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초극두께의다결정실리콘박막형성방법

  • 기술번호 : KST2015106759
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 단전자 소자등에 이용되는 다결정 실리콘 박막의 형성방법에 관한 것이며, 그 목적은 초극두께의 단결정 실리콘 박막을 보다 용이하게 제조할 수 있는 방법을 제공함에 있다.상기 목적을 달성하기 위한 본 발명은, 실리콘 기판에 SiO2 산화막을 형성하는 단계; 상기 산화막이 형성된 기판을 급속가열하고, 함 규소가스의 분해온도로 유지하면서 함규소가스를 주입하여 산화막위에 300-400Å의 비정질박막을 형성하는 단계; 상기 비정질박막이 형성된 기판을 산화성분위기에서 급속가열하여 900-1050℃의 온도에서 10-12초동안 유지하여 비정질박막의 50-100Å은 다결정화하고, 그 위의 비정질박막을 산화시키는 단계; 및 상기 다결정 실리콘 박막위에 형성된 산화층을 식각하여 제거하는 단계;를 포함하여 이루어지는 초극두께의 다결정 실리콘 박막형성 방법에 관한 것을 요지로 한다.
Int. CL C30B 25/00 (2006.01)
CPC C30B 25/16(2013.01) C30B 25/16(2013.01) C30B 25/16(2013.01) C30B 25/16(2013.01)
출원번호/일자 1019970073585 (1997.12.24)
출원인 재단법인 포항산업과학연구원
등록번호/일자 10-0340587-0000 (2002.05.31)
공개번호/일자 10-1999-0053882 (1999.07.15) 문서열기
공고번호/일자 (20020918) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1999.10.12)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 재단법인 포항산업과학연구원 대한민국 경북 포항시 남구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 고재석 대한민국 경상북도 포항시 남구
2 김광일 대한민국 경상북도 포항시 남구
3 이광철 대한민국 경상북도 포항시 남구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 손원 대한민국 서울 강남구 언주로 **길 **, 대림아크로텔 *층(도곡동)(특허법인씨엔에스)
2 이성동 대한민국 서울 강남구 언주로 **길 **, 대림아크로텔 *층(도곡동)(특허법인씨엔에스)
3 전준항 대한민국 서울특별시 강남구 언주로**길 **, 대림아크로텔 ****호 (도곡동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 재단법인 포항산업과학연구원 대한민국 경북 포항시 남구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 대리인선임신고서
Notification of assignment of agent		 1997.12.24 수리 (Accepted) 1-1-1997-0229134-43
2 특허출원서
Patent Application		 1997.12.24 수리 (Accepted) 1-1-1997-0229133-08
3 출원심사청구서
Request for Examination		 1999.10.12 수리 (Accepted) 1-1-1999-5357546-72
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2000.01.21 수리 (Accepted) 4-1-2000-0007991-58
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2001.09.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2001-0270155-41
6 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period		 2001.11.23 수리 (Accepted) 1-1-2001-5322858-75
7 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period		 2001.12.17 수리 (Accepted) 1-1-2001-5342838-20
8 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 2002.01.28 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2002-5024326-20
9 의견서
Written Opinion		 2002.01.28 수리 (Accepted) 1-1-2002-5024325-85
10 등록결정서
Decision to grant		 2002.04.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2002-0156419-93
11 FD제출서
FD Submission		 2002.06.04 수리 (Accepted) 2-1-2002-5108581-83
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.13 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065864-86
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2004.06.15 수리 (Accepted) 4-1-2004-0025494-38
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2005.03.04 수리 (Accepted) 4-1-2005-5020373-24
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.05.14 수리 (Accepted) 4-1-2013-0019112-38
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2016.09.28 수리 (Accepted) 4-1-2016-5138263-79
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.10.10 수리 (Accepted) 4-1-2019-5211042-46
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번호 청구항
1 1

다결정 실리콘 박막의 형성방법에 있어서,

실리콘 기판에 SiO2 산화막을 형성하는 단계;

상기 산화막이 형성된 기판을 급속가열하고, 함 규소가스의 분해온도로 유지하면서 함규소가스를 주입하여 산화막위에 두께 300-400Å의 비정질박막을 형성하는 단계;

상기와 같은 두께의 비정질박막이 형성된 기판을 산화성분위기에서 급속가열하여 900-1050℃의 온도에서 10-12초동안 유지하여 비정질박막의 50-100Å은 다결정화하고, 그 위의 비정질박막을 산화시키는 단계; 및

상기 다결정 실리콘 박막위에 형성된 산화층을 식각하여 제거하는 단계;를 포함하여 이루어짐을 특징으로 하는 초극두께의 다결정 실리콘 박막형성 방법

2 2

제1항에 있어서, 상기 산화막이 형성된 기판의 급속가열은 100℃/min 이상의 승온속도로 행함을 특징으로 하는 초극두께의 다결정 실리콘 박막형성 방법

3 3

제1항에 있어서, 상기 함규소 가스는 SiH4이고, 이때의 유지온도는 560-620℃임을 특징으로 하는 초극두께의 다결정 실리콘 박막형성 방법

4 4

제1항에 있어서, 상기 비정질 박막이 형성된 기판의 급속가열은 100℃/sec 이상의 숭온속도로 행함을 특징으로 하는 초극두께의 다결정 실리콘 박막형성 방법

지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.