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광석 분쇄 방법

  • 기술번호 : KST2015106237
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 광석을 분쇄하기 전에 예비 처리를 행함으로써 광석의 강도를 낮출 수 있도록, 광석을 분쇄하기 전에 광석에 에너지를 전달하여 미소 균열을 야기하는 단계를 더 포함하는 광석 분쇄 방법을 제공한다.
Int. CL B02C 1/02 (2006.01)
CPC B02C 1/02(2013.01) B02C 1/02(2013.01) B02C 1/02(2013.01) B02C 1/02(2013.01) B02C 1/02(2013.01)
출원번호/일자 1020100029494 (2010.03.31)
출원인 재단법인 포항산업과학연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2011-0109671 (2011.10.06) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항 심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2010.03.31)
심사청구항수 1

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 재단법인 포항산업과학연구원 대한민국 경북 포항시 남구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 조기현 대한민국 경상북도 포항시 남구
2 박종민 대한민국 전라남도 광양시 금호로 *
3 최주 대한민국 경상북도 포항시 북구
4 김찬욱 대한민국 경상북도 포항시 남구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 유미특허법인 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 서림빌딩 **층 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
최종권리자 정보가 없습니다
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2010.03.31 수리 (Accepted) 1-1-2010-0206785-14
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2011.07.11 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2011.08.12 수리 (Accepted) 9-1-2011-0065666-69
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2011.08.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0475973-14
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2011.10.24 수리 (Accepted) 1-1-2011-0831478-30
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2011.10.24 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0831479-86
7 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2012.01.12 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0022802-69
8 [법정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Extension of Legal Period] Request for Extension of Period (Reduction, Expiry Reconsideration)
2012.02.13 접수중 (On receiving) 7-1-2012-0006918-29
9 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2012.03.13 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2012-0202499-47
10 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2012.03.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0189216-39
11 심사관의견요청서
Request for Opinion of Examiner
2012.06.27 수리 (Accepted) 7-8-2012-0020828-55
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.05.14 수리 (Accepted) 4-1-2013-0019112-38
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2016.09.28 수리 (Accepted) 4-1-2016-5138263-79
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.10.10 수리 (Accepted) 4-1-2019-5211042-46
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
광석을 분쇄하기 전에 광석에 에너지를 전달하여 미소 균열을 야기하는 단계를 더 포함하는 광석 분쇄 방법
2 2
제 1 항에 있어서,상기 광석에 전달되는 에너지는 광석에 직접 전달되는 파동에너지인 광석 분쇄 방법
3 3
제 2 항에 있어서, 상기 파동에너지는 수백MHz ~ 수GHz 대역의 마이크로파인 광석 분쇄 방법
4 4
제 1 항에 있어서,상기 광석에 전달되는 에너지는 간접 가열 방식의 열에너지인 광석 분쇄 방법
5 5
제 4 항에 있어서,상기 열에너지는 수KHz ~ 수십KHz 대역의 고주파에 의한 유도가열 에너지인 광석 분쇄 방법
6 6
제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 광석에 에너지를 전달하는 단계에서 광석의 입도는 5mm 이상 50mm 이하인 광석 분쇄 방법
7 7
제 6 항에 있어서,상기 에너지 전달 단계를 통한 광석 온도 상승 범위는 700 ~ 800℃인 광석 분쇄 방법
8 8
제 1 항에 있어서,상기 광석은 망간 광석인 광석 분쇄 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.