는, 검출가스와의 접촉 면적을 증가시키기 위해, 머리빗 형태(comb style)로 성형되는 것을 특징으로 하는 다이아몬드 필름 가스 센서
|
| 2 |
2
삭제
|
| 3 |
3
상기 제 1 항에 기재된 다이아몬드 필름 가스 센서의 제조방법으로서, 하부 Si 웨이퍼, SiO2 박막, 상부 Si 웨이퍼, 폴리실리콘 박막, 다이아몬드 필름 감지막을 순차적으로 도포하는 단계; 마스크를 이용하여 상기 다이아몬드 필름 감지막이 관통구멍을 갖고, 상기 관통구멍의 가장자리가 머리빗 형태가 되도록 RIE 에칭(Reactive Ion Etching)하는 단계; 상기 폴리실리콘 박막을 HF 용액으로 에칭하는 단계; 상기 상·하부 Si 웨이퍼를 TMAH(Tetramethyl ammonium hydroxide) 용액으로 에칭하는 단계; 상기 SiO2 박막을 BHF(Buffered Oxide Etchant)로 에칭하는 단계를 포함하고, 상기 과정으로 인해 상기 상·하부 Si 웨이퍼, SiO2 박막, 폴리실리콘 박막과 다이아몬드 필름 감지막을 연통하는 관통구가 생기는 것을 특징으로 하는 다이아몬드 필름 가스 센서의 제조방법
|
| 4 |
3
상기 제 1 항에 기재된 다이아몬드 필름 가스 센서의 제조방법으로서, 하부 Si 웨이퍼, SiO2 박막, 상부 Si 웨이퍼, 폴리실리콘 박막, 다이아몬드 필름 감지막을 순차적으로 도포하는 단계; 마스크를 이용하여 상기 다이아몬드 필름 감지막이 관통구멍을 갖고, 상기 관통구멍의 가장자리가 머리빗 형태가 되도록 RIE 에칭(Reactive Ion Etching)하는 단계; 상기 폴리실리콘 박막을 HF 용액으로 에칭하는 단계; 상기 상·하부 Si 웨이퍼를 TMAH(Tetramethyl ammonium hydroxide) 용액으로 에칭하는 단계; 상기 SiO2 박막을 BHF(Buffered Oxide Etchant)로 에칭하는 단계를 포함하고, 상기 과정으로 인해 상기 상·하부 Si 웨이퍼, SiO2 박막, 폴리실리콘 박막과 다이아몬드 필름 감지막을 연통하는 관통구가 생기는 것을 특징으로 하는 다이아몬드 필름 가스 센서의 제조방법
|
