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지름이 10㎛ 내지 100㎛인 산화마그네슘(MgO) 및 희토류 금속산화물 분말을 제조하는 단계, 상기 제조된 분말을 기계적으로 혼합하여 혼합분말을 제조하는 단계, 상기 혼합분말을 분말주입가스(carrier gas)와 함께 RF(Radio Frequency) 플라스마(Plasma) 연소장치에 주입하는 단계, 상기 RF 플라스마 연소장치에 중앙가스(central gas), 차단가스(sheath gas)를 공급하는 단계, 상기 RF(Radio Frequency) 플라스마(Plasma) 연소장치에 급랭가스(quenching gas)를 공급하는 단계를 포함하는 나노분말 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 희토류 금속 산화물은 CeO2인 나노분말 제조방법
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제2항에 있어서 상기 혼합분말은 CeO2의 몰 비율(mol%)이 1~20이고 나머지가 산화마그네슘(MgO) 및 불가피한 불순물로 이루어진 나노분말 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 중앙가스 및 급랭가스는 불활성 기체이고, 상기 차단가스는 불활성 기체 및 산소의 혼합 기체이며, 상기 분말주입가스는 산소인 나노분말 제조방법
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제4항에 있어서, 상기 중앙가스는 5~40slpm으로 공급하고, 상기 급랭가스는 50~400slpm으로 공급하며, 상기 차단가스는 불활성 기체 10~80slpm 및 산소 10~100splm가 혼합하여 공급하고, 상기 분말주입가스는 5~40slpm으로 공급하는 나노분말 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 RF 플라스마 연소장치에 15~150KW의 전력을 공급하는 나노분말 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 플라스마 연소장치는 혼합된 분말을 분사하는 노즐 및 RF(Radio Frequency) 에너지를 발생하는 유도 코일을 포함하고,상기 노즐 및 유도 코일의 간격을 0
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제1항에 있어서, 상기 제조된 나노분말을 성형 및 소결하는 단계를 더 포함하는 증착 타깃(target) 제조방법
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제1항의 방법으로 제조된, 희토류 금속산화물이 도핑(doping)된 산화마그네슘(MgO) 나노분말
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제9항에 있어서, 상기 희토류 금속 산화물은 CeO2 인 산화마그네슘 나노분말
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지름이 10㎛ 내지 100㎛인 산화마그네슘(MgO) 및 CeO2 분말을 제조하는 단계, 상기 제조된 각각의 분말을 CeO2의 몰 비율(mol%)이 1~20이 되도록 기계적으로 혼합하여 혼합분말을 제조하는 단계, 상기 혼합분말을 분말주입가스와 함께 RF 플라스마 연소장치에 주입하는 단계, 상기 RF 플라스마 연소장치에 중앙가스, 차단가스를 공급하는 단계, 상기 RF 플라스마 연소장치에 급랭가스를 공급하는 단계를 포함하고, 상기 분말주입가스로는 산소를 5~40slpm으로 공급하고, 상기 중앙가스로는 불활성 기체를 5~40slpm으로 공급하며, 상기 급랭가스로는 불활성 기체를 50~400slpm로 공급하고, 상기 차단가스로는 불활성 기체 10~80slpm 및 산소 10~100splm가 혼합하여 공급하며, 상기 RF 플라스마 연소장치에 15~150kW의 전력을 공급하는 나노분말 제조방법
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제11항에 있어서, 상기 제조된 나노분말을 성형 및 소결하는 단계를 더 포함하는 증착 타깃 제조방법
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제11항의 방법으로 제조된, CeO2 가 도핑된 산화마그네슘(MgO) 나노분말
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