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원료 분말을 플라즈마 챔버에 공급하는 분말 공급 단계; 상기 플라즈마 챔버를 둘러싸고 있는 인덕션 코일에 의해 발생된 고주파 플라즈마에 의해 상기 원료 분말을 연소시키는 연소 단계; 및 연소된 상기 원료 분말을 급냉시켜 나노 분말을 생성하는 나노 분말 생성 단계 를 포함하고,상기 원료 분말은 CeO2이고,상기 나노 분말 생성 단계는, 연소된 상기 원료 분말이 비활성 가스에 의해 급냉되는 단계를 포함하고,상기 인덕션 코일의 내벽에 분말이 흡착되는 것을 방지하기 위하여 시스 가스가 공급되는 것을 특징으로 하는 나노 분말의 제조 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 분말 공급 단계는, 상기 원료 분말이 캐리어 가스에 의해 상기 플라즈마 챔버로 이송되는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 나노 분말의 제조 방법
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제 2 항에 있어서, 상기 캐리어 가스는 산소 또는 아르곤인 것을 특징으로 하는 나노 분말의 제조 방법
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제 2 항에 있어서,상기 캐리어 가스의 유속은 5 내지 40 slpm인 것을 특징으로 하는 나노 분말의 제조 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 분말 공급 단계는,상기 원료 분말이 분말 공급장치로부터 노즐을 통해 상기 플라즈마 챔버에 공급되는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 나노 분말의 제조 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 원료 분말의 평균 입도는 10 내지 10 마이크론인 것을 특징으로 하는 나노 분말의 제조 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 분말 공급 단계는, 유속이 10 내지 80 slpm인 아르곤과 유속이 10 내지 100 slpm인 산소를 함께 상기 플라즈마 챔버에 공급하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 나노 분말의 제조 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 플라즈마의 온도는 5,000 내지 10,000 K인 것을 특징으로 하는 나노 분말의 제조 방법
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삭제
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제 1 항에 있어서, 상기 비활성 가스의 유속은 50 내지 400 slpm인 것을 특징으로 하는 나노 분말의 제조 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 나노 분말 생성 단계 후에, 상기 나노 분말이 필터에 공급되어 상기 필터의 내부에 흡착되는 흡착 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 나노 분말의 제조 방법
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제 11 항에 있어서, 상기 흡착 단계 후에, 상기 나노 분말이 상기 필터의 내부로부터 분리되어 회수되는 회수 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 나노 분말의 제조 방법
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인덕션 코일에 의해 둘러싸이되 내측에서 고주파 플라즈마가 발생하는 플라즈마 챔버;노즐을 통해 상기 플라즈마 챔버에 원료 분말을 공급하는 분말 공급장치; 상기 플라즈마 챔버에 연결되는 필터; 및 상기 필터의 일측에 구비되는 회수통 을 포함하고,상기 원료 분말은 CeO2이고,상기 노즐은 상기 플라즈마 챔버의 내측까지 연장되고, 상기 노즐의 하단과 상기 인덕션 코일의 중심 사이의 거리는 3cm 이내이고,상기 인덕션 코일의 내벽에 분말이 흡착되는 것을 방지하기 위하여 시스 가스가 공급되는 것을 특징으로 하는 나노 분말의 제조 장치
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