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에스오아이 실리콘 기판을 이용한 써모파일 적외선 센서및 그의 제작방법

  • 기술번호 : KST2015105143
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 하부실리콘산화막과 하부실리콘층과 중앙실리콘산화막과 상부실리콘층과 상부실리콘산화막을 포함한 SOI 실리콘 기판 위에 고온부와 저온부를 포함하는 써모파일 적외선 센서를 제작하는 방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 SOI 실리콘 기판을 이용한 써모파일 적외선 센서의 제작방법은 고온부가 형성될 부분의 하부실리콘산화막을 패터닝하여 제거하고, 하부실리콘산화막을 마스크로 하여 하부실리콘층을 식각하는 제 1 단계와; 고온부의 흑체가 형성될 부분의 상부실리콘산화막을 패터닝하여 제거하고, 상부실리콘산화막을 마스크로 하여 상부실리콘층을 식각하는 제 2 단계와; 저온부가 형성될 부분의 상부실리콘층을 제거한 후 상부실리콘층과 연결되는 알루미늄전극을 형성하여 열전쌍을 형성하는 제 3 단계와; 고온부가 형성될 부분의 상부실리콘층 위에 상부절연막과 금속박막을 순차적으로 적층하는 제 4 단계와; 알루미늄전극 위에 금속패드와 와이어를 연결하고 에폭시로 채우는 제 5 단계와; 금속박막을 처리하여 흑체를 형성하는 제 6 단계를 포함한다. 멤브레인, 써모파일, 적외선 센서, 열전쌍, 제백효과, SOI웨이퍼
Int. CL H01L 31/09 (2006.01) H01L 35/34 (2006.01)
CPC H01L 35/34(2013.01) H01L 35/34(2013.01) H01L 35/34(2013.01)
출원번호/일자 1020040070718 (2004.09.06)
출원인 재단법인 포항산업과학연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2006-0021981 (2006.03.09) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 취하
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 N
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 재단법인 포항산업과학연구원 대한민국 경북 포항시 남구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김광일 대한민국 경북 포항시 남구
2 김흥락 대한민국 경북 경주시
3 김영덕 대한민국 경북 포항시 남구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 전영일 대한민국 광주 북구 첨단과기로***번길**, ***호(오룡동)(특허법인세아 (광주분사무소))

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2004.09.06 수리 (Accepted) 1-1-2004-0402027-81
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2005.03.04 수리 (Accepted) 4-1-2005-5020373-24
3 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)		 2009.09.07 무효 (Invalidation) 1-1-2009-0549965-12
4 보정요구서
Request for Amendment		 2009.09.15 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2009-0067784-76
5 무효처분통지서
Notice for Disposition of Invalidation		 2009.10.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2009-0079088-32
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.05.14 수리 (Accepted) 4-1-2013-0019112-38
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2016.09.28 수리 (Accepted) 4-1-2016-5138263-79
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.10.10 수리 (Accepted) 4-1-2019-5211042-46
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번호 청구항
1 1
하부실리콘산화막과 하부실리콘층과 중앙실리콘산화막과 상부실리콘층과 상부실리콘산화막을 포함한 SOI 실리콘 기판 위에 고온부와 저온부를 포함하는 써모파일 적외선 센서를 제작하는 방법에 있어서, 상기 고온부가 형성될 부분의 상기 하부실리콘산화막을 패터닝하여 제거하고, 상기 하부실리콘산화막을 마스크로 하여 상기 하부실리콘층을 식각하는 제 1 단계와; 상기 고온부의 흑체가 형성될 부분의 상기 상부실리콘산화막을 패터닝하여 제거하고, 상기 상부실리콘산화막을 마스크로 하여 상기 상부실리콘층을 식각하는 제 2 단계와; 상기 저온부가 형성될 부분의 상기 상부실리콘층을 제거한 후 상기 상부실리콘층과 연결되는 알루미늄전극을 형성하여 열전쌍을 형성하는 제 3 단계와; 상기 고온부가 형성될 부분의 상기 상부실리콘층 위에 상부절연막과 금속박막을 순차적으로 적층하는 제 4 단계와; 상기 알루미늄전극 위에 금속패드와 와이어를 연결하고 에폭시로 채우는 제 5 단계와; 상기 금속박막을 처리하여 흑체를 형성하는 제 6 단계를 포함한 것을 특징으로 하는 SOI 실리콘 기판을 이용한 써모파일 적외선 센서의 제작방법
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 제 2 단계는 상기 상부실리콘층의 두께가 약 1um 정도가 되도록 하고, 상기 고온부의 흑체가 형성될 부분의 상기 상부실리콘산화막을 패터닝하여 제거하고, 상기 상부실리콘산화막을 마스크로 하여 상기 상부실리콘층을 식각하는 것을 특징으로 하는 SOI 실리콘 기판을 이용한 써모파일 적외선 센서의 제작방법
3 3
제 1 항에 있어서, 상기 알루미늄전극의 두께는 0
4 4
제 1 항에 있어서, 상기 제 6 단계는 상기 금속박막을 염화처리 또는 산화처리하여 흑체를 형성하는 것을 특징으로 하는 SOI 실리콘 기판을 이용한 써모파일 적외선 센서의 제작방법
5 4
제 1 항에 있어서, 상기 제 6 단계는 상기 금속박막을 염화처리 또는 산화처리하여 흑체를 형성하는 것을 특징으로 하는 SOI 실리콘 기판을 이용한 써모파일 적외선 센서의 제작방법
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