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박막 태양전지용 CIG계 타겟 제조방법

  • 기술번호 : KST2015107284
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 CIG계 타겟을 제조하는 방법에 관한 것으로, 불활성 가스의 주입량을 조절하여 화염 온도를 조절하는 고속화염용사에 의해 CIG계 합금 분말을 모재에 스프레이 적층하고 표면을 연마하여 제조되는 박막 태양전지용 CIG계 타겟 제조방법을 제공하여,균일한 결정립, 균일한 조성을 갖고 고밀도의 우수한 타겟을 제조할 수 있고, 실린더형의 타겟이나 원 또는 사각형의 대형 평판 타겟 제조가 용이할 뿐만 아니라 타겟의 두께 조절이 용이하며, 타겟을 스프레이 적층으로 원하는 형태로 재제작하여 재활용이 가능하며, 타겟 제조 공정이 단순하여 제조 시간을 단축할 수 있는 효과가 있다.
Int. CL H01L 31/18 (2014.01) H01L 31/0445 (2014.01) C23C 14/06 (2014.01)
CPC H01L 31/03923(2013.01) H01L 31/03923(2013.01) H01L 31/03923(2013.01) H01L 31/03923(2013.01)
출원번호/일자 1020100135990 (2010.12.27)
출원인 재단법인 포항산업과학연구원
등록번호/일자 10-1186664-0000 (2012.09.21)
공개번호/일자 10-2012-0074045 (2012.07.05) 문서열기
공고번호/일자 (20120927) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2010.12.27)
심사청구항수 8

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 재단법인 포항산업과학연구원 대한민국 경북 포항시 남구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김형준 대한민국 경상북도 포항시 남구
2 김진홍 대한민국 경상북도 포항시 남구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 유미특허법인 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 서림빌딩 **층 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 재단법인 포항산업과학연구원 경북 포항시 남구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2010.12.27 수리 (Accepted) 1-1-2010-0864573-08
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2012.03.02 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0125660-10
3 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2012.05.02 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-0351795-18
4 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2012.05.02 수리 (Accepted) 1-1-2012-0351794-62
5 등록결정서
Decision to grant
2012.09.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0546903-17
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.05.14 수리 (Accepted) 4-1-2013-0019112-38
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2016.09.28 수리 (Accepted) 4-1-2016-5138263-79
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.10.10 수리 (Accepted) 4-1-2019-5211042-46
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
CIG계 타겟을 제조하는 방법에 있어서,연료가스 및 산소에 의해 발생된 화염에 불활성 가스를 공급하되, 불활성 가스의 주입량을 조절하여 화염 온도를 조절하는 고속화염용사에 의해 CIG계 합금 분말을 모재에 스프레이 적층하고 표면을 연마하여 제조되는 박막 태양전지용 CIG계 타겟 제조방법
2 2
제1항에 있어서,상기 불활성 가스는 질소, 아르곤, 헬륨 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 박막 태양전지용 CIG계 타겟 제조방법
3 3
제1항에 있어서,상기 CIG계 합금 분말은 Cu-In-Ga, Cu-Ga, Cu-In 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 박막 태양전지용 CIG계 타겟 제조방법
4 4
제3항에 있어서,상기 CIG계 합금 분말의 크기는 5~100㎛인 것을 특징으로 하는 박막 태양전지용 CIG계 타겟 제조방법
5 5
제1항에 있어서,상기 스프레이 적층시 모재와 분사 노즐과의 거리는 20~150mm인 것을 특징으로 하는 박막 태양전지용 CIG계 타겟 제조방법
6 6
제1항 내지 제5항 중 어느 하나의 항에 있어서,상기 모재 소재는 Al, Al 합금, Cu, Cu 합금, 스틸 중 하나 이상인 것을 특징으로 하는 박막 태양전지용 CIG계 타겟 제조방법
7 7
제1항 내지 제5항 중 어느 하나의 항에 있어서,상기 타겟의 형태는 실린더, 원형 또는 사각형의 평판인 것을 특징으로 하는 박막 태양전지용 CIG계 타겟 제조방법
8 8
제1항 내지 제5항 중 어느 하나의 항에 있어서,상기 스프레이 적층 후 후열처리, 고온 성형의 후처리 후 연마하는 것을 특징으로 하는 박막 태양전지용 CIG계 타겟 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.