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알에프 플라즈마 연소 기술에 의한 산화납을 포함하는비정질 나노 분말 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015105570
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본원발명은 상술한 종래기술의 유전층의 필요성을 충족하고자 하는 것으로서, PbO를 40~60% 함유하는 수십 마이크로미터 크기의 유전체 분말을 RF 플라즈마 연소장치에 주입하여 구형이며 크기가 50~500nm로 입도가 일정하며 PbO를 40~60wt% 함유하는 유전체 나노 분말을 제조할 수 있도록 하는 알에프 플라즈마 연소 기술에 의한 산화납을 포함하는 비정질 나노 분말 제조 방법을 제공하는 것을 그 목적으로 한다.상술한 목적을 달성하기 위한 본원발명의 알에프 플라즈마 연소 기술에 의한 산화납을 포함하는 비정질 나노 분말 제조 방법은, 납 고함유 유전체 분말로 이루어지는 전구체 분말을 형성하는 전구체형성과정과; 상기 전구체형성과정에서 생성된 전구체 분말을 알에프 플라즈마를 적용하여 나노 물질로 변환하는 플라즈마변환과정을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.플라즈마 디스플레이, 산화납, 유전층, 비정질 나노 입자 분말, 알에프 플라즈마
Int. CL C01G 21/02 (2006.01.01) B01J 19/08 (2015.01.01) B82Y 30/00 (2017.01.01) B82Y 40/00 (2017.01.01)
CPC C01G 21/02(2013.01) C01G 21/02(2013.01) C01G 21/02(2013.01) C01G 21/02(2013.01) C01G 21/02(2013.01)
출원번호/일자 1020060132999 (2006.12.22)
출원인 재단법인 포항산업과학연구원, 주식회사 케이알엠, 주식회사 미래세라텍
등록번호/일자 10-0876156-0000 (2008.12.19)
공개번호/일자 10-2008-0058845 (2008.06.26) 문서열기
공고번호/일자 (20081231) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2006.12.22)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 재단법인 포항산업과학연구원 대한민국 경북 포항시 남구
2 주식회사 케이알엠 대한민국 경상북도 포항시 남구
3 주식회사 미래세라텍 대한민국 경상북도 포항시 남구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 최승덕 대한민국 경북 포항시 남구
2 이영주 대한민국 경북 포항시 남구
3 박언병 대한민국 경상북도 포항시 남구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 홍성철 대한민국 서울특별시 금천구 가산디지털*로 ***, 에이스하이-엔드타워*제*층 ***호 홍익국제특허법률사무소 (가산동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 재단법인 포항산업과학연구원 대한민국 경북 포항시 남구
2 주식회사 케이알엠 대한민국 경상북도 포항시 남구
3 주식회사 미래세라텍 대한민국 경상북도 포항시 남구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2006.12.22 수리 (Accepted) 1-1-2006-0956732-13
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2007.10.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0590626-89
3 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2007.12.28 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2007-0943965-85
4 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2007.12.28 수리 (Accepted) 1-1-2007-0943966-20
5 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal
2008.04.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0232669-79
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2008.06.27 수리 (Accepted) 1-1-2008-0465650-64
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2008.06.27 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2008-0465649-17
8 등록결정서
Decision to grant
2008.10.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0546281-99
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.05.14 수리 (Accepted) 4-1-2013-0019112-38
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.05.22 수리 (Accepted) 4-1-2013-0020978-74
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2016.09.28 수리 (Accepted) 4-1-2016-5138263-79
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.10.10 수리 (Accepted) 4-1-2019-5211042-46
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
산화납(PbO)을 40~60 중량% 함유하는 유전체 분말로 이루어지는 비정질 마이크로 전구체 분말을 형성하는 전구체형성과정과;상기 전구체형성과정에서 생성된 비정질 마이크로 전구체 분말을 알에프 플라즈마 연소법을 적용하여 나노 크기의 분말로 제조하는 플라즈마변환과정을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 알에프 플라즈마 연소 기술에 의한 산화납을 포함하는 비정질 나노 분말 제조 방법
2 2
청구항 1에 있어서, 상기 전구체형성과정은,산화납(PbO)을 함유하는 유전체 분말을 용융하여 혼합하는 혼합과정과;상기 혼합과정 후 냉각한 후 기계적 분쇄를 수행하여 산화납(PbO)을 40~60 wt% 함유하는 비정질 마이크로 전구체 분말을 형성하는 비정질 마이크로 분말 형성과정;을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 알에프 플라즈마 연소 기술에 의한 산화납을 포함하는 비정질 나노 분말 제조 방법
3 3
청구항 1에 있어서, 상기 유전체 분말은, PbO, B2O3, SiO2, ZnO, BaO를 포함하는 것을 특징으로 하는 알에프 플라즈마 연소 기술에 의한 산화납을 포함하는 비정질 나노 분말 제조 방법
4 4
청구항 1에 있어서, 상기 유전체 분말은,산화납 (PbO), 산화붕소 (B2O3), 산화규소 (SiO2), 산화아연 (ZnO), 산화바륨(BaO)을 중량 비로 각각, 50%, 30%, 4%, 5%, 11%을 포함하는 것을 특징으로 하는 알에프 플라즈마 연소 기술에 의한 산화납을 포함하는 비정질 나노 분말 제조 방법
5 5
청구항 1에 있어서, 상기 플라즈마 변환과정은,상기 비정질 마이크로 전구체 분말과 중앙가스, 차단가스를 유도 플라즈마 토치에 공급하는 마이크로분말공급과정과;상기 유도플라즈마 토치에 알에프 전원을 공급하여 가열하여 상기 비정질 마이크로 전구체 분말을 플라즈마 형태로 변환하는 플라즈마화과정과;상기 플라즈마화과정에서 생성된 플라즈마 형태의 혼합물을 냉각하여 나노 크기의 입자를 생성시키는 냉각과정을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 알에프 플라즈마 연소 기술에 의한 산화납을 포함하는 비정질 나노 분말 제조 방법
6 6
청구항 5에 있어서, 상기 플라즈마화과정의 플라즈마 온도는 5,000~ 10,000K인 것을 특징으로 하는 알에프 플라즈마 연소 기술에 의한 산화납을 포함하는 비정질 나노 분말 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.