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상온에서 강자성 및 강유전성을 동시에 가지는 층상페롭스카이트 물질 및 이를 포함하는 전자장치

  • 기술번호 : KST2015104881
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 상온에서 강자성 및 강유전성을 동시에 가지는 물질 및 이를 포함하는 전자장치에 관한 것으로, 상기 물질은 하기 화학식 (1) 또는 (2)로 나타내어지는 상온에서 강자성 및 강유전성을 동시에 가지고 층상 페롭스카이트 구조를 가진다: Bi4-xRxTi3O12 (1) Bi4-xRxTi3-yTyO12 (2) 상기 식에서 R 은 Nd, Gd, Pr, Sm, Eu, Tb, Dy, Ho, Er, La, 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 희토류 금속이고, T는 Co, Ni, Fe, Mn, W, V, Nb, Mo, Ta, Zr 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 전이금속이고, x = 0.1 ∼ 3이고, y = 0.001 ∼ 3이다. 상기 물질은 상온 강자성 및 강유전성을 동시에 가지므로 스핀트로닉 장치, 초고속 정보 저장 장치, 마그네틱-일렉트릭 센서, 마그네틱 센서, 일렉트릭 센서, 광전자 장치, 마이크로웨이브 전자 장치, 트랜스듀서 등의 각종 전자장치에 활용할 수 있다. 상온 강자성, 강유전성, 페롭스카이트, 전자장치
Int. CL C01G 23/04 (2006.01)
CPC C01G 23/003(2013.01) C01G 23/003(2013.01) C01G 23/003(2013.01) C01G 23/003(2013.01) C01G 23/003(2013.01)
출원번호/일자 1020030052116 (2003.07.28)
출원인 재단법인 포항산업과학연구원, 학교법인 포항공과대학교
등록번호/일자 10-1022439-0000 (2011.03.08)
공개번호/일자 10-2005-0013458 (2005.02.04) 문서열기
공고번호/일자 (20110315) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2008.07.28)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 재단법인 포항산업과학연구원 대한민국 경북 포항시 남구
2 학교법인 포항공과대학교 대한민국 경상북도 포항시 남구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 전웅 대한민국 경상북도 포항시 남구
2 장현명 대한민국 경상북도 포항시 남구
3 박일우 대한민국 서울특별시 노원구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 유미특허법인 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 서림빌딩 **층 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 학교법인 포항공과대학교 대한민국 경북 포항시 남구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2003.07.28 수리 (Accepted) 1-1-2003-0278274-85
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2004.06.15 수리 (Accepted) 4-1-2004-0025494-38
3 서지사항 보정서
Amendment to Bibliographic items		 2004.07.28 수리 (Accepted) 1-1-2004-0336018-98
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2005.03.04 수리 (Accepted) 4-1-2005-5020373-24
5 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)		 2008.07.28 수리 (Accepted) 1-1-2008-0540156-14
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2010.07.09 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0295738-90
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2010.09.09 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2010-0587085-53
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2010.09.09 수리 (Accepted) 1-1-2010-0587083-62
9 등록결정서
Decision to grant		 2011.01.04 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0005766-24
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.05.14 수리 (Accepted) 4-1-2013-0019112-38
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2016.09.28 수리 (Accepted) 4-1-2016-5138263-79
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.07.25 수리 (Accepted) 4-1-2019-5149263-30
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.10.10 수리 (Accepted) 4-1-2019-5211042-46
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
하기 화학식 (1)로 나타내어지는 상온에서 강자성 및 강유전성을 동시에 가지고 층상 페롭스카이트 구조를 가지는 물질: Bi4-xRxTi3O12 (1) 상기 식에서 R은 Nd, Gd, Pr, Sm, Eu, Tb, Dy, Ho, Er 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 희토류 금속이고, x = 0
2 2
하기 화학식 (2)로 나타내어지는 상온에서 강자성 및 강유전성을 동시에 가지고 층상 페롭스카이트 구조를 가지는 물질: Bi4-xRxTi3-yTyO12 (2) 상기 식에서 R은 Nd, Gd, Pr, Sm, Eu, Tb, Dy, Ho, Er, La 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 희토류 금속이고, T는 Co, Ni, Fe, Mn, W, V, Nb, Mo, Ta, Zr 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 전이금속이고, x = 0
3 3
하기 화학식 (1)로 나타내어지는 상온에서 강자성 및 강유전성을 동시에 가지고 층상 페롭스카이트 구조를 가지는 물질로 이루어진 박막 축전기를 포함하는 전자장치: Bi4-xRxTi3O12 (1) 상기 식에서 R은 Nd, Gd, Pr, Sm, Eu, Tb, Dy, Ho, Er 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 희토류 금속이고, x = 0
4 4
하기 화학식 (2)로 나타내어지는 상온에서 강자성 및 강유전성을 동시에 가지고 층상 페롭스카이트 구조를 가지는 물질로 이루어진 박막 축전기를 포함하는 전자장치: Bi4-xRxTi3-yTyO12 (2) 상기 식에서 R은 Nd, Gd, Pr, Sm, Eu, Tb, Dy, Ho, Er, La 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 희토류 금속이고, T는 Co, Ni, Fe, Mn, W, V, Nb, Mo, Ta, Zr 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 전이금속이고, x = 0
5 5
제3항에 있어서, 상기 전자장치는 스핀트로닉 장치, 초고속 정보 저장 장치, 마그네틱-일렉트릭 센서, 마그네틱 센서, 일렉트릭 센서, 광전자 장치, 마이크로웨이브 전자 장치, 및 트랜스듀서로 이루어진 군에서 선택되는 것인 전자장치
6 6
제4항에 있어서, 상기 전자장치는 스핀트로닉 장치, 초고속 정보 저장 장치, 마그네틱-일렉트릭 센서, 마그네틱 센서, 일렉트릭 센서, 광전자 장치, 마이크로웨이브 전자 장치, 및 트랜스듀서로 이루어진 군에서 선택되는 것인 전자장치
지정국 정보가 없습니다
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 KR101054012 KR 대한민국 FAMILY
2 WO2005009905 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

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