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가스 블로윙을 이용한 실리콘 정련방법 및 이를 이용한 태양광급 실리콘 제조방법, 그리고 실리콘 정련장치

  • 기술번호 : KST2015107285
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 가스 블로윙을 이용한 실리콘 정련방법에 관한 것으로, 실리콘을 챔버내에 장입하여 가열하는 단계와; 챔버내에 용융된 실리콘 용탕의 온도를 측정하는 단계와; 실리콘 용탕의 온도가 설정 온도에 도달하면 실리콘 용탕에 정련가스를 투입시키는 단계; 및 정련가스와 실리콘 용탕의 불순물과의 화학적 반응에 의하여 실리콘 용탕 상부층에 부유되는 슬래그를 제거하는 단계;를 포함하여 이루어지는 가스 블로윙을 이용한 실리콘 정련방법 및 이를 이용한 태양광급 실리콘 제조방법을 제공한다.따라서 본 발명에 의하면, 고비용을 요하는 기상 증착에 의해 실리콘을 기화, 석출하는 복잡한 공정을 거치지 않고, 실리콘 용탕 내에 정련가스를 블로윙하는 새로운 방법에 의해 태양광급 실리콘을 제조하므로, 태양광급 실리콘의 제조비용을 절감하게 된다.
Int. CL C01B 33/037 (2014.01) C30B 29/06 (2014.01) H01L 31/04 (2014.01)
CPC C01B 33/037(2013.01) C01B 33/037(2013.01) C01B 33/037(2013.01)
출원번호/일자 1020100135841 (2010.12.27)
출원인 주식회사 포스코, 재단법인 포항산업과학연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2012-0073915 (2012.07.05) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2010.12.27)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 주식회사 포스코 대한민국 경상북도 포항시 남구
2 재단법인 포항산업과학연구원 대한민국 경북 포항시 남구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이규창 대한민국 경상북도 포항시 남구
2 박준표 대한민국 경상북도 포항시 남구
3 김명균 대한민국 경상북도 포항시 남구
4 이병필 대한민국 경기도 성남시 수정구
5 김종호 대한민국 경상북도 포항시 남구
6 석성호 대한민국 경상북도 포항시 남구
7 김성욱 대한민국 경상북도 포항시 남구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 홍성철 대한민국 서울특별시 금천구 가산디지털*로 ***, 에이스하이-엔드타워*제*층 ***호 홍익국제특허법률사무소 (가산동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2010.12.27 수리 (Accepted) 1-1-2010-0863892-89
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2011.10.06 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2011.11.18 수리 (Accepted) 9-1-2011-0091807-65
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2012.09.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0583140-00
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2012.11.28 수리 (Accepted) 1-1-2012-0987546-40
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2012.11.28 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-0987547-96
7 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal
2013.03.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0194040-53
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.05.14 수리 (Accepted) 4-1-2013-0019112-38
9 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2013.05.22 무효 (Invalidation) 1-1-2013-0450674-71
10 보정요구서
Request for Amendment
2013.05.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2013-0060286-60
11 무효처분통지서
Notice for Disposition of Invalidation
2013.07.05 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2013-0076861-22
12 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2013.08.07 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0548072-62
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2016.09.28 수리 (Accepted) 4-1-2016-5138263-79
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.04.30 수리 (Accepted) 4-1-2018-5077322-80
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.09.25 수리 (Accepted) 4-1-2019-5200802-82
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.09.30 수리 (Accepted) 4-1-2019-5204006-48
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.10.10 수리 (Accepted) 4-1-2019-5211042-46
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
실리콘을 챔버내에 장입하여 가열하는 단계와;챔버내에 용융된 실리콘 용탕의 온도를 측정하는 단계와;실리콘 용탕의 온도가 설정 온도에 도달하면 실리콘 용탕에 정련가스를 투입시키는 단계; 및정련가스와 실리콘 용탕의 불순물과의 화학적 반응에 의하여 실리콘 용탕 상부층에 부유되는 슬래그를 제거하는 단계;를 포함하여 이루어지는 가스 블로윙을 이용한 실리콘 정련방법
2 2
청구항 1에 있어서, 상기 설정 온도는 1600~1800℃범위 내의 온도로 설정되는 것을 특징으로 하는 가스 블로윙을 이용한 실리콘 정련방법
3 3
청구항 1에 있어서, 상기 정련가스는 H2O, H2, Ar가스중의 적어도 하나를 포함하며, 정련가스의 투입시간은 60분 ~ 2시간으로 하는 것을 특징으로 하는 가스 블로윙을 이용한 실리콘 정련방법
4 4
실리콘을 챔버내에 장입하여 가열하는 단계와;챔버내에 용융된 실리콘 용탕의 온도를 측정하는 단계와;실리콘 용탕의 온도가 설정 온도에 도달하면 실리콘 용탕에 정련가스를 투입시키는 단계와;정련가스와 실리콘 용탕의 불순물과의 화학적 반응에 의하여 실리콘 용탕 상부층에 부유되는 슬래그를 제거하는 단계와;슬래그가 제거된 실리콘 용탕을 잉곳으로 제조하는 단계와;제조된 잉곳을 다수개의 태양광 셀로 분할하는 단계; 및분할된 태양광 셀을 연결하여 태양광 집광판을 제조하는 단계;를 포함하여 이루어지는 가스 블로윙을 이용한 태양광급 실리콘 제조방법
5 5
청구항 4에 있어서, 상기 설정 온도는 1600~1800℃범위 내의 온도로 설정되고, 상기 정련가스는 H2O, H2, Ar가스중의 적어도 하나를 포함하며, 정련가스의 투입시간은 60분 ~ 2시간으로 하는 것을 특징으로 하는 가스 블로윙을 이용한 태양광급 실리콘 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.