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알루미늄 질화물/코발트/알루미늄 질화물 형 나노다층박막 및 이를 이용한 자기 메모리 소자

  • 기술번호 : KST2015104872
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 나노 스케일(nano scale)의 절연체(insulator)와 자성체 입자(magnetic particle)가 일정 간격을 두고 형성되었을 때 발생하는 투과 자기저항 현상(tunneling effect)에 의하여 발생하는 거대 자기저항 발생구조 및 재료에 관한 것으로, 본 발명은 강자성체(ferromagnetic) 나노 입자인 코발트 입자를 절연체인 알루미늄 질화물(AlN) 기지조직에 묻힌 구조로 다층 적층하여 알루미늄 질화물 기지 물질에 묻힌 코발트 입자와 입자 사이에 진행되는 전자의 투과 자기저항 효과에 의하여 발생하는 거대 자기저항(magneto resistance)을 향상하여 자기 메모리, 자기센서 등의 부품소재에 활용할 수 있는 나노 스케일의 다층 박막 및 이를 이용한 자기 소자를 제공한다. 나노 입자, 절연체 및 강자성체, 투과 자기저항 효과, 다층 박막, 자기 메모리
Int. CL B82Y 30/00 (2011.01) G11C 11/15 (2011.01)
CPC G11C 11/161(2013.01) G11C 11/161(2013.01) G11C 11/161(2013.01) G11C 11/161(2013.01)
출원번호/일자 1020030044402 (2003.07.01)
출원인 재단법인 포항산업과학연구원
등록번호/일자 10-0544883-0000 (2006.01.13)
공개번호/일자 10-2005-0005351 (2005.01.13) 문서열기
공고번호/일자 (20060124) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2003.07.01)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 재단법인 포항산업과학연구원 대한민국 경북 포항시 남구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 양충진 대한민국 경상북도포항시남구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 유미특허법인 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 서림빌딩 **층 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 재단법인 포항산업과학연구원 대한민국 경북 포항시 남구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2003.07.01 수리 (Accepted) 1-1-2003-0240207-13
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2004.06.15 수리 (Accepted) 4-1-2004-0025494-38
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2005.02.05 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2005.03.04 수리 (Accepted) 4-1-2005-5020373-24
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2005.03.16 수리 (Accepted) 9-1-2005-0015682-87
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2005.05.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2005-0243227-56
7 의견서
Written Opinion		 2005.07.25 수리 (Accepted) 1-1-2005-0404242-72
8 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 2005.07.25 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2005-0404243-17
9 등록결정서
Decision to grant		 2005.12.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2005-0659303-18
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.05.14 수리 (Accepted) 4-1-2013-0019112-38
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2016.09.28 수리 (Accepted) 4-1-2016-5138263-79
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.10.10 수리 (Accepted) 4-1-2019-5211042-46
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
나노 스케일의 절연체층과 강자성체층 그리고 절연체층이 순차적으로 반복적으로 적층되어 투과 자기저항 효과를 유발하고, 상기 절연체층은 알루미늄 질화물(AlN)이며, 상기 강자성체층은 코발트로 이루어지며, 상기 코발트 층은 코발트 입자가 나노 입자로서 형성되고, 상기 나노 코발트 입자는 알루미늄 질화층 사이에 존재하여 전체적으로 알루미늄 질화층 내부에 일정 간격을 두고 분포되어 있는 것을 특징으로 하는 다층 박막
2 2
삭제
3 3
삭제
4 4
제1 항에 있어서, 상기 알루미늄 질화물층과 상기 코발트층이 3 내지 20 층으로 적층된 것을 특징으로 하는 다층 박막
5 5
제 4항에 있어서, 상기 알루미늄 질화물층의 두께가 1 내지 3 나노 미터인 것을 특징으로 하는 다층 박막
6 6
제 5항에 있어서, 상기 코발트층의 두께가 0
7 7
제 6항에 있어서, 상기 나노 스케일의 다층 박막간에 발생하는 투과 자기저항의 변화율 값(( MR)은 1
8 8
제 1 항 또는 제 5 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항의 다층 박막을 이용한 것을 특징으로 하는 자기 메모리 소자
9 8
제 1 항 또는 제 5 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항의 다층 박막을 이용한 것을 특징으로 하는 자기 메모리 소자
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.