맞춤기술찾기

이전대상기술

접촉 연소식 수소센서 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2015105964
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 접촉 연소식 수소센서 및 그 제조방법이 제공된다. 본 발명의 접촉 연소식 수소센서는 실리콘(Si)기판과; 상기 실리콘기판의 상부면에 형성되고, 실리콘산화막(SiO2)/실리콘질화막(Si3N4)/실리콘산화막(SiO2) 순으로 이루어진 적층막과; 상기 적층막의 상부에 접착력을 향상시키도록 형성된 접착층과; 상기 접착층의 상부에 형성되어 수소를 감지하고 가열 기능을 수행하도록 된 코일 형태의 백금히터와; 전극층이 증착되는 부분을 제외한 백금히터의 상부에 증착 형성되어 백금히터의 절연기능을 수행하는 절연층과; 상기 백금히터의 양단 끝 부분에 형성된 전극층과; 상기 절연층의 상부에 백금족 촉매를 알루미나 담체에 분산시켜 제작된 세라믹 촉매를 형성한 촉매층; 및 상기 실리콘기판과, 실리콘기판의 하부면에 차례로 형성된 실리콘산화막과 실리콘질화막이 건식 에칭되어 형성된 멤브레인부를 포함하여 이루어지는 검지소자를 구비하는 것을 특징으로 한다. 수소센서(Hydrogen Sensor), MEMS(Micro Electro Mechanical System), 접촉 연소식, 촉매(Catalyst), 백금(Pt)
Int. CL G01N 27/12 (2006.01) G01N 27/16 (2006.01) G01N 27/14 (2006.01)
CPC G01N 27/16(2013.01) G01N 27/16(2013.01) G01N 27/16(2013.01) G01N 27/16(2013.01) G01N 27/16(2013.01)
출원번호/일자 1020080085957 (2008.09.01)
출원인 재단법인 포항산업과학연구원, 세종공업 주식회사
등록번호/일자 10-1504943-0000 (2015.03.17)
공개번호/일자 10-2010-0026810 (2010.03.10) 문서열기
공고번호/일자 (20150324) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2013.07.24)
심사청구항수 4

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 재단법인 포항산업과학연구원 대한민국 경북 포항시 남구
2 세종공업 주식회사 대한민국 울산광역시 북구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 김흥락 대한민국 경상북도 포항시 남구
2 이경일 대한민국 경상북도 포항시 남구
3 조용준 대한민국 경상북도 영주시 문수면
4 서호철 대한민국 울산광역시 북구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 홍성철 대한민국 서울특별시 금천구 가산디지털*로 ***, 에이스하이-엔드타워*제*층 ***호 홍익국제특허법률사무소 (가산동)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 재단법인 포항산업과학연구원 경북 포항시 남구
2 세종공업 주식회사 울산광역시 북구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2008.09.01 수리 (Accepted) 1-1-2008-0622326-70
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.05.14 수리 (Accepted) 4-1-2013-0019112-38
3 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2013.07.24 수리 (Accepted) 1-1-2013-0668221-14
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2014.09.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0669762-41
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2014.11.11 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2014-1085291-94
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2014.11.11 수리 (Accepted) 1-1-2014-1085290-48
7 등록결정서
Decision to grant
2015.03.10 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0165431-02
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.09.11 수리 (Accepted) 4-1-2015-5122424-70
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2016.09.28 수리 (Accepted) 4-1-2016-5138263-79
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.10.10 수리 (Accepted) 4-1-2019-5211042-46
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
실리콘(Si)기판과;상기 실리콘기판의 상부면에 형성되고, 실리콘산화막(SiO2)/실리콘질화막 (Si3N4)/실리콘산화막(SiO2) 순으로 이루어진 적층막과;상기 적층막의 상부에 접착력을 향상시키도록 형성된 접착층과;상기 접착층의 상부에 형성되어 수소를 감지하고 가열 기능을 수행하도록 된 코일 형태의 백금히터와;전극층이 증착되는 부분을 제외한 백금히터의 상부에 증착 형성되어 백금히터의 절연기능을 수행하는 절연층과; 상기 백금히터의 양단 끝 부분에 형성된 전극층과; 상기 절연층의 상부에 백금족 촉매를 알루미나 담체에 분산시켜 제작된 세라믹 촉매를 형성한 촉매층; 및상기 실리콘기판과, 실리콘기판의 하부면에 차례로 형성된 실리콘산화막과 실리콘질화막이 건식 에칭되어 형성된 멤브레인부를 포함하여 이루어지는 검지소자를 구비하는 접촉 연소식 수소센서로서, 상기 수소센서는 상기 검지소자와, 검지소자의 구성에서 촉매층이 형성되어 있지 않은 구조로 된 보상소자가 칩-본딩(Chip-Bonding)되어 하나의 패키지 내에 구성된 것을 특징으로 하는 접촉 연소식 수소센서
2 2
청구항 1에 있어서, 상기 실리콘산화막은 5000~9000Å의 두께로 형성되고, 상기 실리콘질화막은 3000~6000Å의 두께로 형성되고, 상기 백금히터와 전극층은 1000~3000Å의 두께로 형성되고, 상기 접착층은 100~300Å의 두께로 형성되고, 상기 절연층은 2000~3500Å의 두께로 형성되며, 상기 멤브레인부는 16000~38000Å의 두께로 형성되는 것을 특징으로 하는 접촉 연소식 수소센서
3 3
삭제
4 4
실리콘기판의 상부면과 하부면에 건식 산화방식으로 SiO2를 증착하여 제1실리콘산화막을 형성하는 제1단계와;상기 제1단계에서 실리콘기판의 상부면에 형성된 제1실리콘산화막의 상부 및 실리콘기판의 하부면에 형성된 제1실리콘산화막의 하부에 실리콘질화막을 형성하는 제2단계와;상기 제2단계에서 제1실리콘산화막의 상부에 형성된 실리콘질화막의 상부에 제2실리콘산화막을 형성하는 제3단계와;상기 제3단계에서 형성된 제2실리콘산화막의 상부에 접착층을 형성하는 제4단계와;상기 제4단계에서 형성된 접착층의 상부에 백금히터를 형성하는 제5단계와;상기 제5단계에서 형성된 백금히터를 덮도록 백금히터의 상부에 절연층을 형성하는 제6단계와;상기 제5단계에서 형성된 백금히터의 양단 끝 부분에 전극층을 형성하는 제7단계와;실리콘기판과, 상기 제1단계에서 실리콘기판의 하부면에 형성된 제1실리콘산화막과, 상기 제2단계에서 제1실리콘산화막의 하부에 형성된 실리콘질화막을 건식 에칭하여 백에칭부를 형성하는 제8단계; 및 상기 제6단계에서 형성된 절연층의 상부에 백금족 촉매를 알루미나 담체에 분산시켜 세라믹 촉매층을 형성하는 제9단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 접촉 연소식 수소센서 제조방법
5 5
청구항 4의 제1단계~제9단계에 의해 검지소자를 제조하는 단계와, 청구항 4의 제1단계~제8단계에 의해 보상소자를 제조하는 단계와, 상기 검지소자와 보상소자를 하나의 패키지 내에서 분리된 상태로 칩-본딩하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 접촉 연소식 수소센서 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.