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예열로, 예비환원로, 최종환원로로 이루어진 3단 유동환원로, 이와 연결되는 용융가스화로로 구성되고, 분철광석 및 환원가스의 흐름이 이루어지는 제 1,2,3광석도관, 제 1,2,3가스도관을 갖추는 한편, 환원로 배가스관을 통해 최종배출되는 배가스가 통과하는 환원로 습식제진기를 갖추어 용철을 제조하는 설비에 있어서, 상기 예열로에 연결된 광석장입관 및 제 1,2광석도관을 통하여 상기 유동환원로내로 분철광석과 더불어 장입된 백운석을 제 1,2 및 3가스도관으로부터 공급되는 고온의 환원가스에 의해 상기 예열로, 예비환원로 및 최종환원로에서 소성반응하여 상기 용융가스화로내로 장입하는 제 1소성부; 상기 제 1가스도관으로부터 분기된 제 4가스도관의 일단이 하부면에 연결되고, 석회석공급관을 통하여 석회석이 장입되는 석회석소성로를 갖추고, 상기 석회석소성로로부터 연장되어 상기 용융가스화로에 연결되는 석회석배출관을 갖추어 상기 제 4가스도관으로부터 공급되는 고온의 환원가스에 의해 소성반응된 석회석을 상기 융용가스화로내로 장입하는 제 2소성부; 상기 석회석소성로에서 배출되는 배가스에 포함된 분진을 제거하여 상기 스택으로 배출하는 소성로 습식제진기;를 포함하고, 상기 제 1,2 및 3가스도관에는 분철광석을 유동환원시키는 과정에서 냉각되는 환원가스의 온도를 백운석의 소성온도인 600 내지 800℃의 목표온도로 유지할 수 있도록 환원가스를 연소시키는 제 1,2 및 3버너를 갖추는 한편, 상기 제 4가스도관에는 상기 제 1가스도관에서 분기되는 과정에서 냉각되는 환원가스의 온도를 석회석의 소성온도인 800 내지 1000℃의 목표온도로 유지할 수 있도록 분기된 환원가스를 연소시키는 제 4버너를 포함함을 특징으로 하는 유동환원공정의 부원료 소성장치
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제 1항에 있어서, 상기 석회석소성로는 초기에 장입된 석회석을 차례로 승온, 예열시킨 후 최종적으로 고온의 환원가스로서 소성반응시킬 수 있도록 적어도 2단 이상의 다단으로 구성됨을 특징으로 하는 유동환원공정의 부원료 소성장치
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예열로, 예비환원로, 최종환원로로 이루어진 3단 유동환원로내로 장입된 분철광석을 용융가스화로로부터 공급되는 환원가스에 의해 유동 환원반응시켜 용철을 제조하는 방법에 있어서, 상기 예열로에 연결된 광석장입관 및 제 1,2광석도관을 통하여 상기 유동환원로내로 분철광석과 더불어 백운석을 장입하고; 상기 유동환원로에 장입된 백운석을 제 1,2 및 3가스도관으로부터 공급되는 고온의 환원가스에 의해 소성반응시켜 환원반응된 분철광석과 더불어 상기 용융가스화로내로 장입하며; 상기 제 1가스도관으로부터 분기된 제 4가스도관을 통하여 석회석소성로하부로 공급되는 고온의 환원가스에 의해서 석회석공급관을 통하여 장입된 석회석을 소성반응시키고; 상기 석회석소성로에서 소성반응된 석회석배출관을 통하여서 소성반응된 석회석을 상기 융용가스화로내로 장입하며; 상기 제 1,2 및 3가스도관을 통하여 공급되는 환원가스는 제 1,2 및 3버너에 의해서 연소되어 백운석의 소성온도인 600 내지 800℃의 목표온도로 유지되고, 상기 제 1가스도관에서 분기되는 환원가스는 제 4버너에 의해서 연소되어 석회석의 소성온도인 800 내지 1000℃의 목표온도로 유지됨을 특징으로 하는 유동환원공정의 부원료 소성방법
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제 4항에 있어서, 상기 분철광석과 함께 유동환원로로 장입되는 부원료인 백운석은 스틱킹을 방지하기 위하여 최소량, 분철광석 장입량에 대하여 5%로 장입되고, 나머지투입량과 석회석 전량은 상기 석회석소성로로 장입함을 특징으로 하는 유동환원공정의 부원료 소성방법
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제 4항에 있어서, 상기 분철광석과 함께 유동환원로로 장입되는 부원료인 백운석은 스틱킹을 방지하기 위하여 최소량, 분철광석 장입량에 대하여 5%로 장입되고, 나머지투입량과 석회석 전량은 상기 석회석소성로로 장입함을 특징으로 하는 유동환원공정의 부원료 소성방법
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