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금속 나노 클러스터를 이용한 단전자 메모리 소자의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015106359
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 게이트(gate)가 내장된 산화막 위에 하기 화학식으로 표시되는, 직경이 2nm 정도 크기의 금속 나노 클러스터를 자기조립 단일막(self-assembled monolayer, SAM) 형태로 증착시킨 후, 상기 자기조립 단일막 위에 산화막을 증착하고, 단전자를 주입하거나 제거하고 주입된 전자를 감지할 수 있는 주사형 팁을 부착함으로써 제조되는, 상온에서 작동 가능한 단전자(single-electron) 메모리 소자의 제조방법에 관한 것이다. [화학식] Au55(PPh3)12Cl6 단전자 메모리 소자, 나노 분자, 자기조립 단일막, SAM, 나노클러스터, 초고집적.
Int. CL H01L 21/8247 (2006.01) H01L 27/115 (2006.01)
CPC H01L 21/28273(2013.01) H01L 21/28273(2013.01) H01L 21/28273(2013.01)
출원번호/일자 1020090135499 (2009.12.31)
출원인 재단법인 포항산업과학연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2011-0078640 (2011.07.07) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2014.12.22)
심사청구항수 1

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 재단법인 포항산업과학연구원 대한민국 경북 포항시 남구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이영주 대한민국 경상북도 포항시 남구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 유미특허법인 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 서림빌딩 **층 (역삼동)

최종권리자

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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2009.12.31 수리 (Accepted) 1-1-2009-0820733-73
2 보정요구서
Request for Amendment
2010.01.07 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2010-0001832-69
3 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2010.01.29 수리 (Accepted) 1-1-2010-0063624-17
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.02.13 수리 (Accepted) 4-1-2012-5031505-54
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.05.14 수리 (Accepted) 4-1-2013-0019112-38
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.12.23 수리 (Accepted) 4-1-2013-5173442-07
7 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2014.12.22 수리 (Accepted) 1-1-2014-1246880-53
8 [출원인변경]권리관계변경신고서
[Change of Applicant] Report on Change of Proprietary Status
2015.01.22 수리 (Accepted) 1-1-2015-0068888-08
9 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2015.07.10 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
10 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2015.09.10 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2015-0074568-14
11 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2015.10.10 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0697492-54
12 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2015.12.09 수리 (Accepted) 1-1-2015-1207695-99
13 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2015.12.09 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2015-1207698-25
14 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2016.01.15 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0038073-48
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2016.09.28 수리 (Accepted) 4-1-2016-5138263-79
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.10.10 수리 (Accepted) 4-1-2019-5211042-46
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
게이트(gate)가 내재된 산화막 위에 하기 화학식으로 표시되는 나노 클러스터를 자기조립 단일막(self-assembled monolayer, SAM)의 형태로 증착하는 것을 특징으로 하는 단전자 메모리 소자의 제조방법
2 2
제1항에 있어서, 상기 자기조립 단일막을 보호하기 위해 자기조립 단일막 위에 산화막을 증착하는 것을 특징으로 하는 제조방법
3 3
제1항 또는 제2항에 있어서, 전압을 인가하여 상기 나노 클러스터에 단전자를 주입 또는 제거할 수 있는 주사형 팁을 장착하는 것을 특징으로 하는 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.