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Ti 충진부에 Ti를 포함하는 금속 물질 및 Cl2 기체를 채우고 가열하는 Ti 함유 기체 생성 단계;Ti와 반응하여 생성된 Ti 함유 기체를 연결부를 통해 상기 Ti 충진부로부터 Ti 기상 증착부로 이동시키는 이동 단계; 및상기 Ti 기상 증착부에서 상기 Ti 함유 기체를 냉각하여 Ti를 박막 코팅하는 코팅 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 Ti 박막 코팅 방법
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제1항에 있어서,상기 Ti를 포함하는 금속 물질은 Ti sponge, Ti 박판 및 Ti powder로 이루어진 그룹으로부터 선택되어진 1종 또는 2종 이상의 금속 물질인 것을 특징으로 하는 Ti 박막 코팅 방법
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제1항에 있어서, 상기 Ti 함유 기체 생성 단계는 1100~1600℃에서 이루어지는 것을 특징으로 하는 Ti 박막 코팅 방법
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제1항에 있어서, 상기 연결부의 온도는 상기 Ti 충진부의 온도와 같거나 높게 유지되는 것을 특징으로 하는 Ti 박막 코팅 방법
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제1항에 있어서, 상기 코팅 단계는 960 이상, Ti 충진부 온도 이하에서 이루어지는 것을 특징으로 하는 Ti 박막 코팅 방법
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제1항에 있어서, 코팅 단계에서 남은 기체를 재활용하기 위해 재순환 연결부를 통해 다시 Ti 충진부로 재순환시키는 단계를 추가적으로 포함하는 Ti 박막 코팅 방법
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Ti 기상 증착부, Ti 충진부 및 상기 Ti 기상 증착부와 상기 Ti 충진부가 유체 연통되어 내부 기체가 상기 Ti 기상 증착부로부터 상기 Ti 충진부를 거쳐 다시 Ti 기상 증착부로 순환될 수 있도록 설치된 연결부 및 재순환 연결부로 구성된 Ti 박막 코팅 장치
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