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토치부를 구비하여 플라즈마를 발생시키는 플라즈마 발생장치 및 플라즈마 발생장치의 토치부에 의해 발생되는 플라즈마 화염부로 분말을 분사하도록 플라즈마 발생장치의 내부에 구비되는 분말 분사노즐을 포함하는 분말제조장치를 이용하여 나노 SmCo5 분말을 제조하는 방법으로서,상기 분말 분사노즐을 통해 입도 10~100㎛ 범위의 SmCo5 분말을 플라즈마 발생장치의 토치부로 공급하면서 토치부에서 플라즈마를 발생시켜 상기 SmCo5 분말을 기화 또는 용해시키는 단계; 상기와 같이 기화 또는 용해된 SmCo5 분말에 퀀칭가스를 공급해서 나노 크기의 SmCo5 분말을 제조하는 단계; 및상기 나노 크기의 SmCo5 분말을 필터링하여 입도 250nm 이하 범위의 나노 분말을 회수하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 나노 SmCo5 분말의 제조방법
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제 1항에 있어서,상기 플라즈마는 RF 플라즈마이고, 상기 플라즈마의 발생파워는 15~150 kW 범위인 것을 특징으로 하는 나노 SmCo5 분말의 제조방법
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제 1항 또는 제 2항에 있어서,상기 분말 분사노즐의 외벽에는 센트럴가스가 공급되고, 상기 분말 분사노즐과 토치부 사이에는 시스가스가 공급되고 상기 입도 10~100㎛ 범위의 SmCo5 분말이 캐리어가스에 의해 공급되는 것을 특징으로 하는 나노 SmCo5 분말의 제조방법
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제 3항에 있어서,상기 시스가스는 불활성가스와 수소가스로 이루어지고, 상기 센트럴가스는 불활성가스로 이루어지고, 상기 캐리어가스는 불활성가스로 이루어지며, 상기 시스가스 중의 불활성가스의 유량은 10~120 slpm(standard liter per minute) 범위이고, 상기 수소가스의 유량은 10~50 slpm 범위이며,상기 센트럴가스의 유량은 5~40 slpm 범위이고,상기 캐리어가스의 유량은 5~40 slpm 범위인 것을 특징으로 하는 나노 SmCo5 분말의 제조방법
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제 3항에 있어서,상기 퀀칭가스는 불활성가스로 이루어지고, 상기 캐리어가스의 유량은 50~400 slpm 범위인 것을 특징으로 하는 나노 SmCo5 분말의 제조방법
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제 1항 또는 제 2항에 있어서,상기 나노 SmCo5 분말은 입도 20~250nm 범위인 것을 특징으로 하는 나노 SmCo5 분말의 제조방법
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제 1항에 있어서,상기 플라즈마는 분말 분사노즐과 일정간격을 두고 상기 토치부에 구비되는 인덕션 코일에 의해 발생되고, 상기 분말 분사노즐과 플라즈마 토치부의 인덕션 코일 중심과의 간격은 3cm 이하인 것을 특징으로 하는 나노 SmCo5 분말의 제조방법
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제 1항 또는 제 7항에 있어서,상기 나노 SmCo5 분말의 입도는 상기 플라즈마의 발생파워, 상기 노즐과 플라즈마 토치부의 인덕션 코일 중심과의 간격, 상기 입도 10~100㎛ 범위의 SmCo5 분말의 공급량 및 상기 퀀칭 가스의 양 중 적어도 하나에 의해 결정되는 것을 특징으로 하는 나노 SmCo5 분말의 제조방법
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제 1항, 제 2항 및 제 7항 중의 어느 한 항에 기재된 제조방법에 의해 제조된 나노 SmCo5 분말을 성형한 후 순간 접합 열처리하여 소결 영구자석을 제조하는 것을 특징으로 영구자석의 제조방법
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