맞춤기술찾기

이전대상기술

비정질 실리콘 산화물 진공증착을 이용한 아연계도금강판의 화성처리방법

  • 기술번호 : KST2015104988
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 비정질 실리콘 산화물 진공증착을 이용한 아연계 도금강판의 화성처리 방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 아연, 아연-철, 아연-니켈 등의 아연계 도금강판의 기본적인 후처리 방법으로 사용되는 크로메이트(chromate) 처리 기술을 대체하기 위한 새로운 개념의 화성처리 대체 기술로서 도금강판의 표면에 실리콘 산화물을 비정질(amorphous) 형태로 진공증착함으로써 환경공해의 주요한 발생요인이 되는 6가 크롬을 사용하지 않으면서 도금강판의 내식성을 크게 강화하는 비정질 실리콘 산화물 진공증착을 이용한 아연계 도금강판의 화성처리 방법에 관한 것이다. 본 발명은 아연계 도금강판의 화성처리 방법에 있어서, 용융도금으로 제조된 아연 도금강판 및 아연-철 합금화 도금강판의 표면에 전자빔 증발원을 이용한 반응성 진공증착법으로 실리콘 산화물을 증착하되, 상기 실리콘 산화물 증착막의 두께는 1,000 nm의 이하로 제한하고, 진공증착 공정에 있어서 소재인 도금강판의 온도는 300℃ 이하로 유지하며, 실리콘 산화물 진공증착 과정 중에 진공조의 산소 분압을 제어하여 최종 증착막 중의 산소 농도를 70 at.% 이하로 하는 것을 특징으로 하는 비정질 실리콘 산화물 진공증착을 이용한 아연계 도금강판의 화성처리 방법을 요지로 한다. 비정질, 실리콘
Int. CL C23C 14/24 (2006.01)
CPC C23C 14/10(2013.01) C23C 14/10(2013.01) C23C 14/10(2013.01)
출원번호/일자 1020030095338 (2003.12.23)
출원인 주식회사 포스코, 재단법인 포항산업과학연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2005-0064066 (2005.06.29) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2003.12.23)
심사청구항수 2

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 주식회사 포스코 대한민국 경상북도 포항시 남구
2 재단법인 포항산업과학연구원 대한민국 경북 포항시 남구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 전중환 대한민국 경상북도포항시남구
2 정진호 대한민국 경상북도포항시북구
3 박치록 대한민국 경상북도포항시북구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 조인제 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길**, *층(역삼동)(특허법인뉴코리아)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
최종권리자 정보가 없습니다
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2003.12.23 수리 (Accepted) 1-1-2003-0491315-55
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2004.06.15 수리 (Accepted) 4-1-2004-0025494-38
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2005.03.04 수리 (Accepted) 4-1-2005-5020373-24
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2005.07.13 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2005.08.12 수리 (Accepted) 9-1-2005-0047465-70
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2005.11.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2005-0593974-08
7 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2006.01.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0059932-44
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.05.14 수리 (Accepted) 4-1-2013-0019112-38
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2016.09.28 수리 (Accepted) 4-1-2016-5138263-79
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.04.30 수리 (Accepted) 4-1-2018-5077322-80
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.09.25 수리 (Accepted) 4-1-2019-5200802-82
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.09.30 수리 (Accepted) 4-1-2019-5204006-48
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.10.10 수리 (Accepted) 4-1-2019-5211042-46
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
아연계 도금강판의 화성처리 방법에 있어서, 용융도금으로 제조된 아연 도금강판 및 아연-철 합금화 도금강판의 표면에 전자빔 증발원을 이용한 반응성 진공증착법으로 실리콘 산화물을 증착하되, 상기 실리콘 산화물 증착막의 두께는 1,000 nm 이하로 제한하고, 진공증착 공정에 있어서 소재인 도금강판의 온도는 300℃ 이하로 유지하며, 실리콘 산화물 진공증착 과정 중에 진공조의 산소 분압을 제어하여 최종 증착막 중의 산소 농도를 70 at
2 2
제1항에 있어서, 상기 실리콘 산화물 피막의 결정구조를 비정질로 제어하는 것을 특징으로 하는 비정질 실리콘 산화물 진공증착을 이용한 아연계 도금강판의 화성처리 방법
3 2
제1항에 있어서, 상기 실리콘 산화물 피막의 결정구조를 비정질로 제어하는 것을 특징으로 하는 비정질 실리콘 산화물 진공증착을 이용한 아연계 도금강판의 화성처리 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.