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성형품의 형상에 맞도록 제작된 사출금형을 준비하는 단계;상기 사출금형을 진공용기에 장입하여 진공을 배기하는 단계;상기 진공용기에 전처리용 가스를 공급하고 상기 사출금형에 음의 편향 전압을 인가하여 글로우 방전을 이용하여 상기 사출금형의 모재 표면의 잔류 오염물 및 산화막을 제거하는 전처리 단계;상기 전처리 단계 완료 후에 상기 전처리용 가스 공급을 중지하고, 상기 진공용기에 질소 및 수소 가스를 공급함과 동시에 상기 사출금형에 편향 전압을 인가하여 상기 사출금형의 모재 표면조도를 제어함과 동시에 표면을 경화하는 표면조도 제어 및 표면경화 단계;상기 표면조도 제어 및 표면경화 단계 이후에 상기 진공용기에 탄화수소 및 질소 가스를 공급함과 동시에 상기 사출금형에 편향 전압을 인가하여 상기 사출금형의 모재 표면에 수소화 비정질 질화탄소 박막을 형성하는 단계;를 포함하는 사출금형의 표면처리방법
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제1항에 있어서,상기 전처리 단계에서 상기 진공용기의 내부 온도를 350℃ 이상 및 550℃ 이하의 온도로 유지하는 것을 특징으로 하는 사출금형의 표면처리방법
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제1항에 있어서,상기 전처리용 가스는 아르곤, 수소, 질소 및 산소 가스 중 적어도 하나를 이용하는 것을 특징으로 하는 사출금형의 표면처리방법
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제1항에 있어서,상기 수소화 비정질 질화탄소 박막 형성 단계에서, 상기 진공용기의 내부 온도는 100℃ 이상 및 200℃ 이하의 온도로 유지되는 것을 특징으로 하는 사출금형의 표면처리방법
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제1항에 있어서,상기 수소화 비정질 질화탄소 박막은 상기 사출금형의 모재 표면에 1㎛ 이상 및 3㎛ 이하의 두께로 형성되는 것을 특징으로 하는 사출금형의 표면처리방법
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제1항에 있어서,상기 수소화 비정질 질화탄소 박막은 상기 박막 중의 질소 함량이 5at% 이상 및 15 at% 이하의 범위를 갖도록 형성되는 것을 특징으로 하는 사출금형의 표면처리방법
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성형품의 형상에 맞도록 제작된 사출금형 모재;상기 모재 표면을 플라즈마 질화 처리하여 형성된 표면경화층; 및상기 표면경화층 상부에 형성된 수소화 비정질 질화탄소 박막;을 포함하는 사출금형
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제7항에 있어서,상기 수소화 비정질 질화탄소 박막은 1㎛ 이상 및 3㎛ 이하의 두께로 형성된 것을 특징으로 하는 사출금형
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제7항에 있어서,상기 수소화 비정질 질화탄소 박막은 상기 박막 중의 질소 함량이 5at% 이상 및 15 at% 이하의 범위를 갖는 것을 특징으로 하는 사출금형
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