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질화티타늄 박막의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015107026
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 시계와 같은 대인 장식용 제품의 장식성 향상 및 공구나 기계류 그리고 금형 제품의 수명향상을 위하여 반응성 스퍼터링에 의한 질화 티타늄 박막을 형성시키는 방법에 관한 것으로, 불활성 가스와 반응성 가스가 혼합된 가스 분위기에서 티타늄 타겟이 장착된 스퍼터링 증발원을 이용하고 글로우방전을 이용하여 티타늄 화합물 박막을 제조하는 방법에 있어서, 불활성 가스와 반응성 가스가 혼합된 가스 분위기에서 티타늄 타겟이 장착된 스퍼터링 증발원을 이용하고 글로우방전을 이용하여 티타늄 화합물 박막을 제조하는 방법에 있어서, 증발원으로 비평형 마그네트론 스퍼터링 증발원을 이용하되, 증발원(2)(2')을 두개로 하여 양측에 대향 배치하고, 상기 각 증발원(2)(2')측에 전자석(3)(3')을 구비시키며, 상기 증발원(2)(2')과 30∼45cm 범위내의 중앙부에 기판(4)을 위치시키고, 상기 전자석(3)(3')의 자기장 극성을 반대로 하여 자기장이 상기 기판(4) 부근에서 합쳐져 상기 기판(4)을 감싸는 형태가 되도록 유도하여 상기 기판(4) 중심부의 자기장의 세기를 15∼35 가우스 범위로 조절하며, 기판 전류를 160∼240mA 범위로 하여 이루어지는 것을 특징으로 한다.스퍼터링, TiN, 비평형 마그네트론
Int. CL C01G 23/00 (2006.01) C23C 14/06 (2006.01)
CPC C01B 21/076(2013.01) C01B 21/076(2013.01) C01B 21/076(2013.01)
출원번호/일자 1019990032613 (1999.08.09)
출원인 재단법인 포항산업과학연구원
등록번호/일자 10-0347567-0000 (2002.07.23)
공개번호/일자 10-2001-0017223 (2001.03.05) 문서열기
공고번호/일자 (20020807) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (1999.08.09)
심사청구항수 1

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 재단법인 포항산업과학연구원 대한민국 경북 포항시 남구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 정재인 대한민국 경상북도포항시남구
2 박형국 대한민국 경상북도경주시

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 홍재일 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 *** (삼성동) 삼영빌딩 *층(홍앤홍국제특허법률사무소)
2 조인제 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길**, *층(역삼동)(특허법인뉴코리아)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 재단법인 포항산업과학연구원 대한민국 경북 포항시 남구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 1999.08.09 수리 (Accepted) 1-1-1999-0092617-94
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2000.01.21 수리 (Accepted) 4-1-2000-0007991-58
3 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2001.09.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2001-0259549-12
4 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period		 2001.11.24 수리 (Accepted) 1-1-2001-5323376-48
5 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period		 2001.12.19 수리 (Accepted) 1-1-2001-5345383-73
6 명세서 등 보정서
Amendment to Description, etc.		 2002.01.14 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2002-0011003-56
7 의견서
Written Opinion		 2002.01.14 수리 (Accepted) 1-1-2002-0010999-15
8 등록결정서
Decision to grant		 2002.06.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2002-0217897-57
9 대리인사임신고서
Notification of resignation of agent		 2002.07.27 불수리 (Non-acceptance) 1-1-2002-5188319-12
10 반려이유통지서
Notice of Reason for Return of Document		 2002.08.08 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2002-0056261-00
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2002.08.13 수리 (Accepted) 4-1-2002-0065864-86
12 반려통지서
Notice for Return		 2002.09.16 수리 (Accepted) 1-5-2002-0065083-80
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2004.06.15 수리 (Accepted) 4-1-2004-0025494-38
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2005.03.04 수리 (Accepted) 4-1-2005-5020373-24
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.05.14 수리 (Accepted) 4-1-2013-0019112-38
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2016.09.28 수리 (Accepted) 4-1-2016-5138263-79
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.10.10 수리 (Accepted) 4-1-2019-5211042-46
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
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불활성 가스와 반응성 가스가 혼합된 가스 분위기에서 티타늄 타겟이 장착된 스퍼터링 증발원을 이용하고 글로우방전을 이용하여 티타늄 화합물 박막을 제조하는 방법에 있어서,

증발원으로 비평형 마그네트론 스퍼터링 증발원을 이용하되, 증발원(2)(2')을 두개로 하여 양측에 대향 배치하고, 상기 각 증발원(2)(2')측에 전자석(3)(3')을 구비시키며, 상기 증발원(2)(2')과 30∼45cm 범위내의 중앙부에 기판(4)을 위치시키고, 상기 전자석(3)(3')의 자기장 극성을 반대로 하여 자기장이 상기 기판(4) 부근에서 합쳐져 상기 기판(4)을 감싸는 형태가 되도록 유도하여 상기 기판(4) 중심부의 자기장의 세기를 15∼35 가우스 범위로 조절하며, 기판 전류를 160∼240mA 범위로 하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 질화 티타늄 박막의 제조방법

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패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.